粉末冶金高纯铬和铬合金溅射靶材烧结工艺研究

介绍了不同加工方式对铬靶烧结密度的影响.在机压过程中,采用双向压制,不添任何成型剂和脱氧剂.机压+真空烧结铬环靶材密度为78%～80%;冷等静压+真空烧结铬板靶材密度大于82%;而经轧制后,铬板靶材密度提高到90%～95%;铬合金靶材采用热压方式,其密度大于98%.通过优化烧结时间和烧结温度等工艺参数,铬环靶材的烧结成本大大降低.     

磁控溅射工艺参数对不锈钢薄膜结合性能的影响

采用直流磁控溅射法在钢片上制备不锈钢薄膜,通过改变溅射功率、溅射时间、真空度、氩气压强、基片与靶材间距等,研究其对薄膜结合力的影响.为获得致密度高、结合力好的不锈钢薄膜提供了可行的工艺参数范围.     

光记录用靶材的应用、性能要求和制造方法

首先介绍了溅射靶材在光盘的记录层、反射层和保护层中的应用;然后介绍了光盘用靶材在纯度、晶粒和密度等方面的要求;最后通过实例介绍了熔炼和粉末冶金等光盘用靶材的制造方法,认为适当地向靶材中添加新成分已成为改善光盘薄膜性能的重要手段之一.     

AZO靶材的制备与镀膜应用研究

以ZnO和Al2O3粉体为原料，在不同的热压温度下制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度，压汞法测量靶材的孔径分布，扫描电镜观察靶材的断面形貌。将所制备的靶材作为溅射源，进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚，紫外分光光度计测量薄膜透光率，四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率，XRD分析薄膜结构，研究靶材密度及孔径分...     

Tb-Fe-Co磁光薄膜溅射条件对Kerr转角的影响

在实际磁光盘生产线上大都使用合金溅射靶溅射记录介质膜,而尚示有直接使用合金靶研究这些关系的报道。我们首先研究了用于磁光油射的系列合金靶,并完善了靶材制造工艺参数,且在此基础上进行了成分以及溅射参数对各种磁光性能影响的研究。首先确定了各种溅射和N2－Ar气流量下Al、Si以及Tb-Fe-Co(Mo）的溅射速率,在此基础上通过改变溅射功率和调整气汉量改变SiN的成分和厚度,在各种功率和气流量下溅射了Mo膜,并测定了这些磁光膜的Kerr线以获得Kerr转角等性能,从而探讨了溅射工艺条件对Kerr的影响。     

ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

对ITO靶材的直流磁控溅射工艺进行研究,通过正交试验方法确定制备ITO薄膜的最优工艺参数,并明确了溅射温度、氧氩比、溅射气压和溅射功率密度对ITO薄膜电阻率和可见光透过率的影响规律。最优工艺参数为溅射温度370℃,氧氩比0.5/40,溅射气压0.4 Pa,溅射功率密度0.17 W/cm~2。薄膜电阻率受各因素影响的主次顺序是:氧氩比溅射温度溅射气压溅射功率密度。薄膜可见光透过率受各因素影响的主次顺序为:溅射温度溅射气压氧氩比溅射功率密度。     

溅射SmCo基永磁薄膜的结构和磁性能研究

以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上沉积了SmCo基永磁薄膜。研究了溅射工艺参数对薄膜的晶体结构、微观结构和磁性能的影响。结果表明:溅射气压和溅射功率的改变引起了永磁相变,这主要依赖于溅射工艺条件对薄膜Sm含量的影响。高的溅射压强和溅射功率都会引起薄膜晶粒的粗大化和薄膜表面的粗糙化。薄膜的晶体结构和微观结构随溅射参数的变化决定了薄膜的面内磁学行为。当溅射压强为0.3 Pa和溅射功率为5.1 W/cm2时,制备的退火态SmCo基薄膜为TbCu7单相晶体结构,其面内永磁性能良好。     

CIGS电池、靶材及单靶溅射工艺研究进展

综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性能的影响。     

制备参数对磁控溅射CoSi2薄膜织构的影响

采用射频磁控溅射法溅射CoSi2合金靶材制备CoSi2薄膜,研究了制备参数对薄膜织构的影响。结果表明,CoSi2薄膜中存在(111)或(220)织构。织构的形成受溅射参数的影响。溅射功率越大,溅射气压越低,(111)织构越强烈。当基底温度增加时,织构经历了先增强后减弱的过程。     

溅射靶材对TiAlN涂层形貌、结构和力学性能的影响

采用粉末冶金和真空熔炼方法制备了原子比为Ti50Al50的合金靶材,利用磁控溅射工艺在同一工艺参数下制备了TiAlN涂层,借助扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、纳米压痕和结合强度实验,研究了溅射靶材对TiAlN涂层的形貌、结构和力学性能的影响。结果表明:粉末靶材中Ti和Al以单质相存在,Ti镶嵌于Al基体周围,熔炼靶材中形成了TiAl和Ti3Al合金化片层组织;由于两种靶材在组织结构和导热性能上的不同导致其溅射产额、靶材温度和溅射金属离子能量等都出现了明显的差异;对涂层的影响表现为,相比于熔炼靶材涂层,粉末靶材涂层的沉积速率高44%,表面粗糙度低24%,涂层表面熔滴数目和尺寸较小;粉末靶材涂层呈现Ti2AlN相等轴晶生长方式,熔炼靶材涂层由于沉积温度较高表现为Ti2AlN相和TiN相,以等轴晶和柱状晶混合生长;相结构的不同导致涂层的硬度和结合强度出现差异,粉末靶材涂层硬度为25.69 GPa,结合强度属于HF-3,熔炼靶材涂层的硬度为28.22 GPa,结合强度属于HF-5。