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FRAM是一种新型非易失性存储器,这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制,本文介绍其基本工作原理和结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。 相似文献
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经常有人将MRAM(磁阻RAM,magnetoresistive randoma ccess memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non—Volatile RAM)在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新,它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,几乎没有寿命限制。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。[第一段] 相似文献
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通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。 相似文献