超高亮度LED的发展和应用

简要介绍超高亮度InGaAlP LED和InGaN LED在汽车指示灯、交通信号灯、大屏幕显示、液晶显示（LCD）的背光照明等中的应用情况。     

适用于可见光通信的LED器件

认为研究发光二极管(LED)器件调制特性以及在高速调制状态下的发光特性是提升新型可见光通信系统性能的关键问题之一,LED器件调制特性的提升可以显著拓展可见光通信系统的应用范围。基于LED器件的调频特性,通过分析发光器件和封装的结构及其他关键光电性能,提出建议:通过降低RC时间以及载流子自发辐射寿命,有效改善LED器件的响应速率,提高LED的调制带宽。     

用于液晶显示器背光的LED驱动电路设计

以液晶显示器(LCD)背光模组为应用背景,分析了发光二极管(LED)的发光特性,指出电流控制是LED亮度调节的最佳方式.为了获得较高的发光效率和调光效果,设计了一个三级结构的LED驱动调光电路.实验表明,利用所设计的LED驱动电路不但可以提高系统的功率因数,而且可以减小LED主波长以及色坐标的漂移,有效控制LED的辉度.     

LED数码管的结构,特性及应用

LED数码管是目前使用相当普遍的一种显示器件,它是将若干个LED组合成数字(或符号)的形状,再封装在一起构成的。因为“8”是十进制数中笔划最多的一个数字,所以要用七只LED管排列成“8”的形状,再按要求使数码管的某些笔段(即笔划)发光,就可以显示0～9这十个数字,如图1所示。本文介绍LED数码管的结构原理及性能特点,并列举应用实例,以帮助读者更好地了解掌握LED数码管的使用方法。一、结构及性能1.主要特性(1) 工作电压1.5～5V,一般为1.5～2.5V。工作电流5～10mA,高亮度管可在     

基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展

发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注.与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势.总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构.对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述.对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望.     

带有周期性微结构的InGaAlP量子阱发光二极管

在分析和研究圆盘型光学模式的基础上,本文提出并研制成功一种带有周期性环形沟槽结构的新型InGaAlP量子阱发光二极管.这种LED的制备工艺简单易行,效果明显.结果证实,与同样面积方形台面普通LED相比,这种LED的出光强度和效率都得到明显的增强和提高,为改进发光二极管的性能提供了一条新途径.     

InGaA1P超高亮LED性能及可靠性

InGaAlP超高亮LED是近年来发展的新型可见光LED,具有发光效率高,电流承受能力强及耐温性能好等特点,应用于各种户外显示与照明装置,本文汇集各厂家InGaAlP超高亮LED芯片,并制成器件,对其多种性能进行对比分析,测试超高亮LED的发光强度与电流的关系以研究饱和电流的大小,并进行电耐久性试验以考核超高亮LED芯片的可靠性,简要介绍了封装工艺设计对超高亮LED性能参数的影响,并提出了超高亮LED性能及可靠性的其它要求,为客户选用超高亮LED提供相对的依据。     

白色LED的开发和应用

固体光源白色发光二极管（LED）是第四代光源，将替代现在的白炽灯，荧光灯和高压气体放电灯。本文介绍了白色LED的发光机理、制造方法、结构和特性，还介绍了近年来开发的许多实用的LED照明系统及发展动向。随着白色LED的进一步开发和完善，白色LED将发展成为21世纪的高效节能光源。     

LED光源的电视应用

论文首先论述了光源发光原理和实用发光二极管(LED)光源的结构类型:然后,重点介绍了LED光源在家电领域:如液晶电视,显示器中的应用原理及过程:最后,对比总结了液晶电视和等离子电视在应用中的不同特点.     

LED背光源用于场序彩色LCD的研究

以红色LED材料AlGaInP，绿色和蓝色LED材料InGaN三芯合一的全彩LED为研究对象，通过大量实验及所测数据，研究用高密高位LED作场序彩色液晶显示器背光源，在不同情况下形成的彩色对人眼的视觉影响；研究在不同场频和不同占空比情况下，LED的发光特性曲线，确定白平衡情况下LED三基色的等量关系；研究LED三基色形成的白光光谱与三基色各光谱之间的关系；比较LED三基色与电视系统三基色在色度图上所覆盖的彩色范围，确定LED管子的选择方法及使用注意事项。     

LED流明效率的研讨

流明效率是否存在极限，LED流明效率与哪些因素有关，流明效率及其相关因素现在和未来的水平如何，投影显示对LED光源灯的期待，这些是本文研讨的主要内容。     

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。     

浅谈LED显示和应用产品的可靠性

本文简要讨论LED显示产品的可靠性的含义,提出应以显示屏系统的MTBF和LED光衰两个特征量来描述LED显示和应用产品的可靠性和寿命。厂家应提供各种规格的箱体的MTBF．这是计算系统MTBF的基础。     

图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响

近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用.通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底(PSSZ2)进行对比.结果表明,在20 mA工作电流下,PSSZ2的LED光通量为8.33 lm.采用类三角锥和盾形衬底的LED光通量分别为7.83 lm和7.67 lm,分别比PSSZ2衬底低6.00％和7.92％.对锥形形貌进行优化,采用高1.69 μm、直径2.62 μm、间距0.42 μm的锥形衬底(PSSZ3)的LED光通量为8.67 lm,比PSSZ2衬底高4.08％,优化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能.     

交流LED与高压LED的特性实验研究

高压LED和交流LED都是通过串联数十颗LED来增大整体导通电压,结构上高压LED是交流LED的一种特殊形式。介绍了高压LED和交流LED的驱动电路模型,其共同点是皆有一个限流电阻与光源串联。通过调整限流电阻的阻值和改变光源所含LED个数与连接形式,分别对高压LED和交流LED的输出特性进行了测量。在两种光源所含LED数量和工作电流均相同的情况下,高压LED的发光效率和光通量要高于交流LED;并联式高压LED的发光效率低于串联式高压LED的发光效率,光通量则相反;验证了交流LED的发光效率与限流电阻无关。     

一种新型LED发光矩阵测试系统

由于ＬＥＤ信息显示屏快速发展的需要，一种新颖的ＬＥＤ发光矩阵测试系统已研制成功。它采用微机技术和具有ＣＩＥ标准观察者曲线光谱响应的多通道光电检测系统。能测试各种ＬＥＤ发光矩阵每个发光元的发光强度，正向压降和反向电流。测试数据显示在计算机显示屏和存在计算机内存中。     

LED阵列发光特性仿真和对比分析

LED正逐步替代传统卤素光源应用于机场助航灯,跑道警戒灯作为防止飞机入侵跑道的重要助航灯,针对其发光特性要求,提出对环形和方形LED阵列中心照度和发光角度研究。首先给出单LED光源在目标平面中心照度和发光角度的计算方法。其次在满足均匀排布的前提下,构造上述两种阵列,利用Matlab仿真在不同目标距离下对应的中心照度、发光角度及光斑半径的变化规律,并采用最小二乘法进行曲线拟合。最后通过光学软件TracePro进行追迹模拟仿真。结果表明:随目标距离的增大,两种阵列中心照度逐渐减小,光斑半径和发光角度逐渐增大,当目标距离小于8m时,两种阵列发光特性存在差异,环形阵列的中心照度较大,方形阵列发光角度较大,随着目标距离的增大,两种阵列的发光特性逐渐趋于一致。以4C级机场为例,分析得出上述两种阵列对A型警戒灯均适用,B型警戒灯适于采用方形阵列。     

空间光强分布对LED发光强度测量的影响

文章从平均LED发光强度的定义出发,介绍了一种确定LED光度中心位置的方法,研究了空间光强分布对平均LED发光强度测量结果的影响,并分析了探测器接收的立体角范围内的配光特性与不同条件下平均LED发光强度测量结果相对误差之间的联系。     

白光LED荧光粉远场涂覆光学性质

研究了白光LED远场隔离封装中隔离距离对发光效率及相关色温(CCT)的影响。实验结果表明,低电流输入条件下,白光LED的发光效率随芯片表面到荧光粉层距离变化是非线性的,当芯片表面到荧光粉层距离为0.88mm时具有最佳发光效率74lm/W,白光LED相关色温随着距离的增加呈线性下降。这为白光LED的一次光学设计提供了实验依据。