用PBⅡ方法在硼膜中注入氮形成BN的结构

用电子束蒸发纯硼,在硅片上沉积不同厚度的硼膜,然后用等离子体基离子注入（ＰＢⅡ）技术在硼膜上主入氮以形成氮化硼（ＢＮ）,用ＸＰＳ分析膜的成分深度分布及化学价态;用傅里叶变换红外（ＦＴＩＲ）透射谱分析膜的结构。氮在膜中呈类似高斯分布,随着注入电压增大,膜的Ｎ／Ｂ比增大且影响氮在膜中的分布,在较高的注入电压时,膜基间产生界面混合,对ＸＰＳＢｌｓ谱进行Ｇａｕｓｓ－ｏｒｅｎｔｚ拟合表明,硼在膜中以ＢＮ及游     

PBⅡ氮离子注入对氮化硼薄膜结构的影响

研究了氮离子注入对立方氮化硼膜,富硼的硼氮膜和硼膜的成分及结构的影响。用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃ－ＢＮ,ＢＮ０．５和Ｂ膜,然后使用等离子基离子注入技术,在５０ｋＶ的基本脉冲负偏压下注入氮。用ＦＴＩＲ透射谱分析膜在氮了注入前后结构的变化,用ＸＰＳ分析膜的成分分布。     

精密陶瓷新材料碳氮化硼(BNC)

只是单一成分的材料要满足严酷性能的要求一般是困难的。因此根据材料设计、膜设计等将各种单一组分的材料进行复合化,或开发具有必要特性的新型复合材料或化合物是十分必要的。氮化硼、碳化硼或硼类陶瓷作为高温材料是最有意义的。碳氮化硼(BNC)可以说是氮化硼(BN)和碳化硼(B、C)的复合产物,它具有以氮化硼(h-BN)为母相的六方晶格。碳氮化硼具有超过氮化硼或氮化硅的极     

脉冲偏压下沉积的立方氮化硼膜的断面结构研究

采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统 ,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼 (c BN)薄膜。用傅立叶变换红外谱 (FTIR)分析沉积膜的相结构 ,用透射电镜 (TEM)及高分辨率透射电镜 (HRTEM)分析膜的断面结构。FTIR结果表明 :c BN的纯度强烈地受基片负偏压的影响 ,当基片负偏压为 15 5V ,c BN膜的纯度高达 90 %以上。TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明 ,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼 (h BN)层 ,h BN(0 0 0 2 )晶面垂直于基片表面 ,在界面层之上生长着单相c BN层     

PBII氮离子注入对氮化硼薄膜结构的影响

研究了氮离子注入对立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 膜,富硼的硼氮膜（ＢＮ０ ．５ ） 和硼膜（Ｂ） 的成分及结构的影响． 用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃＢＮ、ＢＮ０ ．５ 和Ｂ 膜;然后使用等离子基离子注入（ＰＢＩＩ） 技术,在５０ ｋＶ 的基体脉冲负偏压下注入氮． 用ＦＴＩＲ 透射谱分析膜在氮离子注入前后结构的变化,用ＸＰＳ分析膜的成分分布． 结果表明：在ｃ－ ＢＮ 膜中注入氮离子几乎不改变膜的ＮＢ,但膜中ｃ－ ＢＮ 的含量略有增加;对于ＢＮ０ ．５ 膜,注入氮后,ＮＢ 略有提高,膜的ａ－ ＢＮ 的结晶化提高;而在硼膜中注入氮后,氮在膜中呈类似高斯分布,最高氮浓度ｒ（Ｎ）达２３ ％ ,膜中形成了非晶态的氮化硼（ａ－ ＢＮ） 结构． 此外,在以上各种膜上注入氮后,膜基界面都有不同程度的成分混合．     

高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征

运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响进行了研究.采用傅立叶红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对c-BN薄膜进行了表征和分析.结果表明:300 W的射频功率是制备c-BN薄膜的最佳条件;当气体分压比Ar/N2=5:1时,制备的薄膜中c-BN含量相对最高;立方氮化硼的形成存在偏压阈值(约80 V),低于此偏压c-BN很难形成.拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构.AFM和XPS分析结果表明c-BN薄膜结晶良好,晶粒尺寸细小,具有很好的化学配比,B原子与N原子的含量比为1:l.     

PIII技术制备c-BN硬化层

采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术(PIII)在渗硼后的50Mn钢试样上制备出了厚度为0.15~0.2mm的立方氮化硼(c-BN)表面硬化层。经X光电子能谱(XPS)和X光衍射分析(XRD),发现硬化层中的组织有立方氮化硼(c-BN)、六方氮化硼(h-BN)、B2O3、FeB和Fe2B。在表层60nm的深度范围内,c-BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦试验和维氏显微硬度试验分别对渗硼+PIII复合处理以及单独渗硼的50Mn钢试样的性能进行了对比试验。结果表明,与单独渗硼的试样相比,渗硼+PIII复合处理的试样具有高得多的硬度(高达Hv0.1N44GPa)和耐磨性。该项技术在电缆压模上进行了应用试验,获得了较好的应用效果。     

渗硼注氮复合处理表面硬化层研究

采用渗硼工艺和新型的等离子体源氮离子注入技术对Cr12MoV钢进行复合处理 ,获得了高硬度的表面硬化层。用XPS对硬化层进行相分析和性能试验 ,结果表明 :硬化层主要由立方氮化硼 (C BN)和FeB组成 ,硬化层具有很高的硬度和耐磨性     

射频磁控溅射制备硼碳氮薄膜

采用射频磁控溅射技术,用六角氮化硼和石墨为溅射靶,以氩气(Ar)和氮气(N2)为工作气体,在Si (100)衬底上制备出硼碳氮薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.结果表明,样品的组成原子之间实现了原子级化合,且薄膜为乱层石墨结构.样品中B、C、N的原子比近似为1:1:1.     

脉冲偏压下沉积的立方氮化硼膜的断面结构研究

采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统，在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼（c-BN）薄膜。用傅立叶变换红外谱（FTIR）分析沉积膜的相结构，用透射电镜（TEM）及高分辨率透射电镜（HRTEM）分析膜的断面结构。FTIR结果表明：c-BN的纯度强烈地受基片负偏压 的影响，当基片负偏压为155V，c-BN膜的纯度高达90%以上，TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明，在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六万氮化硼（h-BN）层，h-BN（0002）晶面垂直于基片段面，在界面层之上生长着单相c-BN层。