一种合成PS/Ag复合微球的简便方法

本文提出一种制备具有高金属覆载率及良好均匀性的PS/Ag复合微球的简便方法,可以避免PS微球的表面修饰。首先通过多元醇法制备具有良好单分散性的PVP覆盖的Ag纳米颗粒, 然后通过溶胀-异质凝聚法将这些Ag纳米颗粒负载于PS球上。对Ag纳米颗粒的尺寸分布及PS/Ag复合微球的表面形貌进行了研究,结果表明这种方法制得的PS/Ag复合微球具有良好的分散性与均一性,并且Ag颗粒的负载率可以通过Ag溶胶的加入量来调控。     

D-KH法制备AgCuSn合金钎料的性能研究

分别采用熔铸法和D-KH法(叠轧复合-扩散合金化工艺)制备了Ag-22.4Cu-20Sn钎料合金,采用XRD、SEM、DSC及万能力学试验机等测试技术,对合金相组成、显微组织、熔化特性、钎焊接头的剪切强度和钎焊界面形貌等进行了对比研究。结果表明,D-KH法制备的钎料相组成为(Ag)、Cu3Sn、Ag5Sn相,而熔铸法制备的钎料相组成为(Ag)、Cu3Sn、Ag5Sn以及Cu41Sn11相;D-KH法制备的钎料合金液固相线均降低,熔程减小。与熔铸法相比,用D-KH法制备得到的厚度0.1 mm的钎料薄带,润湿铺展性更优、接头剪切强度更高、接头强度稳定性更好。     

单相纳米晶Ag_2Al颗粒的制备及表征(英文)

采用自悬浮定向流法制备单相Ag2Al金属间化合物纳米颗粒及Ag和Al纳米颗粒;利用透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱分析、电感耦合等离子体发射光谱等对纳米Ag2Al微晶的形貌、粒度、相组成、成分及微结构进行表征。研究表明:所制备的金属间化合物纳米粒子为球形的六边形结构,其平均粒径为33μm,样品中Ag和Al的摩尔比非常接近标准配比2:1,颗粒由单相的Ag2Al组成。对放置在空气中的Ag2Al纳米颗粒表面成分进行分析,XPS测试结果表明:在Ag2Al微晶表面形成了一层很薄的氧化物膜,可能是铝的氧化物或银铝氧化物。实验证实,通过控制气相反应的工艺条件可以制备出粒径很小的单相Ag2Al纳米晶。     

浸渍法制备Ag_2O-TiO_2纳米纤维及其光催化活性

采用浸渍法制备直径约20nm,长度达到微米级,且形态分布均匀的Ag2O-TiO2纳米纤维。以TEM、XRD、DRS及XPS手段对样品晶型结构、微观形貌以及化学组成进行表征,探讨掺杂对TiO2纤维结构和性质的影响。结果表明:未掺杂纤维表面平滑,浸渍法制备的Ag2O-TiO2纤维表面有明显的球状颗粒存在,颗粒直径为2～5nm,分布均匀,且其XRD谱出现Ag2O的衍射峰。与未掺杂样品相比,掺杂纤维的DRS谱线发生蓝移,光催化降解亚甲基蓝实验表明Ag2O-TiO2纤维光催化活性较高。     

银氧化铜复合材料反应合成制备

采用反应合成法与粉末冶金法制备了Ag／CuO复合材料，研究了2种制备方法所获得Ag／CuO复合材料的显微组织与性能。结果表明，反应合成法制备的Ag／CuO复合材料具有独特的环状组织特点，这一特点决定了反应合成制备的Ag／CuO复合材料的机械性能和电学性能要好于粉末冶金制备的Ag／CuO复合材料。在220V交流和24V直流实验条件下，反应合成制备的Ag／CuO复合材料的电寿命是粉末冶金制备的Ag／CuO复合材料的2倍。     

A Novel Method for the Preparation of Ag/SnO2 Electrical Contact Materials

描述了一种制备Ag/Sn O2电接触材料(Sn O2的质量分数为12%)的新方法。首先采用共沉淀法制备Ag-Sn O2纳米复合粉体(Sn O2的质量分数为42%)并对该Ag-Sn O2纳米复合粉体进行了表征。XRD结果表明制备的复合粉体由纯立方相的Ag和四方金红石相的Sn O2组成;SEM及TEM结果表明,纳米Sn O2与纳米Ag颗粒均匀弥散分布在复合粉体中;并借助于TG-DTA热分析对纳米复合粉体前驱体的制备过程进行了分析。然后,将Ag-Sn O2纳米复合粉体与Ag粉混合,采用粉末冶金法制备成Ag/Sn O2电接触材料,并对制备的Ag/Sn O2电接触材料进行了表征。结果表明,由于纳米Sn O2在Ag基体中弥散分布,制备的材料的物理性能如密度、硬度及电导率比普通工艺制备的材料好。     

Ag/SnO_2电接触材料的制备新方法(英文)

描述了一种制备Ag/Sn O2电接触材料(Sn O2的质量分数为12%)的新方法。首先采用共沉淀法制备Ag-Sn O2纳米复合粉体(Sn O2的质量分数为42%)并对该Ag-Sn O2纳米复合粉体进行了表征。XRD结果表明制备的复合粉体由纯立方相的Ag和四方金红石相的Sn O2组成;SEM及TEM结果表明,纳米Sn O2与纳米Ag颗粒均匀弥散分布在复合粉体中;并借助于TG-DTA热分析对纳米复合粉体前驱体的制备过程进行了分析。然后,将Ag-Sn O2纳米复合粉体与Ag粉混合,采用粉末冶金法制备成Ag/Sn O2电接触材料,并对制备的Ag/Sn O2电接触材料进行了表征。结果表明,由于纳米Sn O2在Ag基体中弥散分布,制备的材料的物理性能如密度、硬度及电导率比普通工艺制备的材料好。     

固相法和共沉淀法制备La2/3Sr1/3MnO3∶Agx多晶材料性能比较

分别采用固相法和共沉淀法工艺制备了不同Ag掺杂量的La2/3Sru3MnO3∶ Agx(LSMO∶ Agx,x为摩尔百分比,x=0.00、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶材料,通过XRD和R-T对Lav2/3Sr1/3MnO3∶ Agx材料的结构和性能进行测试分析.XRD分析结果表明,系列样品为正交菱面体结构,没有出现Ag元素的峰,这与Ag在高温烧结时的挥发有关;随着组分x的增加,固相法系列样品晶胞体积呈无规律膨胀,而共沉淀系列样品晶胞体积呈增大趋势,这可能是由于固相法系列样品的粒径较大且不均匀,导致LSMO:Agx晶格有较多的缺陷使晶胞体积发生膨胀,而共沉淀系列样品的粒径较小且均匀,Ag+进入晶格替代Ag位的La3+或Sr2+,引起晶胞体积发生微小膨胀.R-T分析结果表明,相对于同一组分x,共沉淀比固相法系列样品有更低的电阻率及更高的TCR值,Ag掺杂能有效改善LSMO材料的电阻率及TCR;共沉淀系列样品Ag掺杂对LSMO材料电阻率及TCR调制作用更明显.     

双槽电沉积法制备Cu/Ag纳米多层膜

双槽电沉积法制备了不同调制波长的Cu/Ag金属多层膜(Cu膜和Ag膜等厚),用扫描电子显微镜观察了多层膜的层状结构,并研究了不同调制波长下多层膜的显微硬度变化.结果表明:双槽电沉积法制备的Cu/Ag多层膜层状结构明显.当调制波长大于100 nm时,显微硬度随调制波长减小而增加;当小于100 nm时,硬度随调制波长减小而...     

Ag／SiO2复合薄膜的溶胶-凝胶法制备与光吸收特性

本研究以AgNO3和TEOS为原料，乙二醇独甲醚为溶剂，利用溶胶．凝胶法配制前躯体溶液，在玻璃基片上用匀胶法制备了Ag含量为50％（质量分数）的Ag纳米颗粒分散SiO2薄膜。利用X射线衍射、紫外可见分光光度计对Ag／SiO2复合薄膜的微观结构，光学吸收谱进行了表征和测试。研究了复合薄膜的制备工艺和不同热处理温度对薄膜光吸收特性的影响。DSC曲线表明热处理温度为200℃时薄膜中有Ag颗粒形成，300℃时薄膜中有机物完全分解。吸收光谱研究表明：Ag／SiO2薄膜在410-430nm波长范围内有明显的表面等离子共振吸收峰，随着热处理温度的升高SPR吸收峰的强度增强，峰宽变窄，峰位发生蓝移。     

Conductivity and mechanical properties of conductive adhesive with silver nanowires

The aim of this study was to develop conductive adhesive using silver nanowires prepared via solvothermal method as conductive fillers and epoxymodified organosilicone resin as matrix resin. Effect of the addition of silver nanowires/flakes on the conductive adhesive's electrical and mechanical properties was investigated. Compared with conventional conductive adhesive with silver flakes fillers, the percolation threshold of conductive adhesive with silver nanowires fillers is 10 % lower approximately. However, further rise of the content of silver nanowires has no obvious influence on improvement of the electrical conductivity of conductive adhesive. Both conductive and mechanical properties of conductive adhesive can be compatible by adding silver nanowires, which traditional silver conductive adhesives cannot reach.     

硅纳米线复合Mg2Si基热电材料的制备与性能研究

利用溶液法混合粉体并通过电场激活压力辅助烧结(FAPAS)方法制备了不同硅纳米线含量的Mg_2Si基复合热电材料,研究了硅纳米线的掺入及含量对基体材料热电性能的影响。结果表明:硅纳米线掺入后材料电导率大幅降低,塞贝克系数基本不变,热导率小幅降低。随着硅纳米线掺量增加,材料电导率降低,塞贝克系数稍有提高,热导率有升高趋势。硅纳米线掺量为0.1at%的样品在800 K时ZT值达到最高值0.5。     

银纳米线的制备及应用简述

银纳米线的大长径比效应使其表现出高透明度、低雾度、高导电性、韧性好的优异特性,具有良好的应用前景。简述了银纳米线的制备技术液相还原法－多元醇还原法、晶种法、光照射法等制备技术。简要介绍了大长径比银纳米线在导电和抗菌等方面的独特性能,在柔性器件、水体杀菌等方面有远大前景。     

Effect of phonon focusing on Knudsen flow of phonon gas in single-crystal nanowires made of spintronics materials

Effect of anisotropy of elastic energy on the phonon propagation in single-crystal nanowires made of Fe, Cu, MgO, InSb, and GaAs materials that are used to fabricate spintronics devices in the regime of the Knudsen flow of phonon gas has been studied. A new method of analyzing the focusing of quasi-transverse modes has been suggested, which made it possible to determine the average values of the densities of phonon states in the regions of focusing and defocusing slow and fast quasi-transverse modes. The effect of phonon focusing on the anisotropy of heat conductivity and lengths of the phonon free paths has been analyzed for all acoustic modes that exist in spintronics nanostructures. It has been shown that for all the nanowires investigated the angular dependences of the free paths of fast and slow transverse modes in the {100} and {110} planes correlate with the angular dependences of the densities of phonon states for these modes. Directions of the heat flux that ensure the maximum and minimum phonon heat conductivity in the nanowires have been determined.     

热蒸发法制备金属碲纳米线

在真空管式炉内，以Bi2Te3为蒸发源，在蒸发温度560 ℃，保温时间2h条件下，采用热蒸发法在涂有Au溶胶的石英基片上制备出了大量碲纳米线。通过XRD、SEM、HRTEM等仪器对碲纳米线的组织结构和微观形貌进行了表征与分析。结果表明，制备出的碲纳米线为沿（101）方向取向生长的三方单晶碲纳米线，直径范围在40~100nm之间，生长机制符合VLS生长机制。蒸发源材料和Au溶胶是热蒸发法制备碲纳米线的关键因素。     

表面活性剂对微波水热合成磷化钴的影响

以氯化钴和黄磷为主要原料，以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为结构导向剂，采用微波水热法制备了一维磷化钴（Co2P）纳米线。研究了表面活性剂及其加入量对合成Co2P晶相和形貌的影响，及其电化学性能。利用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对产物的物相和显微结构进行表征。结果表明：引入表面活性剂均可以使试样中生成一维Co2P纳米结构，添加CTAB的试样中生成了大量的Co2P纳米线，其直径约为50~200 nm，产率和长径比均随着CTAB加入量的增加而增加。电化学性能结果表明，Co2P纳米线具有赝电容特性，循环稳定性较好，1000次循环后比电容保持率为68%。     

溶胶一凝胶模板法制备氧化镍纳米线

采用二次阳极氧化的方法,以5%磷酸为电解液,制得具有一定厚度有序性较高的阳极氧化铝模板(AAO),结合溶胶-凝胶法在模板微孔内合成氧化镍纳米线.利用扫描电镜(SEM)对模板和纳米线材料的形貌进行了表征,结果表明:采用该方法成功制得线状的氧化镍,长度可达亚微米级,直径约为100nm,与AAO模板的孔径大小基本一致,因此可以通过调节AAO模板的孔径大小来实现氧化镍纳米线的可控生长.     

银纳米线的改进溶剂热法合成与表征

采用溶剂热法和晶种法相结合的改进方法,以硝酸银为银源,乙二醇为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为稳定剂和分散剂,制备银纳米颗粒晶种,进而在溶剂热环境中合成了高均匀性的银纳米线。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、和紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)对产物的尺寸形貌、晶体结构以及光学性能进行了表征。结果表明,利用改进的溶剂热法制备的银纳米线具有较高的长径比,尺寸分布均匀,分散性良好,具有优异的等离激元共振吸收特性。     

通过水溶性聚三钼酸盐制备纳米流体通道及系统

利用水溶性聚三钼酸盐纳米线作为牺牲材料,通过模板法制备了纳米流体通道,其关键技术在于寻找到合适的牺牲材料。通过水溶液合成法,在常温常压下制备得到直径为20～150nm的聚三钼酸盐纳米线,这些水溶性的纳米线在截面积极小的纳米通道中,能通过纵向劈裂迅速增加有效溶液接触面积,达到快速溶解的效果,能实现截面形状可控,是通道壁材料多样的纳米流体通道的理想牺牲材料。将纳米线与光刻技术相结合,分析其制备过程,能清晰观察到纳米流体通道的形貌。该技术对于微纳流体器件及系统的研究具有重要意义和价值。     

功能型氟硅聚合物涂层的研究进展

氟硅聚合物涂层是一种以有机硅、氟改性有机硅或有机氟为基体的材料,具有表面能低、稳定性高、易加工等特点,广泛应用于国防军事、轻工、机械、化工、医学等领域。综述了近年来氟硅聚合物常用的合成方法,如原子转移自由基聚合（ATRP）法、阴离子开环聚合法、硅烷偶联剂法、硫醇–烯点击法等,采用上述方法合成的氟硅聚合物,因其有序的氟/硅–碳排列,使得制备的涂层材料具有润湿性低和稳定性高等特点,在防污、抗菌等领域有着巨大的应用前景。同时,综述了不同维度材料修饰的氟硅聚合物涂层的研究进展,如一维材料（纳米线、纳米管等）、二维材料（片状硫化铜、石墨烯、MXene、氮化硼等）和三维材料（CeO₂、SiO₂、Fe₃O₄等颗粒及微胶囊）。对不同维度材料在防覆冰、抗菌、导电、导热、红外隐身、光催化、自修复等领域的应用和作用机制进行了分析。此外,综述了有机链段（聚氨酯、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯等）改性的氟硅聚合物涂层在医学、防污、自修复等领域的应用,并对其作用机制进行了分析。最后,对氟硅聚合物涂层研究中存在的问题进行了归纳,并对...