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如要获得良好的波瓣和阻抗特性,就不能忽略小型阵列的中心缝与边缘缝互耦的差异。本文提出了一种理论,借助于这一理论,可以确定存在互耦的情况下,阵列中每个缝的长度和偏置量,以得到所需的口径分布和阻抗匹配。该理论推广了Stevenson的方法,并利用根据Babinet原理得出的修正的Booker关系式来处理矩形波导宽壁上的非谐振纵向并联缝问题。导出缝电压与模电压之间的一般关系式,然后得出有源自导纳和缝间互导纳的公式。由这些公式得出了一种设计方法。矩形波导上的串联斜缝和带线馈电缝也可用类似方法来处理。文中还把各种实验结果与理论值作了比较。对该理论的检验包括:零偏置缝的谐振长度,单个缝的谐振电导与偏置量以及谐振电导与频率的相依关系,以及两个交错缝的自导纳和互导纳。文中还介绍了一个2×4纵向并联缝阵列的设计和性能。 相似文献
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壁厚对矩形波导窄边斜缝导纳特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对于有厚壁的矩形波导窄边孤立斜缝等值并联导纳作了分析与计算。首先由Oliner的变分程序,导出了缝导纳的一般公式,然后将有厚度的缝等效为一段短波导,利用模式展开法,确定缝内的电磁场。当假设缝上等教磁流为余弦分布时,得到了简单的表达式。通过理论与实验的比较,说明了壁厚对缝导纳的影响。 相似文献
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本文应用变分法结合应用Babinet原理,导出波导宽边纵缝的等效导纳公式。这些公式可用于计算缝中心距短路板为四分之一波导波长和离短路板较远两种情况的等效导纳。通过分析计算结果,说明用通用归一化导纳曲线提供阵的设计的可能性。还给出实验结果与计算结果的比较。 相似文献
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提出了一种新的矩形波导缝隙阵列的单元形式-宽边偏置交叉缝,并采用全域正弦基Galerkin法对其散射特性和谐振特性进行了理论分析。数值结果表明,这种缝隙单元的散射作用与宽边偏置纵缝相似,二者均可以用等效传输线上的一个并联导纳来表示,但交叉缝的谐振长度比纵缝显著缩短,因而交叉缝阵列中单元间的互耦相对较弱,频带相对较宽。理论计算结果与实验测量数据的良好吻合验证了上述分析方法的准确性。 相似文献
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简述波导窄边45°斜缝辐射圆极化波的原理,并对窄边非谐振裂缝进行分析,给出计算45°斜缝的导纳的解析式,讨论导纳随频率、缝长的变化关系。 相似文献
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非对称单脊波导孤立缝导纳 总被引:1,自引:1,他引:0
本文建立了非对称单脊波导孤立缝谐振电导值的数学模型,给出了实例的理论计算结果和实验结果,两者比较有很好的一致性。本文还进一步用实验的方法研究了非对称单脊波导孤立缝导纳特性,这些数据对非对称单脊波导裂缝天线的设计有着重要的意义。 相似文献
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建立了非对称单脊波导孤立缝谐振电导值的数学模给出了实例的理论计算结果和实验结果,两者比较有很好的一致性,还进一步用实验的方法研究了非对称单脊波导弧立缝导纳特性,这些数据对非对称单脊波导裂缝天线的设计有关重要的意义。 相似文献
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辐射缝隙导纳和耦合缝隙阻抗的频率特性,是影响缝隙阵列天线驻波带宽的主要因素。以改善整个缝隙阵阻抗匹配频率特性为出发点,提出了一种展宽波导缝隙阵列天线驻波带宽的新方法,即选择合适的辐射缝隙的总导纳常数。仿真分析表明,改变后的缝隙阵列天线的驻波带宽有了较大改善,其与理论分析的结果是一致的。 相似文献
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中心倾斜馈电缝的设计是波导缝隙天线的最后设计环节,由于结构的特殊性精确计算具有一定难度,至今未见报道。文中采用矩量法完成了中心倾斜馈电缝的分析,其中两层矩形波导的交叉角度是任意的,分析中同时计入了波导壁厚的影响和短路面的高次模影响。通过与HFSS仿真结果比较说明文中方法是精确有效的且具有很高的计算效率。 相似文献
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介绍了基片集成波导缝隙天线的相关理论,以及宽边基片集成波导缝隙驻波阵的设计方法。首先,根据指标要求,利用HFSS电磁仿真软件来获取缝隙初始导纳参数;然后,使用Matlab软件进行数据拟合;最终,得到缝隙电导与缝隙偏置的数学函数。采用该方法设计了中心频率为15. 9 GHz 的4 元等幅同相的驻波直线阵,仿真得到在15. 8 GHz ~16 GHz 频段内驻波比小于1. 88。 相似文献
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等效导纳值是波导宽边纵缝天线的关键设计参数。为克服传统波导裂缝天线副瓣偏高、设计效率低下等问题,本文提出了一种单脊波导裂缝天线的改进设计方法,在传统波导裂缝阵列天线设计的基础上,利用等效导纳值对天线等效电路的影响,在裂缝单元下增加金属膜片,通过改变金属膜片的高度,优化裂缝等效导纳值,使得每个裂缝口径场分布更加接近于理论设计值,并在设计过程中使用牛顿迭代法提取导纳进一步缩短设计时间。通过设计实例表明:应用此方法设计单脊波导裂缝天线能够有效抑制副瓣电平,天线方位面副瓣电平可达到-30 dB 以下;在满足主要指标要求的前提下,设计效率显著提升。 相似文献
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The rectangular cavity or waveguide backed slot is covered by a plasma layer of finite thickness. The longitudinal variation of the voltage across the slot is obtained from the variational solution of an integral equation. The solution for plasma layer of finite thickness is obtained from the free space Green's function by the method of images. The fields outside the slot depend on the surface integral of the fields over the slot plane and over the surface of the plasma layer. If the thickness of the plasma layer is large compared with the wavelength, the fields on the surface of the plasma may be related to the voltage distribution along the slot by plane wave reflection coefficients. This leads to an integral equation that is reduced to a form suitable for machine computations. These calculations show the slot admittance to remain almost constant for plasma layers of various thicknessesh . The slot conductance tends to increase forh/ lambda <0.5 . The presence of a plasma layer affects the voltage distribution along the slot for a center excited slot. The field distribution along the waveguide excited slot differs only slightly from the principal mode field distribution in the guide. 相似文献