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利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长In GaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激 射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值 电流密度随激光器腔长的变化规律, 得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm2,在室温连续波 工作模式下,测得激光器的内量子效率 为61.1%,内部损耗为8.3cm-1,激光 输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性 能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特 性。器件激射 波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件, 腔长越长,器件工作波长越长,工作波 长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。 相似文献
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阈值载流子浓度及输出波长是研究耦合垂直腔面发射激光器的一个重要方面.本文利用边界条件.结合激光器中间DBRS层的耦合传输矩阵.推导出了双波长激射时的阈值载流子浓度,以及中间DBR层数对输出波长的影响. 相似文献
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报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器. 相似文献
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为了提高光纤光栅外腔半导体激光器的激射波长准确性,根据光纤光栅外腔半导体激光器的相位条件确定光纤光栅外腔半导体激光器的激光纵模分布后,采用数值模拟的方法研究了光纤光栅外腔半导体激光器的激射波长随光纤端头到有源区之间空气间隙长度的变化。结果表明,光纤光栅外腔半导体激光器的激射波长随着空气间隙长度的变化围绕着光纤光栅的布喇格波长波动,波动的最大幅度随外腔长度的增加而减小。因而当外腔长度一定时,可以通过微小的调节空气间隙的长度使激射波长精确定位于光纤光栅的布喇格波长处。 相似文献
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简要介绍了纳米材料的电学性能以及单电子器件的基本原理和应用;纳米材料的光学性能和光电性能,高的光吸收系数和光致荧光现象可使其应用于敏感元件,由于其光电特性具有超快响应速度,可望在超快光电子器件中得到应用。 相似文献
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随着对复杂网络的深入研究,现实生活中越来越多的网络被证明具有复杂网络的特性,如小世界特性,无标度特性和高聚类系数等.本文介绍了九种现实网络所具有的复杂网络特性,并介绍了权重网络和空间网络的基本概念,它们更多的考虑了现实网络的特性,并能更好的模拟实际网络. 相似文献
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信息时代产生的海量数据驱动着计算机存储架构的革新,高性能的非易失性存储器和存算一体的神经形态计算成为存储体系的发展方向。首先,介绍了相变材料Ge2Sb2Te5的阻变性质的机理与应用,详细阐述了相变存储器的发展以及神经形态计算的实现。然后,讨论了基于Ge2Sb2Te5铁电性质的存储器、基于Ge2Sb2Te5介电性质的光子存储单元和基于Ge2Sb2Te5应变作用的高迁移率晶体管。最后,讨论了Ge2Sb2Te5和n型硅等材料的异质结结构在器件中的应用。基于Ge2Sb2Te5材料多种特性的新型存储器件必将在未来存算一体的数据处理中扮演重要的角色。 相似文献
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该文采用溶胶-凝胶法在LaNiO_3/Pt/Ti/SiO_2/Si基片上制备了掺杂La元素的Pb_(1-0.05)La_(0.05)ZrTiO_3(PLZT)、掺杂Sr元素的Pb_(1-0.05)Sr_(0.05)ZrTiO_3(PSZT)、掺杂La和Sr元素的Pb_(1-0.1)La_(0.05)Sr_(0.05)ZrTiO_3(PLSZT)及未掺杂的锆钛酸铅(PZT)薄膜样品。对不同掺杂情况的样品分别进行了压电系数、电滞回线、介电特性的测试。结果表明,双掺杂样品PLSZT薄膜具有比其他样品更好的铁电性能,其剩余极化强度(P_r)为13.2μC/cm~2,饱和极化强度(P_s)为28.4μC/cm~2,矫顽场(E_c)为54.8 kV/cm;双掺杂样品PLSZT薄膜的压电系数(d_(33))比其他3种样品高,达到153 pC/N。掺杂后的样品与未掺杂的样品相比,其介电常数有略微提高;单掺杂La的样品的介电特性在高频环境下更稳定。 相似文献
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Morphological transformation was achieved from ZnO hexagonal needle-like rods to hexagonal flower-like rods by varying the reaction growth time using the hydrothermal method. Optical bandgap energies were calculated from the absorption spectra using UV‐vis spectroscopy. Gas sensing properties of flower-like hexagonal ZnO structures at 50 ppm for ethanol (C2H5OH) and nitrogen dioxide (NO2) at different temperatures were analyzed. The sensor showed a higher response toward C2H5OH than NO2 gas at 350 °C. 相似文献
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采用传统固相法制备了质量比为1∶4的CoFe2O4/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(CFO/PMN-PT)磁电复合陶瓷,研究了烧结温度(900~1100℃)对所制复合陶瓷性能的影响。结果表明,复合陶瓷中尖晶石结构的CFO与钙钛矿结构的PMN-PT共存,没有其他杂相生成,复合陶瓷的密度以及压电常数d33在1000℃时达到最大值,分别为7.07g/cm3和212pC/N。磁电电压系数αE33随烧结温度的增加逐渐增大,在1100℃烧结时达到最大值8.4mV/A,而磁电电压系数αE31随烧结温度的增加先增大后减小,在1000℃烧结时达到最大值4.8mV/A。 相似文献