怎样构建以太音响ES（EtherSound）网络（上）

着重介绍以太音响ES(EcherSound)的一些基本概念、主要特性、以太音响模块间的相互关系、以太音响网络常用设备性能和以太网协议。同时也介绍一些法国Digigram公司使用的测试设备和以太音响设备的操作规程。     

通用以太音响设备的应用（六）音响管理器软件的运用

以太音响网络中常用的音响管理器（音响管理程序器）软件可以管理多区域（按英文字母顺序A—Z编排）音响装置。对于利用传统铺设的缆线或以太网络所构建的音响系统,安排播放列表,管理音频数据（库）,处理信号流程;并借助其遥控功能,通过传输控制／网际协议（TCP／IP）实现每个地方的音频管理,完成各项监控任务。     

怎样构建以太音响ES（EtherSound）网络（下）

着重介绍以太音响ES（EtherSoLma）的一些基本概念、主要特性、以太音响模块间的相互关系、以太音响网络常用设备的性能和以太网协议。同时也介绍一些法国Digigram公司使用的测试设备和以太音响设备的操作规程。     

音响基本文档节目优化机DP600

专业音响节目优化机DP600是一种创新的、使用灵活的音响管理系统,能提供世界一流的智能化音响基本文档的声音响度分析和响度校正,与当今使用的诸多广播专业音响、视频点播VOD媒介文档格式兼容,也是一套工作流程管理工具,可以进行编码、解码和自动译码的选择,在支持的文档格式中可使操作效率更高。     

如何连接HiQnet音响网络设备进行通讯

简要地介绍利用笔记本电脑、HiQnet London Architect软件在网络上构建各种音响网络系统的步骤,从而实现音响网络设备之间传输、控制、监测和存储。     

通用以太音响设备的应用（五）音频网络终端机NCX的灵活应用

音频网络终端机NCX广泛应用于各种共用的以太网络,采取数字音频方式传输,其处理音频功能超出一般的计算机。它可以安放在任何需要的地方,工作稳定。性能可靠,很适合多区域音频分配、音响需求以及音频归档管理。     

以太音响模块ES—Giga的传输技术特性

以太音响模块(EtherSound)ES-Giga是一种在标准以太网上传输的低时延、同步的、高通道数、双向音视频与数据的领先技术模块,他以灵活多样的设计与安排,为网络节点之间信息流通及各种音频/视频/控制设备的操作使用提供了极大的方便。     

通用以太音响设备的应用(一) 用于剧场或音乐厅巡回演出的实况转播

通用介绍的以太音响设备ESin8、ES8mic、ES8out、ES220、ES881、ES1241、ES16161等在剧场或音乐厅实况转播中的各种连接与使用,从而进一步了解以太音响网络的各种功能。     

通用以太音响设备的应用（一）用于剧场或音乐厅巡回演出的实况转播

通用介绍的以太音响设备ESin8、ES8mic、ES80ut、ES220、ES881、ES1241、ES16161等在剧场或音乐厅实况转播中的各种连接与使用，从而进一步了解以太音响网络的各种功能。     

国产功放的骄傲：飘韵1号

我不知道你是否同意Ｈｉｅｎｄ音响的魅力在于它们有十足的个性，如果每台功放与音箱都发出同样的声音，我相信也就不存在音响发烧乐趣了。正是因为各种音响名器具有非凡的个性，无法超越的音色，它们才能够在芸芸众生中留下自己的映象。我所以钟情晶体管机，因为它的音...     

通用以太音响设备的应用（二）：用于各种会议场合的寻呼系统

主要介绍运用以太音响设备ES8mic、以太音响声卡Mixart8ES、Lx6464ES建立不同场所的采集系统,其中包括议会大楼、各种会议中心。大学校园里的采集系统。进一步了解以太网络设备在以太网络中的应用。     

超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析

设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带(UWB)SiGe HBT低噪声放大器(LNA).因为摒弃了使用占片面积大的电感,所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本.在新型放大器的反馈支路中,使用了复合分布式电阻和隔直流电容,代替了传统的单一电阻.用这种方式设计的LNA,仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹...     

通用以太音响设备的应用（三）——用于各种圣殿教堂、审判厅、集散地等

文中介绍在教堂、审判厅、车站、广场等地利用以太音响信号的收集及传输，简化了整个教堂音响系统的传输，提高了系统运行的灵活性，提供了多功能的信号，方便了系统的扩展。     

网络用数字音频矩阵系统

简要地介绍美国电声（E）公司新开发的网络用的数字音频矩阵系统，这一系统可广泛应用于通过网络建立各种环境的音响扩声系统，在遥控智能一体化管理网（IRIS—Net）的任何网络节点上，都能将网络音响设备、部件组建成分布式、集中式或分布与集中式的网络结构。     

铁电负电容晶体管的研究进展

铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60 mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和器件尺寸进一步减小瓶颈的关键。自2008年低功耗负电容晶体管的概念被提出以来,该晶体管因简单的器件结构和优异的电路性能而一直受到业界学者的广泛关注。然而,这种基于具有负电容特性铁电材料的晶体管的缺点也日渐凸显,特别是负电容的不稳定性对该晶体管的应用造成严重阻碍。相比传统晶体管,负电容晶体管应用于低功耗电路具有两大优势:(1)亚阈值斜率可低于60 mV/dec,降低电路工作电压的同时开关电流比不会下降,静态泄露电流不增加;(2)器件尺寸更小,减小电路面积。然而,负电容晶体管由于铁电材料的滞回特性,在开关电路中具有严重的滞回现象,导致电路逻辑紊乱,无法正常工作。不仅如此,负电容成因的复杂性也使其建模非常困难。因此,近十年来除研究铁电材料种类和参数对器件性能的影响外,研究者们还整理出了决定滞回现象的关键因素,并提出了有效抑制滞回现象的方法。目前,通过调整铁电负电容和晶体管电容的比例,滞回窗口已经可以减小到近乎为零。而与实验图形较吻合的负电容数学模型直到2017年才出现,但模型中的数据还没有科学的测定方法,目前还处于发展完善阶段,仍需要大量的研究和探索。负电容晶体管制备过程简单,工艺和标准CMOS工艺兼容,基底MOSFET制作完成后,将具有负电容特性的铁电材料沉积在栅上形成叠栅。负电容晶体管制作的难点在于稳固铁电和氧化物界面、减少缺陷空位。目前,国内外已出现流片成功的负电容晶体管,成品测试的最小亚阈值斜率可达16 mV/dec,但滞回现象出现的概率非常大,并且在提高器件的疲劳性和稳定可靠性方面还需要投入更多的研究。使用频率较高的负电容材料有PbZrTiO3(PZT)、SrBi2Ta2O9(SBT)、P(VDF-TrFE)、铪基氧化物等,其中铪基氧化物因环保、体积小、性能优异被认为是可投入实际生产的铁电负电容材料。本文探讨了铁电负电容晶体管的工作原理,分析了负电容特性的物理机理和实验测试方法,给出国际上各研究机构在负电容晶体管(NCFET)方面的研究进展情况,最后分析了未来NCFET在器件结构、材料及可靠性方面的发展问题。     

碳纳米管/金属接触改善方法的研究进展

碳纳米管(CNT)由于其独特结构和优异特性已被广泛用来构筑各种纳米器件. 而CNT与电极间的接触在CNT器件中扮演着重要的作用, 是器件性能的关键影响因素. 采用何种有效的方法来改善CNT与金属电极间的接触一直是CNT器件研究中的一个重要方面. 本文综述了近年来CNT/金属接触改善方法的研究进展, 结合本课题组的研究对目前有代表性的接触改善方法进行介绍. 阐述了各种改善方法的原理和加工工艺, 讨论了采用这些方法获得的接触特性和器件性能, 并对各方法的特点进行了比较.     

自对准栅型谐振隧穿晶体管试制

针对谐振隧穿二极管(RTD)在通用电路应用中的局限性,提出并设计了自对准栅型谐振隧穿晶体管结构,进行了材料的分子束外延,采用传统湿法腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,初步研制出具有较明显栅控能力的谐振隧穿晶体管(RTT)单管,其峰值电流密度高达80.8 kA/cm2,峰谷电流比为3.6,负阻阻值在20Ω左右.研究还发现,器件的峰值电流随栅压增大而减小,谷值电流随栅压增大而增大,而且出现零点分离.这些现象与栅的纵向位置控制不当有关,可以通过减小栅间发射极宽度,缩短栅与势垒层距离,和减小发射层掺杂浓度得到改善.     

并五苯薄膜的AFM及XRD研究

报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构.     

300B胆机浅谈

从电子管到晶体管以至集成电路,勿庸置疑是科技的进步。然而,当我们回过头看一看以听觉艺术为目的的音响领域,却有一个奇特现象:似乎早应退出历史舞台的电子管功放竟没有被淘汰,在电子技术突飞猛进的今天又重新扮起重要角色。象越古韵就越有价值的小提琴一样,谁若是拥有一部300B电子管功放,就象收藏家珍藏着一把斯特     

动车组IGBT模块高效散热器设计

针对目前CRH2型高速动车机组变流器中所用的大功率IGBT模块，本文设计了4种动车组牵引变流器用高效散热器，通过应用FLUENT对设计的4种散热器模型进行CFD模拟,综合分析对比模拟结果,确定出cha－30×10为其中性能最优的散热器模型,对性能最优的模型进行二次优化，综合判定最优方案为160°折角散热器，并得到了散热器最高温度、最大热阻、压降和冷却液入口流量的关系。仿真结果表明:在入口质量流量为0.1kg/s 的工况下，cha－30×h0(160°)散热器最高温度比shun－20×10降低3K、最大热阻减小7.8％。