交叉深沟槽硅外延的生长研究北大核心

随着先进半导体器件需求的不断提升,深沟槽硅外延已逐渐代替传统离子注入工艺成为器件开发的新方向,由于受晶向的影响,硅外延生长质量存在极大差异。通过<100>和<110>两种晶向硅片在交叉深沟槽中的外延生长,采用SEM和TEM分析了硅外延生长形貌和质量,运用TCAD模拟验证该结构下的外延生长机理,同时采用暗场扫描(DFI)和表面刻蚀方法检测硅片表面缺陷。结果表明硅晶向对交叉深沟槽外延的生长质量有重要影响,<100>硅片在交叉区域外延形成的{110}面和{111}面多,容易产生位错缺陷,而<110>硅片相比<100>硅片转向了45°,外延中形成的{110}面和{111}面减少了一半,从而外延质量改善明显。     

基于OpenPose的人体关键点提取及参数测量

<正>自动人体参数测量已经得到了广泛的应用，但现有方法普遍依靠统计经验及人体几何特征提取测量点，对测试者的体型差异适应性较差。针对这一问题，提出一种基于Open Pose的人体关键点提取及参数测量方法。首先将人体扫描系统得到的三维点云投影到冠状面和矢状面，然后使用Open Pose网络实现人体关键点的提取并求解其三维坐标，最后在关键点的指导下提取人体参数的测量点并计算出相应参数。     

基于数字图像相关的刚体面内微小转动测量及转动中心定位

基于刚体面内微小转动测量在实验力学测量中的必要性和重要性,开展了利用数字图像相关方法(DICM)定量测量转动角度和准确定位转动中心的研究。从理论上分析了刚体面内转动角度与面内位移分量之间的关系,运用计算机仿真散斑图进行数值模拟研究,得到的转动角度和转动中心位置测量误差都在2%以内,模拟结果验证了数字图像相关法进行刚体面内微小转动定量测量的可行性。运用数字图像相关法对刚体面内未知微小转动进行了实测,并与几何光学实验方法所得到的结果进行了比较,两者结果误差为3.1%,符合较好。实验结果表明数字图像相关方法可以作为定量测量刚体面内微小转动的有效方法。     

毫米波精密小型抛物面天线焦点散射变值辐向测量法

<正> 一、概述天线反射面的制造方法是多种多样的,因此测量的手段与方法亦是多种多样的。一般对于精度要求较低(均方根误差ε>1mm)的大型天线,可采用样板加塞片进行测量;对于精度要求较高(ε<1～0.2mm)的中型天线,可采用样板加靠表进行对比测量;而对于用数控车床加工、靠模法加工或抛物面     

关于电磁发射测试中带宽、扫描时间、扫频宽度及步长的探讨

在进行EMI测试时,用于电磁干扰(EMI)测量(符合GB/T6113.1-1995<无线电干扰和抗扰度测量设备规范>)的频谱分析仪和测量接收机的中频带宽、视频带宽、扫描时间(或扫描速率)、扫频宽度、步长等如何设置,将直接影响测量结果的准确性.     

基于闭式谐振腔的一体化介电常数测量系统

为替代矢量网络分析仪,形成一套专用于闭式谐振腔的测量系统,本文采用频谱分析仪模块和跟踪发生器模块,基于C++和VISA库函数进行系统控制,使两模块可以同步收发射频信号,实现闭式谐振腔谐振频率和Q值的测量功能,最终实现微波介质材料的介电常数的测量,形成一套一体化闭式谐振腔介电常数测量系统。该系统与矢量网络分析仪对比测量微波介质陶瓷材料K65,介电常数的相对误差为5.5×10^-3,tanδ的相对误差为-3.74×10^-2;对比测量材料K35,介电常数的相对误差为-1.69×10^-3,tanδ的相对误差为1.08×10^-1。测量结果相对误差较小,介电常数的相对误差小于0.01,tanδ的相对误差小于0.5,说明一体化介电常数测量系统的测量结果准确,可用于闭式谐振腔方法下的介电常数测量,也可推广用于其他介电常数测量系统。     

Hg_(1-x)Cd_xTe晶体质量与光伏型探测器特性的关系

定性地研究了晶体的透射比与光伏探测器探测率的关系、晶体的小角晶界对多元列阵器件电学串音的影响以及光敏面位于<111>面和<111>面所表现出来的性能差异和晶体中的Te沉淀使器件零偏压电阻R_0严重降低的现象,实验结果表明晶体的透射比可以作为选择材料的判据之一。     

基于面阵CCD的光电测量设备光学系统像面照度不均匀度测量系统

一直以来光电测量设备光学系统像面照度不均匀度检测都没有精确的测量设备和检测系统.介绍了光电测量设备光学系统像面照度不均匀度测量系统.该测量系统采用积分球作为均匀面光源,面阵CCD作为光电接受器.通过对CCD进行均匀性校正的方法实现了对光学系统像面照度不均匀度的定量评价,检测结果准确、可靠.     

基于S矩阵编码的短波红外高光谱成像验证及噪声分析

借助于称重测量原理的噪声抑制效果,提出了一种基于S矩阵狭缝阵列的短波红外光谱成像方法,通过构建S矩阵狭缝阵列替换光谱成像系统的单狭缝,实现空、谱信息的混叠测量。对该系统的探测器噪声和光子噪声进行了分析,计算了系统噪声抑制效果。仿真结果表明,该方法在弱光条件下可有效地降低噪声水平,提高成像质量。搭建了原理样机进行成像实验,对一均匀面目标成像,通过对比单狭缝成像数据,使用S矩阵狭缝阵列的光谱成像方法在23%和10%探测器势阱光强下信噪比分别提升了9%和21%。     

面向大型零部件的三维形面高精度测量方法

目前,辅助激光视觉测量法已广泛应用于大型零部件的三维形面测量。针对该方法在测量过程中普遍存在的轮廓边界信息获取不准确的问题,提出一种面向大型零部件的三维形面测量方法以获得精确的形面信息和轮廓边界信息。首先,根据光条图像序列采集特性,基于时间流的光条自适应定位方法实现了光条所在区域的实时定位;其次,提出了一种基于光条几何特征突变的边界提取方法,获取光条处的被测物边界行（列）坐标位置;然后,利用光条区域内快速提取的光条中心结果,确定准确的边界特征点坐标,并仅保留边界特征点以内的有效光条中心点;最后,对所提取的有效光条中心进行了三维重建,结合光条扫描实现了整个形面的三维快速测量。实验验证结果表明:该方法可实现被测物三维形面信息的高精度快速测量,同时获取精确的轮廓边界信息,其测量精度达到0.06 mm,且大大减小运算量,满足大型零部件的快速高精度测量要求。     

时域近场测试中的采样面截断误差分析与修正

采样面截断误差是影响近场测试结果的一个很重要的因素。本文结合频域近场测量中对采样面截断误差的分析结果,根据时域近场测量的时域近场特性,借助PSTD算法和PML技术,提出一种修正时域近场测量采样面截断误差的新方法,数值例子验证了方法的有效性。     

毫米波多模单脉冲喇叭馈源的分析与设计

对多模单脉冲喇叭馈源的理论和设计方法进行了研究。针对高次模的模比计算和控制难点,提供了一种准确的分析理论,给出了高次模的产生规律和模比的计算方法。在此基础上分析设计了一个毫米波多模单脉冲喇叭馈源并加工了实物,其实测结果表明,该馈源具有带宽宽（>5%）、驻波比小（<1.2）、和差矛盾小（<1.5 dB）、方位和俯仰面方向图对称性好的特点,与理论分析结果、仿真设计结果非常吻合,达到了预期的设计效果。     

基于数字散斑相关的封装热机械耦合效应测量

利用数字散斑相关方法(DSCM),对COB封装结构在热循环状态下的表面热机械耦合效应进行了测量.利用CCD摄像机采集封装芯片在不同温度场中的散斑图像,对比采集到的图像,获取封装芯片在温度场作用下的面内变形.根据三角法测量技术原理,将离面位移的测量转化为面内位移的测量,从而获得了芯片受热后的翘曲形变和弹性应变分布.将实验测量与有限元模拟以及理论计算的结果进行了对比,3种结果吻合得比较好,表明了实验方法的有效性和可行性.     

电子设计工程师认证实操实训基础系列讲座(10) 第五讲 简易数字电压表设计(上)

<正> 直流电压是最基本的电子测量之一,在数字化测量背景下,模拟数字转换(ADC)是数字电压测量最直接和有效的方法。本文的讨论目标就是通过实现一个简单的数字电压测量装置,学习8051单片机串行ADC的扩展方法及其典型应用,掌握SPI串行总线接口扩展的一般规则与使用方法。本文紧密结合EDP实验箱,     

判断晶振和陶瓷滤波器好坏的简便方法

<正> 有资料介绍,检查晶振或陶瓷滤波器时,用万用表欧姆档测量,如果测量结果为无穷大,则说明晶振或陶瓷滤波器是好的。笔者认为这种测量结果还不能说明晶振或陶瓷滤器是好是坏,因为即使晶振或陶瓷滤波器坏了,如果引脚在内部断了,测量结果也是无穷大。 晶振和陶瓷滤波器都是在压电材料两面涂上银层,再在银层上焊上电极引线作引脚,再经封装而制成的。这两种元件就像是一个小电容器,用测量小电容器的方法来判断晶振和陶瓷滤波器的好坏就比较可靠。具体的测量方法是:把万用表拨到10k挡,用两只NPN型三极管(如3DG6、     

Raman谱测量PECVD氮化硅/GaAs的应力

<正> 氮化硅薄膜广泛用于离子注入GaAs后退火的覆盖层及器件的钝化层。但由于氮化硅与GaAs热膨胀系数的差别会在氮化硅/GaAs界面存在较大应力。若氮化硅用作退火的覆盖层,这种应力会在GaAs衬底产生缺陷;若用作钝化层,则会引起GaAs MESFET栅的取向效应。因此,测量氮化硅/GaAs界面处的应力很有意义。过去人们常用的机械方法和光学方法仅能测量氮化硅薄膜的应力,而不能确定GaAs表面的应力。Raman谱方法可测量GaAs表面处的应力。本文报道了Raman谱测量氮化硅/GaAs表面应力的结果。     

基于非线性标准差模型的差分光学吸收光谱技术烟气浓度测量

采用差分光学吸收光 谱(DOAS)技术测量烟气时,需采用非线性补偿方法来提高测量精度。本文基于自行研制的DO AS技术烟气测量系统,对SO₂和NO标准气体进行了单一气体的建模实验,提出了利用 差分光学密度标准差和气体浓度之间关系的非线性模型预测烟气浓度的方法,并以此测量 了SO₂和NO单一组分及混合气体的浓度,将实验结果与传统最小二乘法的反演浓度进行 了对比。结果显示,测量单一气体时,得到的两种气体非线性模型的判定系数 R²分别为 0.999和0.999,SO₂的满量程误差为±0.7％,最大误差为 2.6%和2.8%,明显优于最小 二乘法反演最大误差－16.1%和－19.9%;测量混合气体时,最大误差 由传统方法的－24.6%和－28.1%减小至－4.8%和5.2%。结果表明,本文方法可提高烟气测量的准确度。     

基于偏振态空间调制的紧凑型偏振光谱仪

提出并实现了一种紧凑型偏振光谱仪,该仪器采用光谱仪阵列,使测量光谱范围覆盖可见光波段;采用部分平行光路设计,简化了测量配置和系统校准方法;运用入射面旋转效应,实现了偏振态的空间并行调制,减少了测量时间.对多组样品测量的结果证明了该紧凑型偏振光谱仪测量的准确性.由于测量速度快、结构简单且易于在线集成,该紧凑型偏振光谱仪作为一种实时在线测量工具极具潜力.     

用DLTS研究注氧硅中深中心缺陷

<正> 近年来,离子注入在半导体中产生的缺陷及其退火行为被广泛地研究,DLTS技术提供了一个高灵敏度测量低浓度深中心缺陷的方法本文用DLTS技术测量了注氧硅中缺陷的热退火和CW-CO_2激光退火行为.     

面内微位移测量的散斑相位涡旋相关方法研究

提出了用散斑相位涡旋相关方法测量面内微位移。 首先利用拉盖尔-高斯变换, 将光强灰度图的实值信号I(x,y)变为复光强信号(x,y),获得涡 旋分布矩阵;然后,以涡旋 核结构参数的偏心率e作为特征因子进行相关运算;最终实现面内微位移的测量。在相同计 算机配置下,对毛玻璃的面内位移进行了测量,结果显示,散斑相位涡旋相关法的平均计算 时间为35.4ms,传统数字散斑相关法(DSCM)的平均计 算时间为376.7ms,而两者的相对误差均小于5%,这与数值模拟结果 相符。实验结果与数值 模拟结果表明,散斑相位涡旋相关方法可准确测量面内微位移,与传统DSCM相比,在保持相 同测量精度的前提下,计算效率至少提高了1个数量级。