(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 ,室温下发光强度温度猝灭不明显     

多孔Si/纳米ZnS复合材料发光的研究

利用脉冲激光沉积(PLD)分别在Si片和多孔Si衬底上沉积了ZnS薄膜,考察衬底对ZnS薄膜结构和发光性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)测量表明,两种衬底上制备的ZnS薄膜均沿立方相结构β-ZnS(111)晶向择优取向生长。多孔Si衬底上生长的ZnS薄膜表面有很多凹坑,而Si衬底上生长的ZnS薄膜表面相对比较平整。光致发光(PL)谱显示,ZnS薄膜沉积后,多孔Si的发光峰强度减小且峰位发生蓝移。根据ZnS薄膜具有较高透射率的特点,把透射出ZnS的多孔Si的橙红光和ZnS的发光叠加,多孔Si/ZnS纳米薄膜复合体系在可见光区有很强的PL现象。     

SiOx:Er薄膜材料光致发光特性的研究

采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光.研究了退火温度和时间对SiOx:Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件.采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV.对3种不同Er2O3与Si面积比的SiOx:Er薄膜材料进行研究,得到Er2O3与Si面积比为1∶3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨.     

(Si,Er)双注入热氧化SiO2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到～10%,即体浓度～1021cm.热氧化SiO)2膜越厚,溅射后SiO2保留量越多;再结晶硅颗粒结晶程度提高,逐渐纳米化;未见有大量的Er偏析或铒硅化物形成,Er大部分以固溶形式存在.在77K下获得了较强1.54μm光致发光信号,室温下发光强度温度猝灭不明显.     

SiO_x∶Er薄膜材料光致发光特性的研究

采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx∶Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光。研究了退火温度和时间对SiOx∶Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件。采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV。对3种不同Er2O3与Si面积比的SiOx∶Er薄膜材料进行研究,得到Er2O3与Si面积比为1∶3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨。     

硅基硫化锌薄膜的溅射法生长技术

利用射频磁控溅法在Si衬底上制备ZnS薄膜,用X射线衍射技术对薄膜的结构相变进行研究,揭示了Si衬底上ZnS薄膜的微观结构和相变特征与溅射功率的关系,为寻找高新发光材料提供依据。     

电气和电子工程用材料科学

TB43,TN383.2 02050028(si,Er)双注人热氧化5 102/si薄膜的表面结构及L54户m光发射/徐飞,肖志松,程国安,易仲珍,曾宇听,张通和,顾岚岚(复旦大学)11半导体学报一2001,22(10),一1258一1263利用金属蒸气真空弧(M EV、/A)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化51 02/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化51 02/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到一10%即体浓度-2 021em一3.热氧化5102膜越厚,溅射后5102保留量越多;再结晶硅颗粒结晶程度提高,逐渐纳米化;未见有大量的Er偏析或饵硅化物形成,Er大部分以固溶形式存在.在77K下获得了较…     

Si基稀土Er_2O_3薄膜材料特性及制备研究进展

Si基Er2O3薄膜材料具有带隙宽、k值高等特点,在微电子和光电子领域具有潜在的应用价值。首先,阐述了Si基Er2O3薄膜材料的晶体结构具有多态现象,而立方晶形的Er2O3具有方铁锰矿立方结构,易制成高度择优取向的薄膜甚至单晶膜。其次,介绍了利用X射线光电子谱(XPS)技术确定Er2O3和Si两种材料的价带和导带偏移及采用光电子谱来确定高k介质材料能带带隙。此外,还介绍了Si基Er2O3薄膜材料光学常数的测试方法及其光谱转换特性,可用于太阳光伏电池。最后,着重介绍了国内外Si基Er2O3薄膜材料制备方面的最新研究进展,并指出金属有机物化学气相淀积(MOCVD)是未来产业化制备Si基Er2O3薄膜材料的理想选择。     

Si基Er2O3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究

采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反射式高能电子衍射(RHEED)和俄歇能谱(AES)的方法对Er2O3薄膜在Si衬底上的初始生长情况进行研究。发现在清洁的Si衬底和有SiO2的Si衬底上生长Er2O3薄膜,原位RHEED图谱和AES都有不同的结果,预示着这两种不同的衬底上生长Er2O3薄膜的初始阶段有不同的化学反应。这一现象可能阐释了界面的演变和控制机理。     

a-SiN_xO_y∶Er~(3+)薄膜的光致发光

采用射频 (RF)反应共溅射法制备了 a- Si Ox Ny∶ Er3+薄膜 ,在不同温度下进行退火处理 ,并测量了样品的可见及红外发光 PL谱 ,观察到 Er3+ 在 5 5 0 nm、5 2 5 nm和 15 32 nm的发光以及基质在 6 2 0 nm和 72 0 nm的发光 .发现退火能明显增强 Er3+ 的发光且对可见和红外发光的影响不同 ,讨论了退火明显增强 Er3+ 发光及退火对可见和红外发光影响不同的机理 .测量了 Er3+ 可见发光的变温 PL谱 ,讨论了退火对 Er3+ 不同能级辐射跃迁几率的影响 .根据基质发光随退火温度的变化 ,分析了基质发光峰的起源     

Study on Surface States of Zinc Sulfide Electroluminescence Thin Films

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＺｉｎｃｓｕｌｆｉｄｅｉｓａⅡ－Ⅳｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｏｍｐｏｕｎｄｗｉｔｈｗｉｄｅｂａｎｄｇａｐ．Ｔｈｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｈａｖｅｅｘｃｅｌｅｎｔｃｈａｒａｃｔｅｒｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ...     

硫化锌薄膜的微结构和表面特性研究

对射频磁控溅射法制备的掺铒硫化锌薄膜，运用X射线衍射和X射线光电子能谱技术，获得微晶薄膜的微结构和表面构态信息，揭示了电致发光薄膜的表面构态对激发态的影响。     

表面等离子波导改进LED发光效率的研究

设计了在氮化镓材料上淀积周期光栅银薄膜的结构,利用SPPs增强作用提高LED的发光效率。理论上建立了增强LED的内部发光效率、SPPs辐射匹配以及SPPs辐射衰减模型。实验结果表明:淀积银薄膜的LED结构由于SPPs的增强可以显著提高出光效率;出射光的偏振模式对LED出光效率没有影响;金属光栅的吸收率在占空比达到0.87左右达到峰值;SPPs的增强作用可以显著改善弱光致发光的发光效率和非线性过程。这一研究对于LED发光效率的改进具有明显的理论和实际意义。     

Microcrystalline Structure and Luminescence of ZnS Thin Films

The electroluminescence thin films doped with erbium, fabricated by thermal evaporation with two boats, are analyzed by X-ray diffraction(XRD).The relationship between electroluminescence brightness and microstructure of the thin films is obtained.The results reveal that the large grain size in high index plane of deposited microcrystalline film has an effect on electroluminescence characteristics of the film devices.     

溅射制备ZnS:Er~(3+)薄膜的光电子发射结构

利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌直流电致发光薄膜，用ＸＰＳ（ｘ射线光电子能谱）技术进行剖析，获得薄膜内部构态与发光性能关系的信息，讨论了微晶薄膜中稀土掺杂状态对激发机制的影响。     

硫化锌薄膜的微结构剖析

用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术,对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析,获得薄膜表面及粉料的构态信息,讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。     

基于OLED器件的封装方法研究

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示因其全固态、自发光、具有高发光效率等优点,市场占有率逐年提高。然而,可靠封装仍然是困扰OLED显示领域的关键技术问题之一。首先从常见的OLED封装方法展开讨论,分析了各种结构特点与缺陷,其次论述了具有广大发展前景的薄膜封装技术封装结构发展历程,以及封装结构的改进。最后对目前常见的无机薄膜制备工艺与有机薄膜制备工艺进行了归纳对比,并对薄膜封装的发展提出了展望。     

热蒸发制备的硫化锌薄膜的结构分析

用双舟热蒸发制备了掺稀土硫化锌薄膜，用ｘ射线衍射技术对硫化锌粉末和所制薄膜的晶体相结构进行研究，发现硫化锌薄膜的晶体结构与硫化锌粉末的晶体结构不同。薄膜晶体的生长受诸多因素影响，有择优取向生长趋势，是二维层状结构沿ｃ轴方向的密堆积。这些研究为高新材料的研制提供了参考。     

有机薄膜电致发光的研究及现状

有机薄膜电致发光（OTFEL）由于具有许多独特的优点而成为当今发光领域研究的热点，具有十分诱人的应用前景。本文从其发展过程、发光原理、发光材料、器件结构等几个方面作了概括和论述。     

具有新型电荷产生层的叠层有机发光器件

研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成.研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产生和注入空穴.叠层器件性能与单发光单元器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了4.2 cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2倍;同时,电荷产生层的性能与WO3薄膜厚度密切相关,WO3薄膜厚度为3 nm时,器件的效率在整个电流范围内都保持稳定.采用薄层WO3作为电荷产生层为制备高效叠层有机发光器件提供了一条有效的途径.