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分别选取纯金红石结构和金红石与锐钛矿混合结构的TiO2为钛源,通过传统固相法制备FeTiTaO6陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜等手段对比表征了2种钛源条件下合成FeTiTaO6的相结构和微观形貌,并测试了二者的介温谱。结果显示,以纯金红石TiO2为原料合成的FeTiTaO6陶瓷有明显的介电弛豫特性,而以含有锐钛矿的TiO2为原料合成的FeTiTaO6陶瓷没有介电峰出现。原因是由于在煅烧阶段不同晶型TiO2之间发生结构转变,使制得的陶瓷粉体反应活性不同,进而影响陶瓷烧结的热力学进程,并导致陶瓷的介电性能出现差异。 相似文献
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通过改变氧分压,利用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜;经XRD测试研究发现,通过调控氧压,可获得具有高(100)取向薄膜,且氧压对薄膜结晶性有很大影响,在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。经XRF分析表明,La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试,薄膜电阻率最小为2.03×10-4Ω.cm,表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明,薄膜晶粒为柱状晶,排列均匀致密,薄膜表面均匀,粗糙度较小,表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料。 相似文献
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利用低压氧化处理方法实现铜表面的超疏水改性 总被引:2,自引:1,他引:1
通过化学反应和低气压氧化两步法,在不用低表面能有机物修饰的情况下,在铜表面成功制备了一层超疏水薄膜,其表面的接触角可达到151°,滚动角小于10°。用扫描电镜、接触角测量仪、X射线衍射仪、能谱分析等技术对超疏水表面进行了表征和分析。X射线衍射结合能谱分析表明,铜表面的花状结构为氢氧化铜,底层为氧化铜和未分解的氢氧化铜的混合组织。扫描电镜对铜表面形貌观察显示,该表面存在微米-纳米尺度双层复合结构:上层为花状结构,底层为纳米片状结构。研究显示双层的微纳复合结构和表面花状结构的分布密度是形成超疏水的关键因素。 相似文献
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使用Cu Cr O2陶瓷靶材,利用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu-Cr-O薄膜,研究了退火温度对Cu-Cr-O薄膜结构及光电性能的影响。X射线衍射分析显示,退火温度为973 K时薄膜即已晶化并形成单相铜铁矿结构CuCrO2,随着退火温度的升高,薄膜结晶性逐渐提高。紫外-可见光谱与电学性能测量结果表明:薄膜可见光透过率随退火温度升高呈上升趋势,电导率则呈下降趋势,在973~1273K退火薄膜的可见光透过率最高为50%,电导率最高为0.12 S/cm。扫描电子显微镜照片显示,Cu-Cr-O薄膜电导率的下降主要与退火产生的微裂纹有关。 相似文献
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采用磁控溅射法制备的La0.85Sr0.15 MnO3(100nm;50nm;17nm)/TiO2(70nm)异质pn结表现出明显的整流特性,其中La0.85Sr0.5MnO3(100nm)/TiO2异质pn结所呈现的整流特性相对较好,同时发现该整流特性在很宽的测量温度范围(80~320K)内存在.通过拟合发现,所有样品都呈现很大的串联电阻,并且串联电阻对整流特性有很大的影响.变温电流电压特性曲线显示随着测量温度的降低,结电压增大,这可能是由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化.应该指出的是,La0.55Sr0.15MnO3/TiO1异质pn结结电阻随温度变化曲线显示出单层LSMO所特有的金属绝缘相变特性,并且在低温测量时,结电阻随着测量温度的降低而增大,这个变化趋势也同拟合后的串联电阻变化趋势相似. 相似文献