高分辨场发射俄歇电子探针研究纳米锗硅量子点结构的表面组分分布

纳米结构单体组分分布的研究对基础研究及应用探索具有非常重要的意义.应用高分辨场发射俄歇电子能谱和扫描电子束对在550℃和640℃生长温度下分别沉积在硅单晶衬底上的纳米锗硅量子点结构的形貌和表面组分分布进行观察,结果表明:表层分布元素不是纯锗、硅或均匀单一的锗硅合金,而是不均匀分布的锗硅混合物.纳米结构内,元素呈不均匀分布,锗元素富集在中心部位.640℃生长温度下的相同形貌的纳米点结构显示不同的元素分布性质.组分分布的巨大差异是由不同温度下硅向锗中不均匀偏析所致.     

高纯铝铸锭的铁、硅、铜含量控制

介绍了工业生产中对高纯铝铸锭铁、硅、铜含量的控制方法，包括配料计算、炉前成份调整、防止高纯铝成份污染的措施以及保证高纯铝铸锭铁、硅、铜含量控制的其他因素，把高纯铝铸锭的铁、硅、铜含量控制在小范围内波动，为生产高质量的高纯铝箔打下了良好的基础。     

过共晶铝硅合金耐磨性能的研究进展

过共晶铝硅合金是一种软基体上分布着硬质点的理想轻质耐磨结构材料.研究表明影响其耐磨性能的主要因素包括微观结构和工况条件,其中硅相的含量、形态、分布有非常大的影响.本文总结了过共晶铝硅合金的磨损机理和提高耐磨性能的工艺方法,并对其以后的研究和发展方向进行了展望.     

Pt Ir合金中微量硅的分光光度测定

1.引言 Pt Ir合金中微量硅的分光光度测定法未见有文献报道。硅的光度测定法多采用硅钼黄法及硅钼蓝法。作者对上述两法的试验研究结果表明,在用于铂铱合金分析时,大量铂(Ⅳ)的黄色及铱(Ⅳ)的棕色离子,严重影响硅钼黄法测硅,故选择硅钼蓝法有利于减小铂(Ⅳ)及铱(Ⅳ)的干扰,且硅钼蓝法的灵敏度也比硅钼黄法的灵敏度高。作者着重研究用还原剂还原铂(Ⅳ)及铱(Ⅳ)的方法,消除了基体铂、铱的干扰,可不经分离直接在铂及铱存在下测定硅。     

Solid State Reaction of Ir with SiC and Ir with Y2O3

研究了难熔金属铱与SiC及铱与Y2O3的固相反应,采用金属间化合物的标准生成吉布斯自由能等于标准形成焓的方法计算固相反应热力学,采用电子分布与晶体结构之间相关的Engel理论分析了铱与Y2O3的固相反应机制。结果表明,铱与SiC在1000℃开始反应生成Ir3Si和石墨,随着反应温度升高,Ir3Si与SiC进一步反应生成更高熔点的IrSi,当反应温度为1400℃时,固相反应产物为IrSi和石墨。在1800℃的还原性碳气氛下,铱与Y2O3能够发生固相反应生成Ir2Y和CO,Ir外围电子层失去电子形成d5sp2排布,Y外围电子层得到电子形成d3sp排布,成键电子数目由17个增加至21个,导致Ir-Y键能大于Y-O键能。     

金属Cu、Ag、Au原子间势函数的密度泛函理论研究

根据密度泛函理论(DFT)发展了直接计算得到原子间势函数的方法,计算了Cu、Ag、Au的原子间相互作用,讨论了密度泛函势(DFP)和相关文献中势函数的差别,比较了几种计算方法对结合能、空位形成能、平衡距离及力学性质的影响.DFP计算依据密度泛函理论,综合考虑了键角、键方向性、背景电势、电子云分布、键合力和系统总能量等特...     

氨基酸类铱(Ⅲ)配合物的合成、表征及对汞离子的识别

以4-(苯并[d]噻唑-2-基)-N,N-二甲基苯胺(1)、L-丝氨酸作为主配体和辅助配体,合成了一种新型环金属铱配合物(2),所有化合物的结构通过¹H NMR、MS和IR进行了表征确认。通过紫外吸收光谱和荧光发射光谱研究了铱配合物(2)的光物理性质,并采用含时密度泛函理论(TDDFT)对其最低能量电子跃迁和最低三重激发态进行了计算。而且铱配合物(2)的荧光发射光谱可选择性地被汞离子猝灭,暗示着此配合物可作为一种高效的turn-off型汞离子磷光传感器。     

用化学溶解法研究某超基性岩硫化铜镍矿中铑、铱的赋存状态

本文用化学溶解方法研究了某超基性岩硫化铜镍矿中铑、铱的赋存状态。提出了铑、铱的可能存在状态是:(1)铑—碲;(2)铑—金;(3)佬—依—铂等。其中,铑和金的关系已被电子探针分析数据所证实。     

铜阀门温、热挤工艺研究

介绍了用曲柄压力机进行铜阀门温、热挤技术和应用。叙述了加工铜阀门工艺流程、加工方法、工艺力计算、设备选择。     

C、Si、Mn、Cu对中锰球墨铸铁组织和性能的影响

应用湿砂铸型浇注中锰球墨铸铁,采用正交设计研究了C、Si、Mn、Cu对中锰球墨铸铁组织和力学性能的影响。结果表明,中锰球墨铸铁的铸态组织为奥氏体＋碳化物＋球状石墨,扫描照片中可见有大量细小均匀的韧窝。中碳、高硅、中锰和低铜有利于提高中锰球墨铸铁的硬度;低碳、高硅、中锰和中铜有利于提高其冲击韧度;低碳、中硅、低锰和低铜有利于提高其耐磨性。新开发的中锰球墨铸铁的硬度、冲击韧度和耐磨性远高于目前生产排沙潜水泵过流部件中所使用材料的各项性能,使用寿命是其2倍左右。     

单晶硅裂纹尖端的位错发射行为

利用透射电镜原位观察了单晶硅压痕裂纹尖端位错及位错偶沿滑移面的发射行为,考察了滑移面取向,外荷对发射位错及塑性区的影响,结果表明：在I型载荷作用下,滑移面与裂纹面夹角要影响从裂纹尖端发射的位错数量及塑性区,发射出的位错可沿最大切应力方向改变运动方向或交换滑移面运动,实验观察的位错宽度平均值为22．0nm,与Peierls位移框架模型计算的23．6nm相近。     

Evaluation of the Peierls stress for boundary dislocations

The Peierls stress for 1/6〈111〉 twinning dislocations and 1/2〈111〉 perfect dislocations in a bcc structure has been evaluated. The calculations have been performed using the Peierls-Nabarro formalism. The Peierls stresses have been determined from the migration energy of a twin boundary γ_tbm and the energy of an unstable stacking fault γ_us. The values of γ_tbm and γ_us have been calculated using a set of generalized many-body interatomic potentials. The potentials were defined so as to ensure different stability of the bcc structure relative to other structures. It has been shown that this approach provides realistic values of the Peierls stress. The values of the Peierls stress for 1/6〈111〉 twinning dislocations are very sensitive to the model parameters, unlike those for 1/2〈111〉 perfect dislocations.     

Pressure Dependence of the Peierls Stress in Aluminum

The effect of pressure applied normal to the {111} slip plane on the Peierls stress in Al is studied via atomistic simulations. Edge, screw, 30°, and 60° straight dislocations are created using the Volterra displacement fields for isotropic elasticity. For each dislocation character angle, the Peierls stress is calculated based on the change in the internal energy, which is an invariant measure of the dislocation driving force. It is found that the Peierls stress for dislocations under zero pressure is in general agreement with previous results. For screw and 60° dislocations, the Peierls stress versus pressure relationship has maximum values associated with stacking fault widths that are multiples of the Peierls period. For the edge dislocation, the Peierls stress decreases with increasing pressure from tension to compression. Compared with the Mendelev potential, the Peierls stress calculated from the Mishin potential is more sensitive to changes in pressure.     

12Ni3CrMoVA钢热激活塑性形变特征的研究

本文研究了12Ni3CrMoVA合金钢流变应力随温度及应变速率的变化规律,以及组织因素的影响,测算了该材料激活能及激活体积等热激活参数。根据P-N机制由螺型位错芯结构分析了bcc金属的塑性形变规津,该规律同试验结果吻合,说明有效应力与温度关系曲线中的拐点是由于Peierls势能呈双驼峰分布所致,相应的位错线激活态形状呈双扭折对分布。显微组织仅影响位错的长程障碍阻力,而对位错热激活运动没有影响。     

云锦扁金线的金层含金量测定

云锦妆花缎是云锦中的高端产品,其中的扁金线的金层含金量一直没有检测方法。采用王水溶解云锦扁金线,进行ICP-AES法测定主成分金,次成分银、铜,按照金在检测的所有主要金属元素总和的相对占比来计算含金量。方法精密度分别为金13.1%~16.5%;银2.69%~6.54%;铜5.58%~9.92%,加标回收率分别为金96.5%~98.0%、银97.4%~100.0%、铜90.4%~101%。     

空位缺陷对单层MoS_2电子结构的影响

为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构。计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成。通过与本征态Mo S2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层Mo S2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。     

Mesoscale modelling of the yield point properties of silicon crystals

The yield point properties that characterize silicon crystals in the temperature domain where Peierls forces govern the dislocation mobility have been investigated in easy glide conditions with the help of a three-dimensional mesoscopic simulation of dislocation dynamics. The influence of temperature, applied strain rate and initial dislocation microstructure, the latter consisting of a random initial distribution of dislocation sources, were examined in detail and globally found in fair agreement with the available experimental results. A critical examination of a well-known model by Alexander and Haasen has been performed, leading to a discussion and reformulation of the law accounting for the multiplication rate of dislocations. The present lack of knowledge on the mechanisms by which new dislocation sources are formed during the plastic deformation of silicon crystals is emphasized.     

金刚石/铜（银、碳化钛）界面性质的第一性原理计算

采用第一性原理计算的方法研究金刚石/铜、金刚石/银、金刚石/碳化钛3种界面的结构、电子结构和传热。结果表明:金刚石/碳化钛的界面结构最为稳定，界面间距（1.990 ?）最小，界面黏附功（5.578 J/m2）最大，结合强度最高。电子态密度、马利肯布居分析、差分电荷密度、径向分布函数的结果表明金刚石/碳化钛存在较多的电荷转移和较强键合作用。 声子态密度的计算结果表明金刚石/碳化钛的界面热阻较低。      

孪晶对多晶铜疲劳行为的影响

对含有高密度孪晶的多晶铜进行了塑性应变幅控制下的疲劳实验.结果表明,塑性应变幅小于8.14×10-4时,孪晶对 疲劳行为的影响不大;塑性应变幅大于8.14×10-4时,孪晶的约束作用、孪晶界与位错的反应及孪晶中位错的特殊组态,使多晶 铜的循环饱和应力提高,硬化曲线中应力饱和平台区延长.     

Intrinsic brittleness of Mo5SiB2 and alloying effect on ductility studied by first-principles calculations

The ordered intermetallic Mo₅SiB₂ displays a ceramic-like brittleness at the ambient temperature. The state density, charge distribution and elastic parameters were calculated by first-principles, based on the density functional method. The results indicated that the two different kinds of covalent bonds were intricately woven into the refractory phase. The improved Peierls–Nabarro stress which is caused by this kind of distribution mode makes dislocations move difficultly, resulting in intrinsic brittleness. The effects of substitutional alloying on the ductility of Mo₅SiB₂ were also assessed by the calculations on the elastic properties and dislocation line energy. It was shown that the metal (Nb, Tc) alloying was not to enhance effectively its toughness, but to improve the brittle-to-ductile transition temperature.