电视机重点电流的测量方法

在检修电视机的过程中,人们常通过万用表对重点电流进行测量,并与正常电流值进行比较,从而判断晶体管、集成电路的工作状态,以及电源、行扫描部分工作是否正常,电容器、电路板的漏电或击穿情况。实践证明,这是一种十分有效的检修方法,这些重点电流现介绍如下。1.电源变压器初级空载电流测量初级空载电流的目的是检查变压器是否存在短路故障。方法是用万用表交流电流档接至保险管(先拆下)两端测量,测量时应断开变压器次级绕组的所有负载。彩色电视机一般都不用电源变压器,故该法实际上只是对黑白电视机进行测量。通常黑白电视机此电流为20～50mA,若实测电流远大于50mA,即可判断变压器内部存在严     

小功率电源变压器设计诺模图

本图适用于功率在1千瓦以下的小功率电源变压器的设计,可在给出初、次级电压、电流的条件下,通过简单计算得出初级功率(W_p)、初级电流(I_p)及各线圈工作电流I后,利用本图查得所需的铁芯截面积(即a×b);每伏圈数T/V及用线的直径d(毫米).举例:     

电视机的重点电流测量

在电视机检修过程中,通过用万用表进行重点电流测量,并与各自相应的正常电流值进行比较,可以判断出晶体管、集成电路的工作状态,判断电源、行扫描工作是否正常,以及电容器、电路板的漏电或击穿情况。这是一种十分有效的测量法,以下就简要介绍几点: 一、电源变压器初级空载电流测量电源变压器初级空载电流的目的是检查变压器是否存在短路故障。电源变压器初级     

一款不怕短路的直流可调稳压电源

因负载不慎短路会造成供电电源烧毁,因此为电源增加输出短路保护功能是非常必要的。本文介绍的直流稳压电源,输出电压从4.5￣14.3V连续可调,工作电流最大可达600mA,并且带有输出短路自动保护及报警功能,可用来给4 英寸TFT彩色液晶电视等一些小电器供电。 电路原理图如图所示,220V交流市电经变压器降压为15V 交流电压,再经二极管D1～D4桥式整流、电容C1滤波,得到约18V 的直流电压。大功率NPN 型三极管BG1 与小功率NPN 型三极管BG2组成复合调整管,这种复合结构大大提高了电源电流输出(即带负载)能力。BG3 是比较放大管,作为其集电极…     

并联供电行输出电路

目前我国通行的电视接收机的行输出电路(包括自举电路)大都为串联供电式;行幅和显象管高压容易受电源电压变动的影响。本文介绍一种并联供电行输出电路,通过一反馈电路进行脉冲宽度调制,能自动控制行输出管的导通时间,从而使输出稳定,且在很大范围内不受电源电压变动的影响;行输出负载偶然性的变化,也能自动调节和控制。一、一般电路受电源影响的原因图1是我国目前通行的行输出标准电路。当行输出管BG未导通时,电源E向校正电容器C_s充电,C_s上电压V_0与电源电压相等。当BG导通时,C_s上电压通过L_v和BG放电,偏转电流     

1985年北京邮电学院硕士学位研究生入学试题及题解

试题名称:电子电路一、计算下列各题:1.某放大电路的直流简化电路如图1所示,晶体管 BG 的直流放大系数β为50,且工作于放大区。试近似求出 BG 的基极电流 I_B,集电极电流 I_C,集电极至发射极之间的电压 V_(CE)。2.图2(a)为用理想运算放大器组成的电路(略去了各运算放大器同相输入端的直流平衡电阻)。若 u_1(t),u_2(t)的波形如图2(b)所示,试画出 u_0(t)的波形。3.图3为集成运算放大器中某一级的原理电路,各管直流放大系数β都很大(BG_1、BG_2的基极直流接地)。试近似求恒流管 BG_3的电流 I_0。二、某负反馈放大器的交流简化电路如图4所示。已知:h_(ic1)=h_(ie2)=1.5kΩ;h_(fe1)=h_(fe2)=50;h_(oe1)=h_(oe2)=0;h_(re1)=h_(re2)=0;R_8=300Ω;R_(c1)=1.2kΩ;R_(e1)=300Ω;R_(c2)=1kΩ;R_f=2.3kΩ。求电路的电压放大系数 K_(vf)=V_0/V_(?)     

场反峰对OTL场输出级的影响

图1是简化OTL场输出级电路.其中BG1和BG2为互补输出级,而BG3为激励级.LV为偏转线图,而R_V则是其等效损耗电阻.由于场频很低(50HZ)偏转线圈的感抗与损耗电阻比较接近,因而对电路的工作都有重要影响,隔直电容C电压在BG1截止时为BG2电源,通常C上的充电电压为E_C/2.R为BG3的负载电阻.该电路有关的电压和电流波形示于图2。U_i为     

彩色电视机的开关电源

很多彩色电视机采用图1的自激式开关电源,图1中功率晶体管BG和开关变压器B组成间歇振荡器,由续流二极管D_2定时。     

晶体管的串接使用

当晶体管的耐压BV_(oco)或额定功率不够大时,可以将两只或两只以上的晶体管串接使用.这里对如何选择这些串接晶体管的耐压和放大倍数β,以及如何在线路中设定其它的参数的问题作一简要的分析.(一)晶体管串接使用形式由图1可知,流过BG_1和BG_2的c极和e极的电流为I_0,流过R_1的电流为(I_0+I_(b1)),流过R_2的电流为I_0.(二)计算和分析设:AB之间最大电压为V_(AB)=200伏,BG_1和BG_2的β均为20,R_1=R_2=50千欧.     

减小尺寸和功耗的隔离式FET脉冲驱动器

三相控制整流器和变换器,矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率晶体管,每支晶体管都有自己的驱动电路。图1中的电路用1kHz～200kHz频率的全占空比脉冲驱动一个容性输入功率器件,如MOSFET或IGBT《绝缘栅双极晶体管)。一只变压器起隔直作用,电路在15V初级电源电压下只消耗少量功率。采用具有输入电容高达5nF的几只MOSFET和IGBT,测试满意,该驱     

扰动分离自抗扰控制在光电稳定平台上的应用

针对当前光电稳定平台伺服系统中扰动抑制能力不足的问题,提出一种扰动分离自抗扰控制（DSADRC）算法。扰动分离自抗扰控制充分利用工程实际中可获取到的部分已知的光电稳定平台模型信息及经典控制中的控制器信息,并将其加入到自抗扰控制的设计中。该算法通过减少光电稳定平台系统中的总扰动量,增加系统的扰动观测精度及扰动抑制能力。同时,通过算法设计实现了经典控制器的复用,减少了设计工作量。仿真实验结果表明:在控制器相同、扰动条件相同的情况下,扰动分离自抗扰控制阶跃响应调节时间减少58.8%,上升时间减少26.5%,且无超调量;在1V2Hz等效扰动下,系统稳态精度提高51.5%,系统性能提升效果明显。在实物验证实验中,对于不同频率的等效扰动,相比PID控制,扰动分离自抗扰控制稳态精度提升50%以上,有效地提高了光电稳定平台的稳态精度。     

一种简单优质的双端可调功率直流稳压电源的设计与分析

根据优质直流稳压电源应具有的特点,介绍了采用ＰＩ调节器和共射极连接方式下的晶体管来构成一款简单优质的双端可调功率直流稳压电源的方法,分析了电源的特性,给出了设计实例：其最大输出电流为５Ａ,最大输出电压为５０Ｖ,电压调整率为０．０１２％,负载调整率为０．０４％,纹波抑制比为８４ｄＢ。     

大功率电弧加热器电源的设计研究

研究了63MW等级的大功率电弧加热器交直流电源的主电路设计和控制策略。提出了一种相移叠桥组合晶闸管整流主电路结构,使得该电源输出直流电压从1kV到21kV的不同工况时,其输入端的功率因数不小于0.9,且高功率时THD小于5%。根据主电路相移叠桥结构的特点,提出了一种非线性反馈控制器和前馈控制器相结合的复合稳流控制策略,稳流精度能够达到0.1%。实验结果表明,相移叠桥组合晶闸管主电路结构达到了电源电能质量设计指标;采用复合稳流控制策略后,稳流精度不仅能够达到设计指标,而且可以去掉主电路中的稳流电阻,从而减小了电源系统1.8MW的电阻热耗。     

N3305A电子负载与电源检定

本文以Agilent公司N3305A直流电子负载为例,介绍了电子负载恒电流、恒电阻、恒电压、动态负载工作模式、使用方法及注意事项.针对直流稳压电源的电压显示误差、电流显示误差、稳压纹波、稳压电源调整率、稳流纹波、稳流电源调整率、稳压负载调整率、稳流负载调整率检定测试方法、测试过程的含义进行了讨论,对各种稳压电源开展科学、高效的产品检验具有积极的推动作用.     

铝电解电容器电极箔与引线间接触电阻的改进

铝电解电容器的内部电阻直接影响产品电性能,生产过程中必须降低并稳定电极箔与引线间的接触电阻。通过对铆接过程的分析和研究,提出改进铆接工艺的方法,即采用电极箔预冲孔的铆接工艺。实物测试表明,电极箔与引线间的接触电阻较工艺改进前降低8%～15%,其阻值离散度显著缩小,且后续制造工序及产品使用中的阻值也更稳定,有利于保证产品质量,延长产品寿命。     

采用整流型恒压变压器的He-Ne激光稳流电源

在许多气体激光稳流电源中,采用将稳流控制器与气体激光管串联的被动稳流方式.这种方式与采用将取样电阻和气体激光管串联的主动稳流方式相比,具有电路简单、调整方便、输出电容小、工作可靠等优点.但由于对稳流控制器的耐压要求高,因而限制了它的应用.为了减小稳流控制器上电压的变化,扩展可工作的电网电压范围、提高稳流精度,一个简单而又有效的方法是采用整流型恒压变压器.     

H2 plasma treatment at the p/i interface of a hydrogenated amorphous Si absorption layer for high‐performance Si thin film solar cells

Plasma treatment (PT) of the buffer layer for highly H₂‐diluted hydrogenated amorphous silicon (a‐Si:H) absorption layers is proposed as a technique to improve efficiency and mitigate light‐induced degradation (LID) in a‐Si:H thin film solar modules. The method was verified for a‐Si:H single‐junction and a‐Si:H/microcrystalline silicon (µc‐Si:H) tandem modules with a size of 200 × 200 mm² (aperture area of 382.5 cm²) under long‐term light exposure. H₂ PT at the p/i interface was found to eliminate non‐radiative recombination centers in the buffer layer, and plasma‐enhanced chemical vapor deposition at low radio‐frequency power was found to suppress the generation of defects during the growth of a‐Si:H absorption layers on the treated buffer layers. With optimized H₂ PT of the a‐Si:H single‐junction module, the stabilized short circuit current and fill factor increased, and the stabilized open circuit voltage moves beyond its initial value. The results demonstrate 7.7% stabilized efficiency and 10.5% LID for the a‐Si:H single‐junction module and 10.82% stabilized efficiency and 7.76% LID for the a‐Si:H/µc‐Si:H tandem module. Thus, the growth of an a‐Si:H absorption layer on a H₂ PT buffer layer can be considered as a practical method for producing high‐performance Si thin film modules. Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd.     

An Integrated Power Supply System for Low Power 3.3 V Electronics Using On-Chip Polymer Electrolyte Membrane (PEM) Fuel Cells

A stabilized power supply realized by chip-integrated micro fuel cells within an extended CMOS process is presented in this paper. The fuel cell system delivers a maximum power output of 450 ? W/cm². The electronic control circuitry consists of an LDO, an on-chip oscillator and a programmable timing network. The core system consumes an average power of 620 nW. The system reaches a current efficiency of up to 92% and provides a constant output voltage of 3.3 V.     

稳压稳流Ar~ 激光器电源

Ar~ 激光器的激光输出功率强烈地依赖于放电电流: P∝I~n式中P为功率,I为Ar~ 管工作电流,在正常的工作区内n≈2.4,而放电管的等效动态电阻约为2Ω,电网电压波动会强烈地影响激光器的输出功率,因此需要采用稳流电源。目前国内外出售的Ar~ 激光器电源均采用电流反馈、串接调整管列阵的稳流方式。对于5瓦级的Ar~ 激光器,在外电网波动±10％时,调整管的最大功耗约为3300W,调整管的管压降变化大于100V。它们在线路中大多采用功率为50到100W的晶体管,由80到40只组成串、并联列阵作为调整单     

电源自适应Rail-to-Rail CMOS运算放大器

基于CSMC 0.6 μm标准CMOS工艺,实现了一种电源自适应Rail-to-Rail CMOS运算放大器,其输入级从原理上变“被动地“适应低电压为“主动地“要求低电压.当外部电源电压在2.1V到3.2 V变化时,内部电源电压稳定在1.68 V,最大偏差为5.4%.这样,内部电源电压自适应地稳定在“相交条件“,实现了输入级的跨导Gm为常数:在整个共模(CM)电压变化范围内,输入级跨导的最大变化为9%.Rail-to-rail输出级用两个折叠网格和AB类反馈控制结构实现,使输出级的最低电源电压降到Vgs 2Vds,并使输出静态电流最小.