低噪声砷化镓金属-半导体场效应晶体管

用投影光刻法制出了在6千兆赫下最佳噪声系数为1.6分贝的砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)。推出了计算最佳噪声系数的公式,得到的计算值和测量值非常一致。引言:本简讯的目的是报导在6千兆赫下测得噪声系数为1.6分贝、可用增益为11分贝的 GaAsMESFET。这种器件,当调至4千兆赫时,最佳噪声系数为1.0分贝。这些噪声系数,现在仍是4千兆赫和6千兆赫下获得的最低值。     

中功率砷化镓场效应晶体管

据报导,美国无线电公司采用一层掺铬的高阻砷化镓外延缓冲层作为器件有源区与单晶衬底之间的本体生长衬底之间的隔离,制出了一种革新的中功率砷化镓场效应晶体管(肖特基场效应晶体管)。据称,一个单元的器件在9千兆赫下以1分贝增益压缩,得到了高达300毫瓦的输出功率,5.2分贝的线性增益以及30％的漏极效率。三个单元的器件,在4千兆赫下以1分贝的增益压缩,实现了665毫瓦的输出功率,8分贝的线性     

X 波段砷化镓场效应晶体管

做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3     

频段扩展较宽的砷化镓金属半导体埸效应管

以0.5微米栅长工艺为基础的砷化镓金属半导体场效应管的应用目前已高达18千兆赫。然而。系统的技术条件要求较低的噪声性能和(或)较高的工作频率。本文叙述制造0.3微米栅长器件所需的工艺及其直流特性、直至18千兆赫时的详细射频特性和直至30千兆赫的初步结果。在12、14和18千兆赫时,其噪声系数分别为1.2、1.5和2.1分贝,而相应的增益为12.5、11和9分贝。在28千兆赫时,达到的噪声系数为4.8分贝,而相应的增益为5分贝。研讨了冷却对器件噪声温度的影响。     

GaAs MESFET高速集成逻辑

本文对GaAs金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET’S)在高速开关及高速数字集成电路方面的应用的可能性进行了论证。栅长为1微米的GaAs MESFET的电流增益带宽乘积f_T等于15千兆赫。在大信号开关测试中,这种器件显示出15微微秒的内部时延。在半绝缘的GaAs衬底上单片集成由MESFET和肖特基二极管组成的简单逻辑电路。无负载时,这种逻辑电路的传播时延为60微微秒,而当其输出是3个逻辑门时,其传播时延则为105微微秒。测得有效带宽约为3千兆赫。     

InP电子转移放大器

英国普莱赛公司研制了低噪声 InP 反射型放大器,在15千兆赫下在1千兆赫带宽范围内,其增益为8分贝。器件结构为 n~÷-n-n~÷夹层结构,外延层厚度为2微米,掺杂浓度为10~(13)厘米~(-3),并具有集成热沉。当频率从12千兆赫变到18千兆赫时,将偏压调到最佳,可使噪声系数在8～9分贝间,其变化小于1分贝。发现噪声系数是外延层掺杂浓度的函数,对于10~(12)厘米~(-3)的载流子浓度,噪声系数渐近地趋近于7～8分贝。     

美华特生约翰逊公司研制的薄膜射頻信号处理器件

TO-8高功率输出放大器新型TO-8可级联的中等功率放大器样品PA10在高达1000兆赫频率时其输出功率一般为+24.5dbm,而PA12在高达1200兆赫频率时其输出功率为+24.5dbm。这种器件用作高电平混频器的本振激励放大器是特别合适的。 A39和A39-1 TO-8放大器复盖10～2000兆赫的频段,最小输出功率为+20dbm。这类器件的增益分别为6.7分贝和7.7分贝。每种器件在1db增益压缩点的典型输出功率为+22dbm。A39-1的噪声系数通常小于8.0db,而A-39的噪声系数低于10分贝。     

超低噪声直接式频率综合噐

概述本文对噪声及杂波极低的645A 型综合器采用的直接综合法作全面探讨。该仪器在50兆赫处的(赫取样点剩余相位噪声为L(1Hz)=-100分贝/赫,然后,L(fm)以每10倍频程12分贝降低到-137分贝/赫,的背景噪声。非谐波的杂波含量低于100分贝。频率程序控制转换时间小于20微秒。本文分3节:     

卫星地面站用的140兆赫声表面波滤波器

本文介绍中心频率(f_0)为140兆赫,三分贝带宽(△f_3dB)为27兆赫的声表面波带通滤波器的设计考虑。在设计中,采用分裂指,假指,多条耦合器和倾斜换能器技术,有效地抑制了主要的二阶效应,获得了低矩形系数,低波纹,低群延迟波动和高阻带抑制。 另外,还介绍该器件抑制二阶效应所采取的措施。最后给出了器件的实测结果和照片,并进行了讨论。     

2～18千兆赫中功率GaAs MESFET放大器的设计和性能

本文讨论了一种多级宽带GaAs FET放大器的设计和特性。该放大器在2～18千兆赫频率范围内具有12～20分贝的小信号增益。放大器的1分贝增益-压缩点为13分贝毫瓦,饱和功率输出超过16分贝毫瓦。讨论了使用的宽带匹配技术和折衷处理,还研究了器件参数及其与放大器性能的关系。     

跟踪雷达波形的综合与评价

本文旨在综合与评价信号模糊度函数能满足跟踪雷达工作所需的雷达波形。为实现脈冲压缩跟踪雷达的特殊功能,需要使压缩波形中邻近主瓣的距离旁瓣很低(约为-40分贝)。这样的性能即使在有多卜勒频移效应及波形编码中可能存在某些误差时也应保持。为解决此问题,采用了直接综合法,编码为离散相位型。采用这种综合法,可以获得许多不同的包括一定数量子脈冲的编码。因此,可实现收发“编码捷变”,从而达到改善电子抗干扰能力,通过扫描接扫描的积累并能减小所有距离旁瓣。将所得的波形特性与先前脈冲压缩系统的波形特性进行了比较,并考虑了外部(多卜勒频移)和内部的各种误差源,结果得出,针对跟踪雷达的典型应用,本文所提出的方法比以前的方法优越,尤其是对数字脈压系统更是如此。     

改进的肖特基势垒场效应微波硅晶体管

讨论了具有1微米栅的改进的硅(金属半导体场效应晶体管)MESFET,其最高振荡频率已达15千兆赫。以前 MESFET 的改善由降低栅金属化电阻的影响和减小栅压点的寄生来达到。现在,在7千兆赫下,最大可用增益 MAG 为5分贝,并且在6千兆赫下最佳噪声系数 F_0是5分贝。在约小于6千兆赫下器件有条件地不稳定。在3千兆赫下单向增益 U 为20分贝。研究表明,不是所有的寄生效应都已消除。如果源栅之间沟道的串联电阻可以减小,f_(max)将接近由本征晶体管所估计的数值35千兆赫。     

20微秒声表面波色散延迟线的设计和实验

考虑到声表面波衍射效应对器件性能的影响,选择衍射效应较小的YZ铌酸锂作基片,设计和制作了色散时间20微秒、带宽5兆赫、中心频率30兆赫的线性调频色散延迟线、主旁瓣比达到26—30分贝.本文叙述了设计和实验结果,并对实验结果进行了分析讨论.     

聚能叉指换能器波束压缩声表面波卷积器

本文叙述采用聚能叉指换能器和△V/V波导进行波束压缩以提高声功率密度,制作在YZ-LiNbO_3基片上的声表面波卷积器。在保持器件原有性能的条件下提高了卷积效率,实验测得卷积效率为-71—-72毫瓦分贝;动态范围为45—50分贝。这种卷积器可适用于大时-带积。     

声表面波脉冲压缩延迟线性能的提高

本文讨论了叉指式双色散声表面(SAW)脉冲压缩延迟线主要性能——压缩脉冲主副瓣比的提高;就中心频率60兆赫,色散时延6微秒器件进行了分析和性能予计,用互补法综合选择了压缩器件的加权方案,完成了器件设计。通过严格工艺控制,研制成功离性能 SAW 脉压线,其主副瓣比可达40dB。     

X波段GaAsFET

日本电气公司不久前报导了一种用于小信号放大和振荡的X波段GaAsFETNE24406。此种器件在8.5千兆赫下,噪声系数为2.7分贝;6千兆赫下,噪声系数为2分贝,4千兆赫下,1.5分贝。此器件系带状线封装。     

10千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管

本文报导在5厘米波段GaAsFET的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式曝光——金属剥离技术制作1微米栅条,采用挖槽法等,可以使GaAsFET性能进入3厘米波段,用ST31生陶瓷管壳封装的器件,在10千兆赫下噪声系数N_F=4.7分贝,同时增益G_(NF)=4.7分贝;或者N_F=5.8分贝,G_(NF)=7.0分贝。文章最后对如何进一步提高器件性能作了讨论。     

微波GaAsMESFET的功率和噪声性能达到新水平

在一月份举行的日本电子通信学会半导体、晶体管研究会上,日本电气中央研究所发表了微波GaAsMESFET的研究结果.功率器件在6千兆赫下输出达25瓦,增益3分贝;低噪声器件在4千兆赫下噪声系数为0.7分贝,在12千兆赫下为1.68分贝.该所用内部连接的器件已实现了在6千兆赫下输出15瓦,为进一步提高输出功率,由提高集成度、增加FET的单位栅宽,即栅条长度而获得成功.为设计在10伏偏压下输     

多条耦合器在带通滤波器设计中的应用

本文表明多条耦合器(MSC)应用在带通滤波器中能降低旁瓣、改善矩形系数.同时还论述了道尔夫一切比雪夫(DolPh-Chebyshev)函数作为窗口在带通滤波器设计中的应用.制作了用MSC耦合两个道尔夫-切比雪夫窗口加权变迹换能器组成的带通滤波器.对影响器件性能的几种二次效应及其抑制方法进行了初步讨论.用本文所述方法所获得的器件在不调谐时的性能为:f_0=30.1兆赫、△f/f_0=8%、插损ILmin=17分贝、3—40分贝矩形系数kD=1.48、通常波纹△b=0.4分贝(相邻峰)、旁瓣抑制≥48分贝.若要更进一步提高性能使其与按理想横向滤波器模型设计的性能一致,则要在设计和制作过程中对二次效应进行更精确的补偿和抑制.     

砷化镓多层外延及其在场效应晶体管上的应用

用三个料瓶的 Ga-AsCl_3-H_2外延系统,在掺铬 GaAs 半绝缘衬底上成功地连续生长了缓冲层(n~-)、有源层(n)的 GaAs 外延结构。缓冲层(n~-)的室温迁移率在6000厘米~2/伏·秒左右,有源层的室温迁移率在4500厘米~2/伏·秒左右。用这种结构的外延片制备的 GaAs 低噪声场效应晶体管,在6千兆赫下,噪声系数(N_F)可达2.7分贝,增益可达9分贝;在12千兆赫下,N_F 为3.68分贝,增益为4.8分贝;制备的功率器件,在6千兆赫下输出功率可达550毫瓦,增益4分贝左右。使用这种系统还试验生长了欧姆接触层(n~+)-有源层(n)-缓冲层(n~-)结构的外延材料,在器件制备上已初步看到 n~+-n-n~-结构比 n-n~-结构有更好的效果。