区间隧道注浆施工技术要点分析

通过应用悬浊液型浆液和溶液型浆液,有利于解决地基处理问题。本文首先对WSS注浆施工技术的原理进行了介绍,然后以蔡塘站区间隧道工程作为研究对象,对区间隧道注浆施工技术要点进行详细探究,可为类似工程提供借鉴。     

稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性

测量了Ｌａ、Ｎｄ稀土离子注入Ｓｉ基晶片,在不同退火条件下的室温光致发光（ＰＬ）谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰、且发光稳定,在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。并对样品的发光机理作了初步探讨。     

谈视频会议系统的建设

随着网络和视频技术的发展,视频会议得到越来越多的应用,特别是跨国公司等远程多地办公场合,使用视频会议进行交流是非常便利的.在视频会议系统的建设中,涉及到技术和需求等多方面的考量,笔者曾参与过视频会议项目的建设工作,与国内外多个视频会议的知名厂家、代理商进行过多次的技术交流,对视频会议技术前沿深入理解.现针对视频会议系统建设的关键技术点和实际经验展开具体介绍.     

(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 ,室温下发光强度温度猝灭不明显     

(Si,Er)双注入热氧化SiO2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射

利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到～10%,即体浓度～1021cm.热氧化SiO)2膜越厚,溅射后SiO2保留量越多;再结晶硅颗粒结晶程度提高,逐渐纳米化;未见有大量的Er偏析或铒硅化物形成,Er大部分以固溶形式存在.在77K下获得了较强1.54μm光致发光信号,室温下发光强度温度猝灭不明显.     

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性，获得了室温1.265μm近红外荧光发光，探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象. 制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管，获得了高耐压的场效应器件电学特性，并有望制成新型红外光电探测场效应管.     

LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究

介绍了绿色，红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光和蓝光激发方式，在室温下，有效地观测了ＬＥＤ－ＧａＰ：Ｎ的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ和Ｃｒ紫外荧光谱的实测数据的相关性，讨论了ＬＥＤ－ＧａＰ外延晶片的工艺质量优化和洁净度的问题。     

La、O+双注入硅基薄膜室温可见光致发光研究

测量了用离子注入方法将La、O+双注入硅基样品在室温下的光致发光(PL)谱,实验结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随退火温度和注入顺序的不同而变化.用原子力显微镜观察了不同条件下制备的样品的表面形貌,并对样品的发光机理作了初步探讨.     

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.     

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源交稀土金属Er离子注入单晶硅中，经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达10^21cm^-3量级。XRD分析薄膜物相结构发现，退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得，退火温度影响辐照损伤的恢复程度，Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.54μm光致发光。