硫化压力对FeS2薄膜结构和光学性能的影响

通过磁控溅射法制备Ｆｅ膜,再在Ｓ气氛中用热硫化法使其转变成为多晶ＦｅＳ２薄膜,硫化压力分别为４０,、６０、８０和１００ｋＰａ,并研究了硫化压力对ＦｅＳ２薄膜的结构和光学性能的影响。研究发现,在８０ｋＰａ条件下,结晶状况达到最佳,光吸收系数较高,禁带宽度可达到０．９ｅＶ。     

硫化压力对FeS_2薄膜结构和光学性能的影响

通过磁控溅射法制备纯Ｆｅ膜,再在Ｓ气氛中用热硫化法使其转变成为多晶ＦｅＳ２薄膜,硫化压力分别为４０、６０、８０和１００ｋＰａ,并研究了硫化压力对ＦｅＳ２薄膜的结构和光学性能的影响．研究发现,在８０ｋＰａ条件下,结晶状况达到最佳,光吸收系数较高,禁带宽度可达到０．９ｅＶ．     

LaFeO3栅膜FET气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＦｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结构，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。     

脉冲电泳沉积制备电致变色WO3薄膜

采用正交设计法优化了脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的工艺参数,并通过分析薄膜的微观结构、透射光谱和循环伏安曲线等研究了最佳工艺条件下制备的WO3薄膜的电致变色性能.结果表明,脉冲电泳沉积制备WO3薄膜的最佳工艺参数为平均电流密度0.2×10-3A/cm2,沉积时间6 min,占空比75%,脉冲周期10 ms.最佳工艺条件下...     

NbN薄膜的反应磁控溅射沉积

ＮｂＮ具有较高的临界电流密度 ,较高的临界超导转变温度和良好的力学性能 ,在微电子 ,传感器 ,微机械 ,超导电子学和表面强化领域等方面有广阔的应用前景[1] 。ＮｂＮ薄膜具有高硬度 ,高耐磨性 ,耐腐蚀性[2 ] 和良好的热稳定性[3 ] ,使其成为一种重要的表面涂层材料。本文研究了氮分压对磁控反应溅射ＮｂＮ薄膜微结构和力学性能的影响。ＮｂＮ薄膜在ＳＰＣ 35 0多靶磁控溅射仪上制备 ,采用射频阴极 ,纯Ｎｂ(99 9% )靶作为Ｎｂ材料来源 ,溅射室背底真空为 5× 10 -4Ｐａ ,采用Ａｒ Ｎ2 混合气体进行反应沉积 ,其中Ａｒ分压为 0 3Ｐａ ,Ｎ2 …     

ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备

采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量表明不同条件下生成的薄膜中Ｎ与Ｂ的相对含量是不同的，最大比例近乎为１：１，薄膜的维氏显微硬度ＨＶ最大值为１５８０ｋｇ／ｍｍ２。     

氮化硅支撑层薄膜的PECVD法制备及性能研究

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))上成功制备了用于非致冷红外焦平面阵列微桥结构支撑层的氮化硅薄膜.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的微观结构和表面形貌;分别采用台阶仪、薄膜应力分布测试仪和快速退火炉等手段测试了薄膜的厚度均匀性,应力大小和耐温性能等参数.结果表明,制备氮化硅薄膜为非晶态,含有少量的氢,主要表现为Si-N键合;薄膜表面平整、致密,厚度不均匀性小于5%,具有107Pa的较低压应力,耐温性能较好.     

用化学热解沉积法制备硫化镉薄膜的微结构

在载玻片或ITO涂覆的玻璃上采用化学热解法沉积CdS固体薄膜,沉积温度在350-540℃之间,部分制备的CdS薄膜进行200-600℃的退火热处理,由SEM,AFMT和XRD分析测量退火热处理前后的CdS薄膜的微观结构,结果表明,沉积温度低于540℃以下制备的CdS薄膜具有类六方结构相当于540℃沉积的CdS薄膜的晶料尺寸依赖于沉积温度及不同基体的情况也在本文中进行了讨论。     

离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究

AlN薄膜作为绝缘层材料，在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜，采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究，得到了影响薄膜电绝缘性能的主要参数。研究结果表明，沉积过程中向IBED系统通入一定的氮气可有效提高薄膜的N／Al，使其接近化学计量比(从0．53：1到0．81：1)及电绝缘性能(击穿电场约为1．42MV／cm)。     

微米金刚石聚晶薄膜场发射点的研究

采用微波等离子化学气相沉积方法,以甲烷和氢气为反应气体,在镀有金属钛的陶瓷衬底上,制备了微米金刚石聚晶薄膜.利用扫描电镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱对薄膜的化学组成、微观结构和表面形貌进行了表征.用二级结构的场发射仪和扫描隧道显微镜研究了薄膜的场发射性能,结果表明微米金刚石聚晶薄膜发射点主要来源于聚晶颗粒.进一步研究了单个聚晶颗粒表面不同区域的发射性能,发现多种因素对场发射的性能有影响.