增加更多功能的传感器集成技术

电子学革命也许是数字的,而自然界是模拟的。自然界规律的表现形式,如温度、压力和光等,为电子系统提供了输入信号。由于电子技术还在继续广泛地深入到工业、军事和商业部门等领域,传感器在数字与模拟的联系方面也越来越显得重要。所以传感器技术很自然地转向集成电路技术,以增加新功能。集成传感器,或叫微传感器,越来越象一种集成电路,因为它增加了电子功能。有一个时期,美国传感器市场的全年产值接近十亿美元,并以每年15％的速度增长,而固体传感器占了整个市场的五分     

动态分频器技术

本文介绍了动态分频器的基本原理；详细叙述了动态分频器电路及其主要工艺技术；综述了国外动态分频器的发展动态。     

后摩尔时代新兴计算芯片进展

信息处理系统由于基础半导体技术遭遇“摩尔定律接近终结”和现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈,其发展受到严重挑战。为克服这些制约因素,一方面,集成电路开始沿着由技术内生动力和应用拉动的趋势,即“超越摩尔定律”和“超越CMOS”的方向,逐步发展,包括对单片3D系统和碳纳米管场效应晶体管芯片等新兴计算芯片技术的研究；另一方面,计算范式变革推动了以“神经形态计算”类脑芯片等构建的非冯·诺依曼架构的芯片迅速发展。本文从以上两个方面研究了后摩尔时代新计算芯片技术发展的脉络,分析了数字计算芯片、模拟计算芯片、神经形态计算芯片等新兴计算芯片技术的新进展。     

单片高压SOS/CMOS运算放大器

本文介绍了具有新型高压偏移栅SOS/MOS晶体管的单片高压运算放大器及其工作情况,工作电压为±100V(峰峰值为200V)。高压偏移栅SOS/MOS集成电路很适合应用于高压模拟电路。由于利用其固有全介质隔离法和抗闭锁性能,使得设计高压电路和设计低压电路一样容易。 本文提出的新型高压偏移栅SOS/CMOS晶体管在偏移栅区有一附加的中间电极,作为电压电平移动器。 当新型高压偏移栅SOS/MOS晶体管用作差分放大器的负载晶体管时,中极电极的输出可以直接加到下一个高压SOS/CMOS反相放大器的输入栅,因此可获得较小尺寸的芯片和较高的增益。单片高压SOS/CMOS运算放大器的芯片尺寸为1.6mm×1.6mm,工作电压为±100V。其开环增益为110dB(f<1kHz),可输出的电压为±100V(f<20kHz)和±20V(f<100kHz)。     

硅基异质集成技术发展趋势与进展

目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技术正处于芯片级集成向晶体管级集成的发展初期,已有关于晶体管级和亚晶体管级集成的报道。本文重点研究了单片三维集成电路(3D SoC)、太赫兹SiGe HBT器件、超高速光互连封装级系统(SiP)、单片集成电磁微系统等硅基异质集成技术前沿,展现了硅基异质集成技术的发展趋势,及其在军用和民用通信、智能传感技术发展中所具有的重要意义。     

国外硅双极分频器发展概况

本文综述了国外近十年来超高速分频器集成电路的发展概况。着重介绍了反馈分频方式的原理。并叙述了采用几种先进硅双极工艺(如SST、SICOS、BSA等)制作的反馈分频方式的分频器和主从D触发器方式的分频器。最后简单介绍了超高速分频器的应用情况。     

硅模拟集成电路

本文综述了国内外模拟集成电路的发展动态，叙述了国内模拟集成电路与国外的主要差距，针对国内的具体情况，提出了发展我国模拟集成电路的观点对策。     

国外双极超高频技术的进展

本文综述了八十年代末、九十年代初国外先进双极技术的发展动态。对外延基区双极技术,硼硅玻璃自对准双极技术等进行了详细的分析和叙述。     

国外模拟集成电路发展动态

综述了近年来国外模拟集成电路的发展趋势,介绍了国外模拟集成电路的市场情况以及模拟IC器件和工艺技术的发展动态,在产品动态方面,着重介绍了运放 A/D、D/A转换器的情况.