《微细加工技术》一九九二年 第1—4期目次汇编

题 目d“毒—h1.毒●。毒电子柬技术; 。≈●占I毒●甚●t●O对一台先进电子束曝光机制作掩模过程的分析热场致发射电子源曝光系统的技术现状和应用前景电子束曝光机吊装结构工作台的分析研究亚微米电子束曝光机数控电流源系统LaB。阴极在电子束曝光机中的应用研究。尊‘如“岳●如·毒离子束技术善 。et鹄●也●e●4●。关于离子注入中温升的探讨LY一3A型冷阴极离子源氩离子束辅助反应溅射沉积氧化锆薄膜的微观分析铌酸锂的反应离子刻蚀第四届离子源国际会议简介离子注入机的国内外现状离子注入模型薄膜加工用考夫曼离子源的几个问题离…     

场致发射体的近况简介

自人们发现场致发射现象以来,已经历了八十多个年头。六十年代以前,由于材料和工艺上的困难,这一物理现象未能真正付诸实际的应用。可是,它那室温工作、即时启动、高的电流密度、窄的电子初速分布等一系列独特的优点又一直吸引人们去研究它。六十年代中期,这种阴极成功地用于场致发射闪光X射线管(Fexitron)和场致发射电子束管(Febetro-n)。近年来,由于材料和工艺的进展,场致发射体又取得了一些可喜的结果。1980年欧洲真空器件会议、美国三军阴极会议以及国际电子器件会议上均有专门的评论。根据应用的目的不同,目前的研究工作主     

新的电子束投影曝光机

美帝休格公司制成新的电子束投影曝光机,可代替威斯汀豪斯公司1969年研制的电子束图象投影系统。在操作中,要在片子上曝光的集成电路图形置于移象管的光电阴极部位,采用普通的接触印制方法或电子束描扫方法均可。把涂复钯的光电阴极和片子(它作为阳极)放在真空中,使紫外线通过阴极(或掩模),电子便从钯涂层中发射出来。电子达到10000电子伏的     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

冷阴极技术及其在大功率真空电子器件中的应用

场致发射阴极作为重要的电子源之一,在真空电子器件的发展进程中扮演了重要的角色。在与固态器件的竞争中,真空电子器件朝大功率高频方向持续发展,场致发射阴极的应用使其在器件尺寸、可靠性、功耗和工作频率等方面具备了较大的改进空间。本文综述了近年来大电流场致发射阴极技术进展,特别介绍了碳纳米管场致发射阴极的发展。试验表明在直流测试条件下,该类型场致发射阴极发射电流密度已可达到A/cm2量级,且可以实现长寿命高稳定发射,未来在场致发射阴极微波放大器、自由电子激光器和新型中子源等方面将有广泛的应用前景。     

碳纳米管场致发射特性的研究进展

碳纳米管(CNT)具有优良的场致发射特性,是场致发射器件的理想阴极材料。本文介绍了几种碳纳米管阵列的制作方法以及研究碳纳米管场致发射特性的理论和实验进展。     

《微细加工技术》2002年第1～4期主要目次

题　　目　　　作者　　　　　期　 (页 )电子束技术电子束曝光的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟任黎明　陈宝钦　　 1　 (1)…………………………………………………电子束背散射在胶层中的能量沉积张玉林　尹　明　孙晓军　　 1　 (6 )……………………………………电子束缩小投影曝光机数字对准处理技术史　强　靳鹏云　张福安　　 1　 (10 )……………………………电子束和接触式曝光的混合曝光技术刘　明　陈宝钦　刘小伟等　 1　 (13)…………………………………ＺｒＯ/Ｗ肖特基发射阴极的研制戴　宏　潘尔达　陈尔纲等　 2　 (11)……………     

双等离子体离子源长寿命大束流阴极设计

引言 双等离子体离子源(简称双等源),其阴极寿命是人们普遍关心而迄今没有得到很好解决的一个重要问题。本文主要阐述过去采用钨材料作为发射体所存在的缺点和目前用LaB_6材料作为阴极发射体的尝试。从大量的国内外资料分析、论证来看,表明LaB_6应用在双等源上作为长寿命大束流阴极是切实可行的,其优点远远超过钨。采用LaB_6材料作为阴极发射体,热功率低,抗正离子的轰击能力强,有较高的电流发射密度,故寿命大大地延长,且能提高束的亮度,增大束流强度等等,在可拆卸的真空系统中是可靠的热电子发射体,这就为研究长寿命大束流双等源提供了切实可行的阴极。     

真空电子技术

O462 02040104向外发射同轴型虚阴极振荡器研究/邵浩,刘国治(西北核技术研究所) 物理学报。-2001,50(12)。-2387-2392在高功率微波源研究领域提出了一种新型虚阴极器件——向外发射同轴型虚阴极振荡器。对其相关束流特性进行了理论分析,得到了同轴空间径向传输空间电荷限制电流,以及虚阴极产生的条件和电子束运动的基     

相对论修正下的宽电子束聚焦的普遍理论

本文由曲线坐标系下的相对论修正普遍轨迹方程出发,考虑包含阴极物面的宽电子束聚焦的情况,推导了曲线坐标系下的主轨迹方程与曲近轴轨迹方程,研究了满足正交条件的近轴系统的特性。曲线坐标系下的细电子束聚焦问题以及非相对论修正的宽电子束聚焦问题均可视为本文的特例。     

扫描电子束曝光机复合物镜的研究与设计

在综合研究已有的各种复合物镜(如移动物镜、变轴物镜和摆动物镜等)的基础上,本文对复合物镜的一般理论进行了探讨,推导了普遍化计算公式,并提出新的复合物镜(弯曲物镜)系统。采用解析函数近似表示系统场分布,对弯曲物镜系统象差进行了理论分析,并设计出一个实际系统。数值计算结果给出该系统在55mm2扫描场内,束孔径角5mrad和能散2.5eV下,最大彗差0.005m,横向色差0.001m。     

DJ-2型可变矩形电子束曝光机电子光学设计

本文讨论可变矩形电子束曝光机的电子光学设计,着重分析光路构成和变形偏转补偿等问题。DJ-2型机使用最少的透镜数实现变形束曝光机的功能要求。为实现高速变形偏转,采用高灵敏度串接式平板静电偏转器,通过精确的线性补偿和旋转补偿,使靶上束斑电流密度和分辨率以及原点位置不受束斑尺寸改变的影响。实验结果表明,用发夹型钨丝阴极时的束流密度大于0.4A/cm2;22mm扫描场内边缘分辨率优于0.2m。     

ELECTRON OPTICS OF VARIABLE RECTANGULAR SHAPED BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM D J-2

The electron optical column for the variable rectangular-shaped beam lithographysystem DJ-2 is described,with emphasis on the analysis of the optical configuration and theshaping deflection compensation.In this column the variable spot shaping is performed with aminimum number of lenses by a more reasonable optical scheme.A high-sensitivity electrostaticshaping deflector with sequential parallel-plates is implemented for high-speed spot shaping.With a precise linear and rotational approach,the spot current density,the edge resolution aswell as the position of spot origin remain unchanged when the spot size varies.Experiments showthat the spot current density of over 0.4 A/cm~2 is obtained with a tungsten hairpin cathode,andthe edge resolution is better than 0.2μm within a 2×2 mm~2 field size.     

Calibration algorithms for an electron beam metrology system

This paper discusses the general deflection system calibration problem that occurs in electron beam lithography and metrology systems.These systems generally have an X, Y stage whose position can be measured, but not set to a high degree of accuracy.The calibration problem involves aligning the coordinate system associated with electron beam deflection system to that of the X, Y stage, and measuring the deflection system sensitivity.Current commercially available examples of these systems include the Cambridge Instruments EBMF-6 electron beam lithography system and the EBMT-5 electron beam metrology system.     

DESIGN AND PERFORMANCE OF SHAPING DEFLECTORS FOR VARIABLY SHAPED ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY

In order to obtain uniform exposure in variably shaped electron beam lithography,the beam current density and edge resolution on the target must not change for different spotshapes and sizes.The key to the goal is the appropriate design of shaping deflectors.A linearand rotation compensation approach is presented.Values of linear and rotation compensationfactors versus the distances between electron source image and centers of deflectors are measuredon an experimental electron beam column with variable spot shaping.The experimental resultsare in good agreement with the calculated ones.     

MULTIPOLE ELECTROSTATIC DEFLECTORS FOR OBTAINING UNIFORM DEFLECTION FIELD

The general field solutions are presented for two kinds of infinitely long multipoleelectrostatic deflectors.A method is given to obtain uniform field near the optical axis.We calculated sixforms of deflectors,the concerned formulas and data are given.The relationship and difference between twokinds of deflectors are analysed.     

变形电子束曝光机成形偏转器的设计和性能

在变形电子束曝光机中,为使曝光均匀必须保证靶上束斑电流密度物边缘分辨率不随束斑形状和尺寸的变化而改变。实现这一目标的关键是正确设计成形偏转器。本文讨论采用高灵敏度平行板偏转器实现成形偏转时,为达到上述目标应进行的线性补偿和旋转补偿的设计计算方法。给出了用实验方法改变电子源象与偏转板几何中心的轴向距离所测得的线性补偿因子和旋转补偿因子的值。实验结果与计算值符合较好。     

计算强流电子枪特性的SLAC后处理程序

介绍了ＳＬＡＣ后处理程序的基本结构与功能，并给出了用该软件绘制的部分电子注分析结果。     

Optical image formation using surface relief micrographic picture elements

The fabrication of a portrait type image comprised of an array of surface relief micrographic elements has been demonstrated using electron beam lithography. The entire image consisted of an array of micrographic elements or pixels (30 × 30 μm), each containing a specific arrangement of text or graphical features. In this paper, we report on the use of a simple two element palette which corresponded to either graphic or text-based elements. These two elements have generated different levels of diffuse scattering of the incident light, thereby representing an image based on differential diffuse scattering. The macroscopic portrait image was constructed by the mapping the two micrographic elements into the corresponding positions of binary dithered pixels in the input image.