USB快闪存储器使用全接触

<正> 在移动存储市场中,有一种钢笔大小的USB移动存储器越来越引人注目,那就是USB快闪存储器。目前已经有很多厂家都投入到了USB快闪存储器的开发和生产中去,再加上Flash ROM芯片价格的下降,使得USB快闪存储器的售价一降再降,逐渐为消费者所接受。     

世界快闪存储器市场持续升温

市场态势世界快门存储器（flashmemory）市场发展迅猛,据美国著名Dataquest公司的最新预测,其市场规模将从1996年的263亿美元增至2000年的94．7亿美元,IDC预测2005年有望达130亿美元,WSTS最近预测,2003年可望接近168亿美元。快闪存储器在大多物理特性方面具有优势,包括耗电、坚固性、重量等好于硬盘机,阅读速度也快。但其写入速度不如磁性存储器。尽管快门存储器在使用寿命和速度方面存在不足,但随着应用增加,所占市场份额持续扩大,种种迹象表明,快门存储器将成为用户的首选产品。目前,快闪存储器在便携式数字产品市场上的…     

快闪存储器独显风采

美国著名市场调研公司ＩＤＣ认为，在各种存储器中今后增长速度最快的是快闪存储器，预计从１９９６年到２００１年的年均增长率为２２１％，而整体存储器的年均增长率不过１５８％。１９９６年快闪存储器市场规模达２６亿多美元，超过ｍａｓｋＲＯＭ（掩模只读存储器...     

分离栅式快闪存储器擦除性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,由于具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是在嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。随着闪存市场高集成度的发展需求,分离栅式快闪存储器的尺寸也在逐渐地缩小。从结构和工艺优化方面探讨在这一微缩过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的擦除效率。通过实验发现通过形成非对称性浮栅结构,优化浮栅到擦除栅侧的结构形貌,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的擦除性能。     

快闪存储器：容量提高,应用扩大

快闪存储器是非易失性存储器,其数据可擦除和重写,并且数据可全部擦除或部分擦除,由于是非易失性存储器,因此,即使停电时它仍能保留数据,故适于电池驱动设备使用。与硬驱和软驱不同,快闪存储器没有机械部件,因此是免维修器件,故对工业设备产生了吸引力。目前,工业设备用于编程的仅     

0.13微米快闪存储器切入市场

英特尔已经在市场销售采用0.13μm工艺技术制造出来的32兆位以及64兆位快闪存储器—“英特尔3VO1t Advanced+Boot Block快闪存储器”的样品。这一产品比较0.18μm工艺技术的产品其芯片尺寸缩小大约50％,特别适用于小型化而且低功耗诸如手机及其它相关电子产品。 手机需要大容量的快闪存储器,以实现互联网接续     

快闪器件研究

快闪存储器由于其所具有的非挥发电可编程和片擦除特性,在嵌入式应用中有望取代SRAM、DRAM以及磁性存储器,并愈来愈受到重视,产品的市场占有率稳步上升,近10年来发展迅速。随着嵌入式系统和移动设备的发展以及集成电路特征尺寸的进一步缩小,在现有基础上对嵌入式存储器又提出了新的要求,主要有两条:更低的工作电压和更快的擦写速度。为满足这些要求,国际上在快闪存储器单元结构和相应的工艺实现方法上开展了大量的工作。对快闪存储器结构方面的研究进行了综述,以利于国内同行对该领域及快闪存储器的机理和研究方向有一个较全面的了解。     

快闪存储器—存储器家族的新成员

磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我们研究了快闪存储单元及其工作原理，从中了解到快闪存储器的特性以及与便携式计算机比较的结果。     

快闪存储器──存储器家族的新成员

磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我们研究了快闪存储单元及其工作原理，从中了解到快闪存储器的特性以及与便携式计算机比较的结果。     

全球快闪存储器市场如火如荼

市场快速发展据世界半导体贸易统计协会(WSTS)报道,快闪存储器(包括EEPROM)近年发展一片火爆,佳景可期,2000年已突破百亿美元大关。预计1999～2003年的年均增长率高达43％,届时可达到193亿美元。Dataquest公司更为乐观,预测2001年为159亿美元。2002年到2005年间分别为209亿美元、255亿、314亿和379亿美元,1999～2005年间的年均增长率更高达70％之多(1999～2000年间所报销售值与WSTS基本相同）。今年快闪存储器销售值即可达到DRAM的40％,预期2005年有望超过DRAM,市场发展之快,规模之大,由此可见一斑。市场的驱动力主要有…     

多电平快闪存储器技术及其未来发展

多电平单元（MLC）快闪存储器是一种新兴的闪存技术,单元面积小,制造成本低,虽然MLC的多项指标都落后于单电平单元（SLC）快闪存储器,但是MLC在架构上取胜于SLC,很多厂商目前都对MLC做了很多的优化和开发,对于MLC传输速度和读写次数的问题已经有了相当多的解决方法,其多项性能逐步可以和SLC芯片相比拟,而且会节省相当多的成本。本文对多电平快闪存储器的单元结构、基本操作、可靠性问题及未来的发展作了详细介绍。     

快闪存储器全面登场

在目前存储器市场中,占绝对主导地位的是动态随机存取存储器(DRAM),但切断电源后其存储信息亦随之消失的缺点在很大程度上限制了它的应用和发展。为此,美、日、西欧、韩国等正努力寻找能克服DRAM缺点的新型存储器。美国Intel公司于80年代末90年代初率先推出的快闪存储器(FlashRAM)以其优异性能令商家耳目一新,在很多应用场合,它正逐年取代EPROM、EEP-ROM以及PC机的BIOS芯片,显示出美好的前景,尽管它也将因固有的不足而无望取代DRAM成为最终的存储器,但仍是极具希望成为与DRAM并驾齐驱的两大存储器之一。1.　市场需求看涨快…     

快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。     

快闪存储器市场：芝麻开花节节高

在目前存储器市场中,占绝对主导地位的是动态随机存取存储器(DRAM),但切断电源后其存储信息亦随之消失的缺点在很大程度上限制了它的应用和发展。为此,美、日、西欧、韩等国正努力寻找能克服DRAM缺点的新型传感器。美国Intel公司于80年代末90年代初率先推出的快闪存储器(FlashRAM)以其优异性能令商家耳目一新,在很多应用场合,它正逐年取代EPROM、EEPROM以及PC机的     

快闪存储器特性及应用现状

本文评述快闪存储器的特性、主要品种类型、应用开发现状，并与可编程只读存储器作了情况对比，表明其发展速度快，市场前景极好。     

分离栅式快闪存储器抗编程干扰性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,因其具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。但由于快闪存储器产品规则的阵列排列方式,高速的编程能力也带来了容易出现编程干扰的问题,成为了制约其实际应用的关键因素。从工艺优化方面探讨在编程过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的抗编程干扰性能。通过实验发现通过整合改进工艺流程中调节字线阈值电压的离子注入方式的方法,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的抗编程干扰性能。     

快闪存储器前景

在存储器领域中,80年代末期由美国Intel公司率先研制推出的快闪存储器(FlashRAM)以其优异性能令商家耳目一新,由此推动快闪存储器在移动通信、个人电脑及网络设备等领域获得广泛应用,现正逐年取代EPROM、EEPROM以及PC机的BIOS芯片,成为与DRAM     

闪速存储器 市场竞风流

闪速存储器自问世以来即成为众所关注的焦点.乐观者预言,它将成为从磁盘驱动器到EPROM(可擦可编程只读存储器)所有存储器的替代品;怀疑论者则告诫说,闪速技术将如昙花一现,与磁泡存储器同样薄命.从目前来看,两种观点都未成真,除了适当的应用领域之外,闪速存储器由于价格太高,尚未能把磁盘驱动器和EPROM拉下马,取而代之.另一方面,闪速存储器的要求爆发增长,以及厂商的大     

快闪存储器及其应用

本文评述存储器家庭新成员－快闪存储器的结构原理和特性，研制进展，编程擦除方法以及使用注意事项，提供了快闪存储器的多种应用途径。     

半导体业界的大赢家2000年存储器市场风云回顾

2000年,对半导体市场来说是激动人心的一年。据SIA（半导体行业协会）报道：全球半导体销售首次突破2000亿美元,达到2050亿美元,比1999年增长37．1％。其中,存储器市场秉承99年发展事态,以势如破竹之势获得迅猛发展,DRAM（动态读写存储器）、Flash（闪存）、SRAM（静态随机存取存储器）、EPROM（可擦除式可编程只读存储器）、EEPROM（电可擦处可编程只读存储器）市场都有不同程度的窜升,尤以Flash市场战绩最为显赫,在全球通信行业的发展热浪的推动下获得248％的增长率。二十一世纪的今天,让我们重温二十世纪最后一年存储器行业曾经的辉煌。