一种新型肖特基整流管设计

在研究功率肖特基整流管的基础上,针对反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力的提高,采取加场限环的方法,设计并制造了一种新型结势垒肖特基整流管(Junction barrier Schottky rectifier,JBS)。通过从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行了全面设计。经测试,电参数水平正向电压VF：0.85-0.856V,反向电流IR：4-50.5uA,反向电压VR:307.5-465.2V,抗静电水平从低温退火的6-12KV提高到15KV,经高温直流老化后,可靠性电参数水平满足预期的设计要求。     

具有固定电压的VLDO

500mA VLDO（非常低压差稳压器）LT3021的输入电压为1．4～10V，输出电压为1．2V、1．5V和1．8V，在工作电流达500mA时，仍保持160mV的压降，静态电流为120μA，停机时电流低于3μA。用3．3μF的低ESR陶瓷输出电容器优化了稳定性和瞬态响应，其他特点包括0．05％的电压调节和0．2％的负载调节，内部保护电路包括电池反向保护、限流以及具迟滞和反向电流保护的热限制。     

元器件与组件

小封装高电流肖特基二极管 ZHCS400肖特基二极管以SOD323形式封装,正向电流400mA时正向压降425mV。该二极管的平均电 流为1A,脉冲电流为6.75A,功耗250mW。 反向电压30V时反向漏电流为15μA,反向电流200μA的击穿电压为40V。(10000只时单价0.14美元,接     

3300 V-10 A SiC肖特基二极管

利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226μA。测试同一晶圆上的pn二极管显示,设计的场限环结终端击穿电压可以达到4 000 V,达到仿真结果的95%。分析发现肖特基二极管的漏电流主要由肖特基接触的热场电子发射产生,有源区的肖特基接触线宽直接影响器件的正向电流密度和反向漏电流。设计合适的肖特基接触宽度是实现高性能器件的关键。     

3300 V-10 A SiC肖特基二极管北大核心CSCD

利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226μA。测试同一晶圆上的pn二极管显示,设计的场限环结终端击穿电压可以达到4 000 V,达到仿真结果的95%。分析发现肖特基二极管的漏电流主要由肖特基接触的热场电子发射产生,有源区的肖特基接触线宽直接影响器件的正向电流密度和反向漏电流。设计合适的肖特基接触宽度是实现高性能器件的关键。     

SiB800EDK：n通道功率MOSFET／肖特基二极管

Vishoy推出20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK,该器件采用1．6mm×1．6mm的热增强型Power-PAK SC-75封装。这款新型器件的推出,意味着Vishoy将其在100mA时具有0．32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1．5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。     

4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计

室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压达到2 230V,耐压值提高11%。反向电压为1 000V时,反向漏电流密度比普通结构降低90%,有效地降低了器件的漏电功耗。普通结构的开/关电流比为2.56×103(1~500V),而改进结构的开/关电流比为3.59×104(1~500V)。     

双高压肖特基整流器

日前，Vishay Intertechology，Inc．(VSH)宣布推出三款新型双高压肖特基整流器，这些整流器具有最高可达200V的反向电压、20A正向额定电流，最高可在175℃的温度下工作。出色的200V正向电压肖特基整流器足采用碳化硅技术以低成本工艺制造的，这些基于硅的新型器件旨在实现输出电压高达48V的交流／直流及直流／直流转换器的次级整流，以及续流和极性保护应用。     

300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备

为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上,使其反向击穿电压提高到了300 v以上,我们采用硅材料做为衬底,肖特基结区采用蜂房结构,终端采用两道场限环结构加一道切断环结构,所制备的肖特基二极管在正向电流10A时,正向压降仅为0.79 V;同时在施加300 V反向电压时,反向漏电流在5μA以下.     

LT1761系列LDC

LT1761系列低压差线性稳压器是凌力尔特公司的产品,是一种微功耗、低噪声、输出100mA的低压差线性稳压器（LDO）系列。该系列主要特点：噪声低,在10Hz～100kHz时为20μVrms;静态电流低：20μA;输入电压范围宽,从1．8V-20V;输出电流可达100mA;有关闭电源控制,在关闭状态时耗电小于0．1uA;输入、输出电压差低,在输出100mA时为300mV;有固定电压输出（1．2V、1．5V、1．8V、2V、2．5V、2．8V、3V、3．3V、5V）及输出可调（1．22V到20V）的品种供用户选择;     

电流源LT3092

LT3092是LINEAR公司推出的一种输出电流可设定的电流源IC。该电流源主要特点是：输出电压范围宽,从1．2V到40V：输出恒流可由两个电阻的比值确定,输出电流为O．5～200mA;内部10uA电流源精度为1％：输入、输出端无需电容器;有反向电压、反向电流保护;内部有输出电流限制及过热关闭保护：有三种封装供用户选择：8引脚3mm×3mmDFN、8引脚TSOT-23及3引脚SOT-223;     

Allegro推出低电压、双向直流电动机驱动器

Allegro推出全新低电压、双向直流电动机驱动器,其典型输入电压范围为30V～5．5V,而输出电流高达500mA。独特的全桥式输出整合源端线性操作,可确保电动机线圈的恒定电压供应。     

用于手机液晶显示器的高效率白色LED驱动IC

白色LED常被用作液晶显示屏的背照光光源使用。手机的液晶显示屏也都采用白色LED作为背照光光源。在使用时让白色LED流过20mA左右的正向电流，产生该正向电流的正向电压约为3．6V左右(差异较大．一般在3．0V～3．8V之间1。     

凌特低压降稳压器LTC3025

凌特公司（LinearTechnology)宣布推出具有低至0．9V的输入电压能力、300mA非常低压降稳压器(VLDO)LTC3025。它的压降很低，仅为45mV，却能提供高达300mA的输出电流。由于不断出现的手持应用都采用1．5V的主总线电压轨，并需要1．25V至0．5V的输出电压来驱动低电压微处理器和微控制器内核，     

稳压性能优良的升压转换器

两个8脚IC组成的稳压器电路可把锂电池的3V输出电压转换成5V,并提供高达100mA的负载电流(见附图).它不靠电感器和变压器工作,静态消耗电流仅为200μA.当输入电压V_(in)=3V时,如果带100mA负载,其效率为81%;如果带20mA负载,其效率为84%.它的效率能随V_(in)的降低而增加.比如,当V_(in)=2.7V(该电池在大部分工作寿命期间的负载输出电压)时,40mA负载电流的效率为90%.锂电池(Duracell公司2/3-A号电池DS123A)的输出电压用大电流充电泵IC1增加一倍.肖特基二极管D1用来保证该电路的启动.D1不会影响效率,因为在正常工作时负载电流不从中流过.IC2是线性稳压器,当负载电流     

采用ThinSOT封装的微功率升压变换器内置肖特基二极管和输出断接功能

凌特的LT3464是一种带集成肖特基二极管及输出断接晶体管的高效微功率升压变换器.LT3464利用一个电流限制及恒定关断时间开关拓扑和一个115mA(典型)内部开关电流来提供高达34V的输出电压.     

彩电新IC介绍：LT1615／LT1615—1微功率增强型DC／DC升压变换器

LT1615／LT1615—1是一款微功率增强型DC／DC(直流／直流)升压变换器，5个单元电路封装在一个微型片状SOT贴片器件内。LT1615芯片设计用于电流限制在350mA和输入电压在1．2～15V范围的高功率系统；LT1615—1芯片单个单元则用于电流限制在100mA和扩展输入电压在1—15V范围的低功率系统。LT1615／LT1615—1两种芯片装置，功能作用相似。两个装置无载状态下的静态电流均为20mA，关闭状态下的电流可低至0     

LT3050：线性稳压器

Linear推出高压、低噪声、低压差电压线性稳压器LT3050,该器件具有精确可编程电流限制和诊断功能。LT3050提供高达100mA的输出电流,在满负载时具340mY压差电压。LT3050具有2V至45V的宽输入电压范围,提供从0．6V至44．5V的可调输出电压。在REF／BYP引脚处的单个电容器提供可编程低噪声工作（在10Hz至100kHz的宽带宽上噪声仅为30pVRMS）和基准软启动功能,从而防止输出电压在接通时过冲。在整个线路电压、负载和温度范围内,输出电压容限是高度准确的±2％。     

凌特推出充电泵倍增器LTC3204

凌特(Linear)目前推出采用2mm×2mm DFN封装的充电泵倍增器LTC3204。该器件具有低噪声和恒定频率(1．2MHz)工作的特点，LTC3204-3．3可从1．8V的最小输入电压(2节AA碱性／镍氢电池)产生3．3V固定输出电压，而输出电流可高达50mA；LTC3204-5则可从2．7V的小输入电压（锂离子电池）产生5V固定输出，而输出电流高达150mA。     

AnalogicTech用于白光LED相机闪存的充电泵

凌特公司(Linear Technology)推出被认为是业界第一个VLDO(超低压降稳压器)的LT3020，其输入电压低至0．9V。LT3020具有150mV低压降，同时提供高达100mA的输出电流。其低VIN特性值得关注，因为很多新手持式产品