天青Ⅰ敏化的红敏光致聚合物全息存储特性

为寻找一种新型的红敏光致聚合物,用干法处理制备了一种天青Ⅰ敏化的光致聚合物材料,并研究了它的全息存储特性.用He-Ne激光器632.8 nm波长的光对材料进行曝光,通过实验装置测量和相应的公式计算,得到材料的透过率、衍射效率、感光灵敏度以及折射率调制度,发现该材料最大衍射效率达到了66%,材料的最佳厚度为140μm,最大透过率接近80%,最大感光灵敏度为1.5×10-3cm2/mJ,最大折射率调制度为9.7×10-4,将模拟图像存入样品,得到的透射图像与衍射再现图像保真度较高,所有这些结果表明该光致聚合物适合用于高密度全息存储.     

四种光敏剂共敏化光致聚合物的全息性能研究

基于增宽光致聚合物存储材料的感光光谱范围,增大材料存储密度,制备了四种共同敏化的光致聚合物样品,该样品的最大衍射效率在632.8 nm,514.5 12m和448 nm三种波长下分别高达61%,47%和44%,曝光灵敏度分别为1.92×10-3,9.28×10-4和5.63×10-4,折射率调制度分别为4.7×10-4,3.34×10-4和2.93×10-4.将该敏化宽带增宽光致聚合物样品的曝光特性与各光敏剂敏化样品的作对比,发现其衍射效率、曝光灵敏度、折射率调制度等曝光性能有所降低;同时初步研究了不同厚度的共敏化宽带敏感光致聚合物在相同曝光光强下的性能变化,所得结果都为多波长复用及稀疏波长一角度复用提供了可靠的实验依据.     

基于丙烯酸胺基单体的光聚物的全息特性

用实验的方法研究了由丙烯酰胺和亚甲基双丙烯酰胺构成的光致聚合物（光聚物）的全息性能。实验表明，这种由藻红染料敏化的光聚物具有较高的衍射效率、折射率调制度、曝光灵敏度和动态范围，分辨率可达3000lines/mm，是高密度全息存储所需的比较理想的位相型存储材料。     

一种抗湿性丙烯酰胺基光致聚合物及全息特性

全息存储的应用在很大程度上取决于是否有合适的存储材料。光致聚合物作为一种体全息存储材料，具有高的感光灵敏度、高分辨率、高衍射效率及高信噪比，大的动态范围，可用完全干法处理及快速显影，最有可能成为数字全息存储的一次写入型材料。但这种材料受环境影响很大，特别是湿度的影响。在普通实验条件下，材料的可重复性差。当环境湿度过大时，膜极易吸水，致使衍射效率较低，甚至没有衍射效率。     

绿敏聚乙烯醇/丙烯酰胺体系光致聚合物的配方优化及全息存储特性

采用低分子量成膜剂、补充单体及多种光敏剂,开展了绿敏聚乙烯醇/丙烯酰胺体系光致聚合物的吸收光谱测试、染料浓度及膜层厚度优化研究,获得了高衍射效率及感光灵敏度的绿敏光致聚合物全息记录材料.实验仅需20 mJ/cm2的曝光量即可获得82%的衍射效率,最大衍射效率可达92%以上.测试了该材料的角度选择性,对应的布拉格选择角宽度约为0.57°;开展了角度复用和空间复用全息存储实验,获得了清晰明亮的全息存储样品.     

一种新型绿光敏感高密度全息光聚物的记录特性研究

报道了一种对绿光敏感的具有较高衍射效率 (～ 6 0 % )和折射率调制度的新型高密度全息存储光致聚合物(光聚物 )材料的全息特性 ,从实验上研究了材料衍射效率随曝光量、记录光强和记录光强分光比的变化规律 ,较详细地分析了过曝光对衍射效率的影响。指出了过曝光技术不利于提高信息存储的密度     

一种红敏光致聚合物全息特性的研究

为了研究以丙烯酸和N,N'-亚甲基双丙稀酰胺共同作为单体的厚约180μm的光致聚合物材料的全息特性,采用记录透射型衍射光栅和进行数字全息存储实验的方法,获得了较为理想的实验结果。结果表明,该光致聚合物材料呈现出较高的衍射效率(大于40%)及较高的灵敏度(约0.01cm2/mJ),且衍射效率达最大后趋于稳定,说明所制的样品均匀性很好,在其中所记录的衍射光栅处于较为稳定的状态,未出现过调制现象及明显的噪音光栅。根据该光致聚合物材料的布喇格偏移,得出样品厚度缩皱百分比约为1.7%;并在所制的样品内进行了数字全息存储,再现图像清晰,误码率约为5.3×10-4。说明该光致聚合物适合数字全息存储。     

非均匀膨胀与收缩下反射体全息光栅衍射特性分析

通过引入膨胀因子随光栅胶层厚度的变化函数来研究在非均匀膨胀和收缩情况下反射体全息光栅的衍射特性。根据Kamiya严格的分层计算方法,借用Lorentz-Lorenz公式,推导出了平均折射率和折射率调制度的解析表达式,据此考察了膨胀因子以定值、线性函数、非线性函数变化时光栅+1级衍射光的衍射特性,分析了平均折射率和折射率调制度在理想情况和衰减分布时对光栅角度和波长选择特性的影响程度。给出了胶层厚度及光栅周期与曝光和未曝光区域膨胀因子的函数关系,讨论了光栅衍射效率对膨胀因子变化的响应程度。结果表明,膨胀因子的非均匀分布令光栅衍射效率曲线出现非对称分布;相比于折射率调制度,光栅布拉格角度对平均折射率变化较为敏感;曝光与未曝光区域膨胀因子会影响衍射效率峰值、光栅角带宽和波带宽。该结论对反射体全息光栅曝光后水浴膨胀与脱水收缩等工艺具有理论指导意义。     

双波长敏感的非水溶性光致聚合物特性研究

制备了一种新型双波长敏感的非水溶性光致聚合物材料.采用复合光敏增感和复合引发的方法反复对比实验,得到了高衍射效率下较高的灵敏度.材料能同时对红光和蓝光敏感,用红光和蓝光分别对材料曝光,测得两者的最大衍射效率分别为76%和83%,对应的灵敏度分别为0.018 cm2/M和0.017 cm2/mJ.根据耦合波理论,计算出相应的最大折射率调制度分别为0.002 5和0.002 1,说明该材料具有超高密度全息存储的潜力.全息存储实验表明,再现图像清晰明亮,图像间无串扰,适合双波长复用全息存储.稳定性验证表明,全息图具有良好的稳定性和耐候性,因此该材料是一种比较理想的全息记录材料.     

表面起伏对体积相位全息光栅衍射效率的影响

从理论上分析了重铬酸盐明胶经过全息曝光制作而成的体积相位全息光栅产生表面起伏时光栅介质层介电常数的变化。严格分析了体积相位全息光栅有表面起伏时所形成的既有折射率调制，又有浮雕调制的复合型光栅的衍射特性，并编制程序进行了计算。为了证明程序的正确性，还用所编制的程序计算了一种已知衍射效率光栅的衍射效率。并得到了满意的结果。进而分析了表面起伏、光栅介质层厚度、折射率调制度对体积相位全息光栅衍射效率的影响，并且对它们所产生的影响进行了比较，得出了在获得较大＋1级透射率的情况下，表面起伏、光栅介质层厚度、折射率调制度的误差容限，这对体积相位全息光栅的制作有一定的指导意义。     

基于传输矩阵法的纵向啁啾体光栅衍射特性

为了研究纵向啁啾体光栅的光谱衍射特性,采用传输矩阵方法进行了分析,研究了光栅的厚度、折射率调制系数和啁啾波长范围对纵向啁啾体光栅中心衍射效率的影响。结果表明,随着光栅厚度的增加,中心衍射效率随之增大;随着光栅折射率调制系数的增大,中心衍射效率也随之逐渐增加;而随着啁啾波长范围的增大,纵向啁啾体光栅的中心衍射效率则逐渐减小。此研究结果对大尺寸啁啾体光栅的设计制作有一定的参考价值。     

溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化关系的影响,结果表明：(1)当溅射功率一定时,随溅射氩气气压的增加Ge2Sb2Te5薄膜的折射率先增大后减小,而消光系数先减小后增大.(2)当溅射氩气气压一定时,对于非晶态薄膜样品,在500nm波长以下,折射率随溅射功率的增加先增加后减小,消光系数则逐渐减小;在500nm以上,折射率随溅射功率的增加逐渐减少,消光系数先减小后增加.对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率随溅射功率的增加先减小后增加,消光系数则逐渐减少.(3)薄膜样品的光学常数都随波长的变化而变化,在长波长范围变化较大,短波长范围变化较小.探讨了影响Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的机理.     

银盐干板稀释显影折射率调制特性实验研究

通过银盐全息干板稀释显影方法，实验研究了干板胶层有效介质折射率的曝光量特性和折射率调制度与曝光量、参物比等参量之间的关系，分析讨论了体位相全息图的折射率调制机理，给出了稀释显影银盐干板有效介质折射率和折射率调制度的曝光特性曲线，指出了等参物光强比记录的全息光栅可以最大限度地利用干板胶层的折射率调制容限，解释了以往文献中难以解释的实验现象。     

光纤激光频谱组束的仿真研究

基于利用透射体布拉格光栅 准直透镜所设计的非相干组束方案,建立了光纤激光组束的理论模型.依据所建模型,对光栅的组束效果进行了分析.结果表明:最佳组束时,不同的光栅厚度须选择不同的光栅参数;随着光栅厚度的减小,满足最佳组束条件的空间频率和折射率调制将逐渐增大;在折射率调制和空间频率不变的情况下,随着光栅厚度的减小,角或谱的选择性逐渐增大;随着光束发散角和光谱宽度的增大,衍射效率逐渐减小.     

Rapid thermal annealing applied to the optimization of titanium oxide arc

In this work, rapid thermal annealing (RTA) in the 400–700°C range is used to adjust simultaneously the index and thickness of titanium oxide layers in order to achieve an antireflection coating (ARC) in industrial conditions (large solar cells with a high throughput capability). The technique used for high production rate and low cost coating process is the atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) at low temperature.Titanium oxide layers are obtained from the hydrolysis of two precursors, namely the tetraisopropoxide titanate (TPT) and the titanium tetrachloride. In the first case, on silicon substrates at 150°C, we have obtained refractive indices of 1.8–1.9 with layer thicknesses in the range 70–100 nm. In the second case, at 100°C, the refractive index is 2.1–2.2 as deposited and the thickness in the same range. After RTA lasting 120 s at 700°C, the refractive index is 2.25 and the thickness is decreased by 40% with the first precursor, while with chloride, the index increases until 2.4 and the thickness is decreased by 30%. These results are discussed by means of X-ray diffraction and SIMS analysis.     

Effect of the film thickness on the optical constants and dispersion parameters of chalcogenide Ge20Se70Ag10 thin film

Chalcogenide thin films of Ge₂₀Se₇₀Ag₁₀ of thicknesses 150, 300 and 450 nm are prepared by a thermal evaporation technique. The crystalline phases of the deposited film are identified by X-ray diffraction. The transmittance and reflectance of the films are measured in the wavelength range 200–2500 nm. The optical band gap decreases while the width of the localized states tail increases with increasing film thickness. Variation of refractive index and extinction coefficient with the film thickness is studied to analyze the optical efficiency of these films. Application of the single oscillator model to the films reveals that the oscillator energy decreases while the dispersion energy increases with increasing thickness. The variation of the optical constants suggests that the thickness change is a good choice to control the optical properties of Ge₂₀Se₇₀Ag₁₀ film.     

Effect of electron beam evaporation process parameters on infrared refractive index of Ge film

Ge films were prepared at different deposition temperatures and ion source bias voltage using the electron beam evaporation. The infrared refractive index was obtained by spectral inversion. Results show that the refractive index becomes larger as the deposition temperature increases. The maximum refractive index at the wavelength of 4 000 nm is 4.274 with the deposition temperatures of 210 °C. The refractive index of film decreases first and then increases as the bias voltage increases. When the ion source bias voltage is 120 V, the refractive index of the film is the smallest. The difference in extinction coefficient of Ge films prepared by different process parameters is small.     

反射型体光栅高效频谱组束仿真研究

文章建立了光纤激光频谱组束的体光栅参数优化模型。研究结果表明,随着体光栅空间频率和折射率调制量的增大,体光栅所允许的光束谱宽减小,光束发散角增大,得到空间频率和折射率调制量优化选择参数。文章还对所选取的体光栅参数进行频谱组束的效率进行了分析。研究表明,采用优化参数的体光栅的频谱组束效率可提高至95%以上。     

折射率相位调制型全息图的衍射

首先推出折射率相位调制型全息光栅的衍射方程,由此说明衍射效率主要取决于调制折射率,且各级衍射光的衍射效率不同是多种原因造成的。并指出体积光栅效应对透射全息衍射效率是有贡献的,讨论了影响散射物体全息衍射效率的问题,最后指出在一般情况下,调制折射率是一个很小的量,化学处理对它起着关键性的作用。