不同反射率双面太阳电池背面综合转换效率差异性研究

双面太阳电池是指硅片的正面和反面都可以接受光照并产生光生电压和电流的太阳电池,由于受到结构等各种因素的影响,目前还没有完善的测试方案用于双面太阳电池的完整测试。基于太阳能仿真环境PC1D,采用控制变量的方法来测定电池背面反射率对双面太阳电池综合转换效能的影响,研究了双面电池在不同背面受光条件下的测试结果,得出电池背面背景反射率增大时,双面太阳电池的综合转换效能的变化规律;确定了双面电池合理的测试条件,给出了双面电池科学的测试方案。结论对双面太阳电池的测试和应用具有重要意义。     

一种新型的光寻址电位传感器研究

依据光寻址电位传感器(LAPS)工作原理和光生载流子在硅片中扩散理论,提出了一种正面光照的LAPS新结构设计,在正面光照方式的测量池、插件式芯片和硅尖阵列芯片等方面具有创新性.新型LAPS的光电流信号比背面照射的提高了4倍;在检测标准缓冲溶液pH4.00、pH6.86、pH9.18的pH值时,线性相关系数0.9999,灵敏度为50.1mV/pH.重复检测pH9.18标准缓冲溶液四次的标准偏差和变异系数分别为0.57mV、0.048%.最后,分析讨论了三电极测量方法和新型LAPS结构特色、以及LAPS电解质电导对光电流的影响等.     

P型双面单晶硅太阳电池单元宽度的优化北大核心CSCD

在正面光照和背面光照两种条件下,利用半导体器件仿真软件分析了单元电池宽度对产业化P型双面单晶硅太阳电池电学性能的影响。为进一步提高双面太阳电池光电转换效率,对单元电池宽度进行了优化。仿真结果表明,在正、背面光照条件下,随着单元电池宽度的增大,双面电池短路电流密度均增大;当单元电池宽度较小时,正、背面短路电流密度增大较迅速。随着单元电池宽度的增大,正、背面开路电压均增大,而正、背面填充因子先增大后减小。当正、背面入射光强一定时,存在最优的单元电池宽度,使得双面太阳电池转换效率达到最大值。随着单元电池宽度的增大,正面和背面光电转换效率均先增大后减小,但正、背面光照条件下的最优单元宽度不同。当单元电池宽度一定时,存在最优的正、背面栅电极间距。     

长波长InGaAs扩散结PIN光电二极管正面入光结构的理论分析

本文指出,对扩散pn结的正面入光结构,突变结理论有一定局限性。由于p~+区内杂质浓度的分布,在扩散区中存在十分强的自建漂移场,因而光生载流子将在自建场的作用下漂移进pn结内。由于载流子的漂移速度V_d远大于扩散速度V_f,因此可制得性能优异的PIN光电二极管,制作工艺比背面入光结构简单。已制得光电响应时间低达80ps的正面入光PIN二极管。     

Ar~ 注入吸杂效应与剂量的关系

本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结果表明,Ar~ 的优化吸杂剂量在 7.5 ×10~(14)cm~(-2)及 7.5 ×10~(15)cm~(-2)左右.文中最后论及吸杂效果和剩余缺陷密度的关系.     

Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系

本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结果表明,Ar~+的优化吸杂剂量在 7.5 ×10~(14)cm~(-2)及 7.5 ×10~(15)cm~(-2)左右.文中最后论及吸杂效果和剩余缺陷密度的关系.     

近室温工作的红外光探测器 续

Ⅳ德拜效应器件 图16是德拜效应器件的几何结构,图中S_1和S_2分别是表面和背面的复合速率,r_1和r_2是表面和背面的反射率。光生载流子的扩散形成扩散光电压(德拜效应)。产生光电压要满足两个条件:光生载流子分布应是不均匀的,电子和空穴的扩散系数必须不等。通常,载流子浓度梯度由不均匀的光生载流子产生率和器件前后表面不同复合速率形成。德拜效应的电场阻碍迁移率高的电子,同时使空穴加速,这样电子流和空穴流相等。 在弱的光激励并假定半导体电中性的条件下,稳态德拜光电压可表示为     

长波长光纤通讯用的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN光电二极管

本文通过对正面光照型(由p~+-InGaAs层注入光子)和背面光照型(由n~+-InP层注入光子)两种结构的比较,讨论了高性能正面光照型InGaAs PIN光电二极管的设计原则和理论模型.重点分析了器件反向I-V特性、量子效率、脉冲响应时间等问题.所研制的器件性能如下:在工作偏置V_(op)=-5V时,暗电流密度J_D=2.5×10~(-6)A/cm~2;结电容C_j=0.7pF;量子效率η=85%(λ=1.3μm);脉冲响应时间△τ=100ps     

硅中金受主能级特性的低温动态光伏研究

本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受主能级在hv=0.63eV光照下的光离化截面σ_i=6×10~(18)cm~2,及其对自由空穴的俘获截面σ_p=4×10~(15)cm~2.     

碲镉汞光导探测器掺杂表面层特性

把掺杂层对HgCdTe光导探测器表面的影响视为掺杂层电活性载流子与基底材料电活性载流子之比的函数关系,作了理论研究。结论是:在较薄层正面和背面作适当掺杂,可能提高光导探测器的响应率。