±5V高频四象限CMOS模拟乘法器

提出了一种新型四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器电路,其核心结构为线性化压控源耦对。基于ＭＯＳＩＳ２μｍｐ－阱ＣＭＯＳ工艺参数的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明：当电源电压为±５Ｖ,输入范围为±４Ｖ时,非线性误差小于０．９％,乘法运算误差小于１．０％;在±３Ｖ的人非线性误差小于０．４％,乘法运算误差小于０．７％;－３ｄＢ带宽一端为１３０ＭＨＺ,另一端为７２０ＭＨＺ;整个电路静态功耗为４．９０ｍＷ。     

真空开关多次重燃的模拟

本文介绍了真空开关合闸时电极触头弹跳所引起的多次重燃现象的模拟研究。用“Ｍａｙｅｒ”型电弧方程式模拟多次重燃的电流和电压，模拟结果与实验结果相吻合。     

从第41届ISSCC看模拟技术的发展

从第４１届ＩＳＳＣＣ看模拟技术的发展东立摘编现已举行了４１届的国际固体电路会议（ＩＳＳＣＣ），是展示集成电路各个领域最新研究成果的舞台。在今年２月１６日至１８日在美国旧金山举行的第４１届年会上，研究者们详细报告了自己的成果，数字方面有ＣＭＯＳ２５６Ｍ...     

全MOS管组成的模拟四象限CMOS乘法器

介绍建立于ＭＯＳ管平方特性，由２８个ＣＭＯＳ管组成的四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器。以Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制备的电路在电源电压１／３动态范围内，有最大线性误差小于２％的特性，乘法器带宽为６２ｋＨｚ，在±５Ｖ电源电压下，功耗为５ｍＷ，芯片面积为０．４７ｍｍ２。     

硅模拟集成电路

本文综述了国内外模拟集成电路的发展动态，叙述了国内模拟集成电路与国外的主要差距，针对国内的具体情况，提出了发展我国模拟集成电路的观点对策。     

一种通用型的目标数据仿真

给出了一种通用型的雷达目标模拟器 ,它能够方便直观的产生各种特征的三维目标轨迹 ,可实时离散出目标点迹 ,为雷达数据处理及精度分析提供数据来源。目标轨迹由一组特征点定义 ,修改方便 ,应用灵活     

一种基于亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器

讨论了基于ＭＯＳ晶体管亚阈值区特性的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性，给出的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明，对于电源电压为１．５Ｖ（或±１．５Ｖ），当输入电压范围限于±０．０８Ｖ时，非线性误差小于１％；－３ｄＢ带宽约为３４０ｋＨｚ，静态功耗小于１μＷ。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中，特别适于在神经网络系统中的应用。     

一种高压快速BiCMOS模拟开关的设计

本文详细介绍了一种高压快速ＢｉＣＭＯＳ模拟开关的电路设计原理及版图优化设计。在模拟开关的基准源和电平转换部分均采用ＢｉＣＭＯＳ设计技术，使得该模拟开关在较长沟道长度下也能实现５０ｎｓ以下的开关速度。同时通过对开关管版图的优化设计，使开关导通电阻小于５０Ω。     

电流补偿型CMOS四象限模拟乘法器

本文提出一种电流补偿型四象限模拟乘法器，该电路有两部分组成，第一部分是产生与输入电压Ｖｘ平方成正比的电流发生器。第二部分是迭式Ｇｉｌｂｅｒｔ单元。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明在±５Ｖ电源下，两路输入信号在±３Ｖ范围内，其输出非线性小于０．９％。     

电流反馈运算放大器电路与性能综述

电流反馈型运算放大器开拓了一种与双极互补工艺相结合的精巧电路拓扑结构，具有极佳的动态特性。该电路是８０年代末期模拟集成电路新进展的研究成果之一，有较高实用价值和一定理论价值。文章全面剖析了电流反馈运算放大器的拓扑结构特点和电路工作机理，综述了其性能特点、应用领域及相关研究课题。     

CM303双二选一模拟开关电路

本文主要介绍CM303双二选一模拟开关电路的基本结构,包括从电路的版图设计、工艺设计原则,以及采用埋层外延技术,本电路以实现消除闭锁现象为目的。给出了制造工艺条件对外延材料的选择关系,最后给出了电路的性能指标。     

触发引信碰撞模拟仿真研究

考核压电触发引信的工作性能，传统的方法是采用靶场实验的方法，这就要花费许多的人力和物力不说，还很难分析其具体的作用过程和故障原因，本文采用Ａｕｔｏｄｙｎ有限元计算分析程序对弹碰目标过程进行了模拟仿真，清楚地再现了弹头的受力，变形过程，获得了弹头中的压力，应力，速度等各种力学参数的分布和时程图，还可以计算出压电引信在不同速度、不同目标介质，不同结构尺寸和材料的弹头的情况碰目标的灵敏度和瞬发度。通过高     

SiC器件—物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ－ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ＾－１二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓ     

大型数据获取系统的模拟

本文简要地叙述了设计大型数据获取系统时进行计算机模拟的必要性，并以高能物理实验用的大型数据获取系统为例，介绍了模拟语言、模拟工具和模拟内容，说明了这种方法对设计数据获取系统所具有的普遍意义。     

MOS模拟平方器的应用研究

本文着重讨论了ＭＯＳ电路中由非对称源耦对组成的模拟平方器的各种应用，提出了一种新型的ＭＯＳ模拟乘法器，也探讨了模拟平方器在改善ＭＯＳ型对称源耦对线性输人范围和ＭＯＳ型Ｇｉｌｂｅｒｔ单元性能方面的应用．ＳＰＩＣＥ（模型ＬＥＶＥＬⅡ）模拟结果表明，这些电路原理正确，并且有很宽的输人范围和很高的运算精度．     

晶体滤波器计算机辅助设计——过程模拟技术

计算机辅助设计是现代晶体滤波器设计的重要手段。本文介绍了过程模拟的方法在晶体滤波器计算机辅助设计中的应用。