喷雾热分解法制备SnO2·F薄膜与导电性能研究

以SnCl4·5H2O和NH4F为原料,采用喷雾热分解的方法在片状日用玻璃基材和石英玻璃基材上制得了掺氟氧化锡透明导电薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分别对薄膜的内部结构和表面形貌进行了表征.研究了F-的掺杂量、喷涂温度、沉积时间和热处理对薄膜方阻R□的影响.实验结果表明,当[NH4F]/[SnCl4·5H2O]=32wt%、成膜温度为450℃、喷涂时间为15s时,可使所得薄膜的方阻R□达最低,为10Ω/□.     

喷雾热解法制备掺氟氧化锡导电玻璃及其性能

采用喷雾热解法,以四氯化锡和氟化铵为原料、喷瓶为雾化装置,在载玻片上制得氟掺杂二氧化锡(FTO)透明导电薄膜。运用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪分别对薄膜进行了表征。研究了喷涂次数、衬底温度、前体浓度、掺杂浓度和醇水比对FTO薄膜光电性能的影响。结果表明,当衬底温度为500℃,SnCl4.5H2O浓度为0.81mol/L,NH4F浓度为0.1mol/L,醇水比为8:2,喷涂100次时,薄膜的光电性能较好,其方块电阻为13Ω/□,平均透光率为79%。     

甩胶喷雾热分解法制备ITO薄膜及光电性能研究

按In:Sn(物质的量比)=9:1,InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物,采用自制甩胶喷雾热分解制备薄膜装置在普通玻璃衬底上沉积了ITO薄膜,结果表明,采用自制甩胶喷雾热分解制备薄膜新装置成功制备出ITO薄膜。该装置结构简单、操作方便。制备ITO薄膜优化条件为:甩胶转速800r/min、衬底温度250℃、退火温度450℃、载气为空气、流量为7L/min、液体雾化速度0.2ml/min、雾粒速度3.5m/s。薄膜的沉积时间为5min,薄膜厚度约1000nm,最低电阻率为0.75*10-4Ω·cm,薄膜在可见光范围(波长在400-700nm)内平均透光率为87.2%。衬底温度在200℃以上时呈现立方相结构。     

FTO/ITO复层导电薄膜的研究

采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。     

微弧氧化法制备磁性薄膜及其组成结构分析

以钛金属作衬底,FeSO4溶液为主要原料,采用微弧氧化法制备了磁性薄膜,薄膜的饱和磁化强度为77.7 A·m2/kg。探索了薄膜的形成工艺。运用IR、XRD、XPS和SEM等手段表征了磁性薄膜的组成和形貌,结果表明磁性薄膜主要由Fe3O4和(Fe2O3)x·2H2O晶体组成,表面比较光滑致密。简要推断了磁性薄膜的形成机理。     

掺杂型SnO2薄膜对乙醇的气敏特性

以SnCl4·5H2O、Ce(NO3)3·6H2O、CuCl2·2H2O、La(NO3)3·6H2O为原料,柠檬酸为络合剂,采用sol-gel法,浸渍提拉技术制备了纯SnO2及其掺杂薄膜.利用XRD分析方法进行了物相结构分析,研究了掺杂比对各掺杂SnO2薄膜元件气敏特性的影响.发现掺杂比相同时,掺杂Ce3+的SnO2样...     

Co掺ATO复合粉体自组装薄膜阵列的制备及其光学、磁学性能

以SnCl4·5H2O、SbCl3为原料,采用共沉淀法成功制备出在微纳米级Co表面包裹ATO(掺锑二氧化锡)的复合粉体,然后将制备的复合粉体与氟碳树脂复合并在磁场作用下进行自组装形成微阵列结构,移除磁场后,微阵列结构保持不变。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计(UVPC)及振动样品磁强计(VSM)等测试方法对Co/ATO复合粉体以及微阵列结构进行了表征与分析。讨论了不同ATO掺杂量对整个体系光学性能的影响,且当n(Co)/n(ATO)=1/2时,微阵列薄膜在300~2500nm波段的光学反射率低于0.5%。     

溶胶-凝胶法制备0.1BiFeO3-0.9SrBi2Nb2O9铁电薄膜的结构和光学性质研究

采用硝酸铋[Bi(NO3)3·5H2O]、硝酸锶[Sr(NO3)2]、硝酸铁[Fe(NO3)3·9H2O]和乙醇铌[Nb(OC2H5)5]作为起始原料,乙二醇甲醚[C3H8O2]作为溶剂配制掺Fe的SrBi2Nb2O9前驱体溶液,利用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备出0.1BiFeO3-0.9SrBi2Nb2O9铁电薄膜.研究了该薄膜的表面形貌、组分、晶体结构和光学性质.结果表明,经400℃退火后薄膜为非晶结构,而在空气中经600℃退火1h后,沉积的薄膜晶化成钙钛矿结构.制备的薄膜表面平整,颗粒分布均匀,表现出良好的光透过性,该薄膜的光学能隙大约为2.5eV.     

正交实验法优选电沉积Co-Pt-W磁性薄膜制备工艺

利用正交设计L25(56)安排实验,分别以矫顽力和磁滞回线的方形度为考察指标,通过极差分析和方差分析优化Co-Pt-W磁性薄膜电沉积制备工艺,结合工业生产的实际需求,得到Na2WO4·2H2O及(NH4)2C6H6O7浓度分别为0.08L、0.198mol/L,电流密度为5mA/cm2,温度为60℃的制备条件为最佳组合.在此条件下制备了Co-Pt-W薄膜样品,并对其磁性能进行验证,对结构和形貌进行了测量.结果表明hcp结构有利于电沉积Co-Pt-W薄膜的硬磁性能.     

sol-gel法制备ZnO·Al薄膜及其特性研究

以Zn(OAC)2·2H2O和AlCl3·6H2O为原料,采用溶胶-凝胶的方法在普通玻璃片基材上获得了掺铝的氧化锌透明导电薄膜.采用XRD、SEM、以及分光光度计等分析手段对薄膜进行研究,实验结果表明,当铝离子掺杂量为2%(wt)、预处理温度400℃、退火温度550℃下保温1h,可使所得薄膜的电阻率最低,为5×10-2Ω·cm,薄膜可见光透过率平均达80%以上.