掺氮GaP晶片室温紫外光致荧光特性的研究

用紫外光致荧光法可以检测出ＧａＰ∶Ｎ液相外延晶片的室温ＰＬ谱和ＰＬＥ谱，同时还能观测到可引起绿色发光效率下降的Ｆｅ、Ｃｕ和Ｃｒ杂质沾污的荧光谱。本文介绍了ＧａＰ∶Ｎ晶片的ＰＬ特性的多峰结构及其与Ｎ和Ｎ－Ｎ对等电子中心激子复合发光的对应关系。     

LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜

报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技术对外延层的晶体质量、完整性和发光特性进行了分析。发现ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系统中保持适当的压应力有助于提高外延层的晶体完整性，减少非故意掺杂杂质的引入，能改善外延层的发光特性。     

AlGaInP红,橙,黄光高亮度LED外延材料

采用金属有机化合物汽相沉积技术生长用于高亮度发光管（ＵＢ－ＬＥＤ）的ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ半导体微结构材料，突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术，生长出满足于Ｃｄ级的红、橙、黄光ＬＥＤ器件的外延材料。     

GaP—LPE掺S浓度的控制及对发光效率的影响

报道了具有双ｎ型结构的ＧａＰ绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中，对硫９Ｓ）掺杂浓度的控制和监测方法，并研究了掺Ｓ浓度对发光效率的影响。     

Gap－LPE掺S浓度的控制及对发光效率的影响

报道了具有双ｎ型结构的ＧａＰ绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中，对硫（Ｓ）掺杂浓度的控制和监测方法，并研究了掺Ｓ浓度对发光效率的影响。     

GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成,结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用,形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层,对钝化表面退火,Ｐ－Ｓ键逐渐消失,而仅仅留下了Ｇａ－Ｓ键．Ｇｄ淀积到硫钝化退火的ＧａＰ表面,Ｐ的扩散被有效地阻止,而Ｓ仍保持在界面处,Ｇｄ与表面的元素态Ｐ和二聚体Ｇａ反应,形成金属Ｇａ向淀积的Ｇｄ金属层扩散,导致金属Ｇａ在表面偏析．     

SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱

在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确．     

GaP：（N）的背景光谱和发光尖峰

获得高分辨ＧａＰ（Ｎ）光致发光光谱，观察到等电子陷陆束缚激子发光中ＬＯ和ｌｏｃ多声子发射，其强度分布答合泊松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁，并进行了相应讨论，还观察到局域声子效应－－光谱相似定律和相当显著的背景光谱。     

生长在GaSb_xP_（1－x）（001）衬底上GaP的能带结构

采用半经验紧束缚近似方法对生长在ＧａＳｂｘＰ１－ｘ（００１）衬底上ＧａＰ的电子能带结构进行计算。ＧａＰ为间接能隙型的半导体，计算表明，当衬底中Ｓｂ组分ｘ≥０．５７时，应变的ＧａＰ薄层由间接能隙变成直接能隙的半导体。因应变，ＧａＰ原来简并的最低Ｘ点导带能级及价带顶（Γ点）能级发生分裂。随着Ｘ增大，分裂值变大。文中最后计算了价带能级到导带底跃迁的振子强度，对发光效率作了讨论。     

蓝色波段发光和激光二极管的新进展

文章在简要概述了几种适合制备短波长发光器件材料－ＳｉＣ，ＧａＮ和ＺｎＳｅ的晶体结构、掺杂性质及外延技术后，主要介绍了它们在制备蓝色波段发光和激光二极管的新进展。