透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺研究

透射式GaN阴极组件是GaN紫外日盲型探测器的最关键部件之一。介绍了制备透射式GaN阴极组件的工艺难点,主要报道了透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺的原理和研制过程,并着重分析了热压粘结工艺中出现的问题,同时提出了拟定的解决方案。     

PDP制作中的热压成型工艺研究

等离子体显示器与电路的连接是用热压连接带连接的,热压连接和屏是用各向异性导电膜采用热压成型技术进行连接。由于等离子体显示器引线宽度和间距小,电极线数量多,给热压引线带来了许多困难。本文叙述了各向异性导电膜结构和原理,以各向异性导电膜的选择原则作了概括性说明,同时对热压设备作了简介,最后对各向异性导电膜的热压工艺进行了较深入的研究,开发出了二次成型工艺,并成功地应用于21英寸等离子体显示器的研制中。     

厚铝芯片制造工艺的光刻对准效果改善

对于厚铝芯片的制造工艺,由于光刻对准标记上覆盖了厚的铝层,对准标记形貌轮廓会变得模糊,这会导致光刻对准出现困难,对偏的问题将变得常见。为了解决此问题,提出了多种改善方法,首先采用叠加标记法,通过将不同层次的对准标记进行叠加,增大了标记的台阶,对准标记的轮廓变得比原来清晰。其次是局部溅射法,通过夹具保护对准标记,确保标记不被厚铝覆盖,因此厚铝将不会对对准标记产生任何影响。最后是剥离工艺法,通过光刻胶保护对准标记,使之不被厚铝覆盖,因此,对准标记形貌将会保持清晰。这些方法在工艺和原理上是不同的,它们适用于不同的环境。通过这些方法,基本可以解决厚铝工艺中光刻对准困难的问题。     

基于多自由度激光堆积零件中心轴线的不等厚分层算法研究

在传统的激光堆积工艺中,支撑结构在堆积零件体上的应用,不仅对零件的表面粗糙度产生影响,同时也给后处理带来极大的难度和时间浪费的问题.本文提出不等厚分层技术是基于五轴数控机床的激光直接堆积,以几何模型的中心轴线为分层的指导方向,分层平面始终沿着几何物体中心轴线的生长方向进行,产生不等厚层.该技术克服零件体出现大倾角外轮廓、悬臂或封闭特征在堆积制造过程中使用支撑结构的问题,在系统条件允许的范围内最大可能得实现无支撑堆积.     

热压焊接工艺优化研究

热压焊接是连接柔性电路板和刚性电路板的一种焊接工艺,作为微电子表面组装技术领域的新兴制造工艺和重要组成部分,稳定和高效的热压焊接工艺无疑是保证产品良好品质的重要环节。通过统计分析热压焊接的主要失效模式,并从材料、工艺参数及设备进行实验比对和实验设计(DOE)找出各主要失效模式的影响因素及其之间的相互关系,确定最佳工艺参数。     

HMDL3000厚膜低通滤波器的研制

本文介绍了一种用厚膜混合集成工艺制造的有源低通滤波器的工作原理及制造工艺该低能滤波器的特点，幅频特性好，体积小，可靠性高。     

厚膜直接描绘工艺

直接描绘工艺是一种全新的厚膜成膜工艺技术。对直接描绘工艺与传统丝网漏印工艺的性能进行了比较。介绍了直接描绘的基本工作原理、主要工序及常见故障的排除等     

统计过程控制在成膜工序的应用

本文从厚膜混合集成电路生产线应用SPC技术的意义入手,结合SPC技术原理、厚膜成膜的工艺特点,论述了厚膜混合集成电路成膜工序实施SPC技术的方法。     

金丝球热压焊的金球设备

本文在叙述金丝球热压焊技术的原理和特点的基础上,给出了一种金丝球热压焊机用的金球形成装置,说明了这种装置的工作原理和设计方法。该装置已成功地用于国产的 JWYH-1型微型电路热压球焊机,也可以用来改造用氢气烧球的进口球焊机或装设在自制的半自动全自动的金丝球热压焊机中。     

热压工艺对塑料衬垫料永久性形变的影响

研究两种不同的STN—LCD边框科的最终厚度及其与热压工艺的关系。发现边框的最终厚度不仅决定于边框料的组分，而且受热压工艺的影响。边框厚度随热压时间的延长、热压温度的升高和热压压力的增大而减小。     

可热压氟化镁的制备工艺

揭示了将碱性碳酸镁转变为纯净可热压氟化镁的工艺过程。这样的氟化镁可用作热压红外透射光学块件。这工艺过程包括:使碱性碳酸镁悬浮液与CO_2接触,形成充分的二碳酸镁或碳酸镁水化物,在这过程中,悬浮液的微粒发生变化。通过在不稳定的二碳酸镁和碳酸镁微粒的水化物之间建立的平衡关系,使悬浮液的碳化作用增大颗粒的溶解度。当碳化时,悬浮液与稍微过量的HF反应,沉淀出细散的氟化镁颗粒。用NH_4OH中和过量的HF。这种沉淀的颗粒经烘干和焙烧后,就得到异常纯净和质量均匀的可热压的氟化镁粉末。已经制备了一种可热压的氟化镁粉末,在20℃时具有具体均匀的折射率n_D=1.3850。这种粉末的大多数微粒的平均直径大于5微米,不经研磨就可热压。     

激光薄膜技术交流会资料简介

1.用极值法直接控制不等厚膜系新添光学仪器厂采用了不同控制波长的极值法来实现单块玻璃控制不等厚膜系,实现了以极值法镀制分光膜,对分光膜的生产带来不少方便。本文所介绍的方法,也是一种非四分之一膜系的控制方法。(19页)     

制备工艺对0-3型压电复合材料的d33的影响

采用固化、热压、冷压工艺制备0-3型PZNN／PVDF压电复合材料，用准静态压电测试仪测试了压电复合材料的压电应变常数d33,通过对以上三种制备工艺的对比，结果表明：在无机和有机压电材料的体积比大于70％时，冷压工艺优于固化和热压工艺，在它们的体积比小于70％时，热压工艺优于冷压和固化工艺。     

厚铜板盲孔缺胶改善探讨

随着模块电源的不断开发与发展,厚铜印制板的生产越来越受到业界的关注和重视。由于表铜较厚,在钻孔/层压/蚀刻/阻焊等制程均有区别于普通PCB加工的工艺控制和难点,且随着布线密度的增加,厚铜板采用盲埋孔设计工艺的比例也越来越高,这进一步加大了工艺加工难度。文章就厚铜板盲孔缺胶问题展开了一系列分析和探讨,并通过工艺优化进行了有效改善,大大提高了生产品质及一次良品率。     

彩色PDP烧结工艺研究

分析了在PDP厚膜制备过程中，烧结工艺引起精密图形产生形变的基本原理，提出了一种工艺途径使基板形变量控制在20μm/m以内。解决了107cm彩色PDP精密对位的技术关键；同时介绍了山崎公司152cm彩色PDP烧结炉的构造及控制原理，给出了几个典型的厚膜烧结曲线。     

热压工艺对LCD边框厚度的影响

试验发现，LCD的最终边框厚度不仅决定于边框的组分，而且与热压工艺有关，它是随热压时间的延长、热压温度的升高和热压压力的增大而减小的。     

埋置元件印制电路板的实用化开发

所开发的埋置元件印制电路板技术SIMPACT^TM（System In Module using Passive and Active Component Sembedding Technology）课题之一是以降低成本,在热压工序开发出提高生产效率的工艺技术。具体的就是缩短热压时间及采用分多段压合的工艺,以增加处理量。对抽取的必要参数进行评价,确定标准化的生产工艺。结果是每单位时间内,一台热压机所处理的基板数量,比原来常规工艺处理量能提高18倍。 应用这一技术可以实现SIMPACT的低成本化,同时也在HD-PLC^TM（High Definition Power Line Communication）模块方面的应用进行了开发。     

全玻璃平板型夫实荧光光源的工艺探讨

提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（VFLS）管,与国际上传统的真空荧光光源管比较,新的器件在大面积碳场发射阴极,厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发,分析了该器件工作时管内发生的主要物理过程,详细介绍了研制VFLS管的制造工艺,并讨论了此工作目前存在的问题及前景。     

等离子清洗工艺在芯片键合前的应用

等离子清洗工艺是应用于当代半导体、薄膜/厚膜电路等行业在元件封装前、芯片键合前的二次精密清洗工艺,清洗效果影响最终产品的质量.国内现有等离子清洗工艺存在清洗不均匀问题,针对这一问题,简单介绍了等离子清洗设备的基本原理,分析并介绍等离子体清洗工艺在芯片键合前的应用,并针对封装行业中的沾污问题提出了可行的解决方法.     

Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5～34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。