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本文研究了一种新型的硅光电探测器(即智能探测器),它使用CMOS兼容工艺,将光电二极管阵列与信号的放大、处理电路及输出电路集成在一个芯片上,在输入光信号的同时在输出端即可得到串行的电信号。该芯片具有噪声低,速度快,用途广泛等特点。对芯片的测试结果表明,智能探测器的电路设计和工艺设计均取得初步成功,基本达到预期的设计目标。 相似文献
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高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护,此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号,具有良好的性能。 相似文献
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随着专用集成芯片(ASIC)和系统芯片(SOC)的飞速发展,芯片内部生成可变频率的稳定时钟变得至关重要,设计一个高性能锁相环正是适应了这样的需求。本文在传统锁相环结构的基础上设计了一种高速、低功耗、低噪声的高性能嵌入式混合信号锁相环结构。它可以在片内产生多分组高频稳定时钟信号,从而为先进的专用集成芯片(ASIC)和系统芯片(SOC)的实现提供最基础且最重要的可应用时钟产生电路。模拟结果表明:该锁相环可稳定输出500 MHz时钟信号,稳定时间小于700ns,在1.8V电源下的功耗小于18mW,噪声小于180mV。 相似文献
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为了降低一款LDO芯片的输出噪声,对LDO的噪声特性进行分析,根据其噪声特点,提出了三种降低LDO输出噪声的方法,分别是改变LDO的电路结构,对带隙基准进行滤波,设计低噪声带隙基准。在综合考虑芯片的面积和功耗后,采用第三种方法对一款LDO芯片输出噪声进行优化,设计了一个低噪声带隙基准(Bandgap reference),在TSMC0.35μm工艺下仿真表明,10Hz到100kHz之间的集成输出噪声(Integrated output noise)从原来的808μV,降低到280μV。采用低噪声带隙基准可以有效的降低LDO芯片的输出噪声。 相似文献
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设计了基于ADS1247的铂电阻测温方案,将ADS1247输出的可编程恒定电流作为铂电阻激励源,并采用ADS1247集成的可编程放大器放大铂电阻的电压降,然后将放大器输出的信号进行24位模数转换。升降温通过BTS7960驱动芯片构成的半桥电路分别驱动加热片和制冷片。在控制策略上选用增量式数字PID算法,单片机ATmega128进行控制量计算,输出PWM信号控制驱动电路。电路结构简单,测量精度及稳定性好。软件上采用零点调准、查表和线性插值法进一步实现温度的精密测量。经长时间实验观测,测量误差在0.02℃内,系统温度控制精度优于0.1℃。 相似文献