Fe84Zr7B9薄带中的巨磁阻抗效应

详细研究了Ｆｅ８４Ｚｒ７Ｂ９薄带中的巨磁阻抗效应。研究了退火工艺对巨磁阻抗效应的影响。发现６００℃退火２０ｍｉｎ的Ｆｅ８４Ｚｒ７Ｂ９薄带在１．５ＭＨｚ下的（Ｚｍａｘ（Ｈ）－Ｚ（５２００Ａ／ｍ）／Ｚ（５２００Ａ／ｍ）达到１５２％。同时我们还测量磁导率随磁场的变化关系,研究了不同退火工艺下材料的磁导率,发现材料磁导率值与巨磁阻效应的大小紧密相关。     

热处理对F79.5P12C6Cu0.5Mo0.5Si1.5软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

研究了不同温度热处理对Ｆｅ７９．５Ｐ１２Ｃ６Ｃｕ０．５Ｍｏ０．５Ｓｉ１．５的巨磁阻抗的影响，发现ＧＭＩ不仅与磁导率有关，而且也受到磁各向异性的作用。     

热处理对Fe_(79.5)P_(12)C_6Cu_(0.5)Mo_(0.5)Si_(1.5)软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应(GMI)的影响

研究了不同温度热处理对Ｆｅ７９．５Ｐ１２Ｃ６Ｃｕ０．５Ｍｏ０．５Ｓｉ１．５的巨磁阻抗的影响，发现ＧＭＩ不仅与磁导率有关，而且也受到磁各向异性的作用。     

玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应(英文)

本文讨论了长度对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响.通过测量不同频率下(0.1～1MHz)以及不同长度样品的巨磁阻抗效应,结果表明,长度对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应有显著影响.通过计算样品的环向磁导率,发现样品的磁畴结构和饱和磁化后的退磁场影响着环向磁导率变化大小.没有加入恒定磁场时,特殊的磁畴结构决定了不同长度样品的环向磁导率近似相等.饱和磁化后,较长的样品的环向磁导率较小,其环向磁导率的变化较大,从而导致相应的巨磁阻抗效应增强.     

横向巨磁阻抗效应中磁导率张量的理论研究

建立了比较完善的二维铁磁体在横向巨磁阻抗（GMI）效应中的磁化模型，采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法，同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响，推导出比较完善的用于二维铁磁体横向巨磁阻抗效应理论研究的磁导率张量的表达式。     

Co—Fe—Si—B非晶丝的巨磁阻抗效应研究

用旋转水中纺丝法制成几种不同直径的（Ｃｏ０．９４Ｆｅ０．０６）７２．５Ｓｉ１２．５Ｂ１５非晶丝,对丝进行张力退火后,测试了非晶丝热处理前后的磁阻抗性能。结果表明制成的非晶丝具有明显的巨磁阻抗效应,且巨磁阻抗效应随电流频率不同而表现出正磁阻抗和负磁阻抗两种规律。张力退火对正磁阻抗效应有明显改善,而且对直径小的试样,阻抗对轴向外磁场变化的灵敏度更高。实验得到的最大灵敏度为１２４％／Ｏｅ。     

FeZrBCu射频溅射薄膜磁导率和巨磁阻抗效应的研究

采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了（Fe0.88Zr0.07B0.05）97Cu3薄膜样品。X射线衍射结果表明，未经任何后期处理的沉积态薄膜为非晶态结构。在5kHz～13MHz频率范围内，着重研究了沉积态样品的有效磁导率和巨磁阻抗（GMI）效应的变化特性。研究结果表明，样品具有极好的软磁性能和GMI效应，其矫顽力仅为58A／m，饱和磁化强度约为1．15×106A／m，在13MHz的频率下最大巨磁阻抗比达到17％。并发现有效磁导率比随外磁场的变化，在各向异性场仇。0．4kA／m处出现了峰值，GMI效应也在此磁场的位置处出现峰值。这表明GMI效应与磁场诱导的有效磁导率的变化紧密关联。     

横向巨磁阻抗效应中磁导率张量的理论研究

建立了比较完善的二维铁磁体在横向巨磁阻抗 (GMI)效应中的磁化模型 ,采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法 ,同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响 ,推导出比较完善的用于二维铁磁体横向巨磁阻抗效应理论研究的磁导率张量的表达式。     

薄膜高频磁阻抗效应及其应用

本文介绍了Ｆｅ－Ｎｉ软磁薄膜高频磁阻抗效应及在磁传感技术中的应用，分析了讨论了获得高灵敏度磁传感的途径，磁性薄膜厚度的一般控制在４００ｎｍ以上抑制Ｎｅｅｌ壁的出现，为了提高电压输出变化灵敏度，需要沿被测场方向加向Ｏｅ的偏磁场并使高频磁场形成闭合回路，感生各向异性通过在溅射薄膜过程中加几百Ｏｅ平行于膜的直流磁场获得，与各向异性磁阻效应和巨磁阻效应相比，高频磁阻抗效应传感技术灵敏度高，无巴克豪森噪声，     

薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeSiB／Cu／FeSiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FeSiB薄膜厚度对FeSiB／Cu／FeSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响。当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。当FeSiB薄膜的厚度为1．8μm时,在频率3．2MHz、磁场2．4kA／m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13．5％;在磁场为9．6kA／m时,巨磁阻抗效应为-9．2％。然而,当FeSiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1．6kA／m时达最大值5．8％。另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应。对于膜厚为1．8μm的FeSiB薄膜,在频率5．2MHz、磁场9．6kA／m时,巨磁阻抗效应为-12％。可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关。     

制备态(Fe88Zr7B5)100-xCux非晶薄膜的磁特性和巨磁阻抗

采用射频溅射法在单晶Si衬底上制备了Fe88Zr7B5)100-xCux(x=0、1、2、3、4)非晶薄膜样品,对其软磁特性和巨磁阻抗(GMI)变化行为进行了测量和研究。测量结果显示,加入适量Cu元素(x=3)的制备态样品具有极好的软磁性能和GMI效应,此样品的矫顽力仅有56A/m,在13MHz的频率下,最大有效磁导率(μe)比和GMI比分别为42.5%和17.0%。研究发现,制备态样品的电阻R、电抗X和阻抗Z都随Cu含量的增加而下降。X=0、4两个样品的μe、R、X、Z对外加磁场响应极不敏感,只有软磁性能优异的x=3样品的μe、R、X、Z才显示出对外加磁场响应敏感,因而有显著的GMI效应。样品拥有高的磁导率、小的矫顽力和低的电阻率是获得大GMI效应的本质条件。     

Simulation of Giant Magnetic Impedance (GMI) Effect in Co-based Amorphous Ribbons with Demagnetizing Field

Considering the role of demagnetizing field, based on linear Maxwell’s equations and the Landau-Lifshitz equation, the expressions of permeability and impedance were obtained using the improved theoretical model in this article. A numerical simulation was conducted using Matlab, and the results of calculations were well matched with the experimental results, indicating the importance of the demagnetizing field and that it should not be ignored. Utilizing the equivalence relation between the shape of the samples and the demagnetization factor which determined the value of the demagnetizing field, the influence of the aspect ratio of the samples on giant magnetic impedance (GMI) effect was researched. The calculations showed that the most significant GMI effect was obtained when the aspect ratio of samples was about 44. In addition, the optimal frequency to obtain the most significant GMI effect of the given sample was calculated. These researches may provide theoretical guidance for the development and use of a GMI sensor.     

高磷含量CoP-Cu复合丝巨磁阻抗效应的频谱特性

控制电化学工艺条件在直径为200μm的铜丝表面合成CoP磁性镀层成功地制备出高磷含量CoP—Cu复合丝巨磁阻抗效应材料。当磷含量为20%（原子分数）时,复合丝巨磁阻抗效应非常显著,达80%以上。本文详细研究了复合丝材料的频谱及巨磁阻抗效应频谱,指出复合丝巨磁阻抗具有较低的特征频率及较宽的频率使用范围与此新型结构有关,本文还发现,随频率的增加,最大负巨磁阻抗比对应的外加直流磁场也在增加,并且在高频与低频时,巨磁阻抗效应随磁场的响应曲线明显不同。     

同轴电缆结构复合丝巨磁阻抗效应的研究

采用脉冲电沉积工艺在直径为200μm的铜丝表面沉积铁镍合金镀层,形成具有同轴电缆结构的巨磁阻抗复合丝材料。分别改变复合丝磁性外壳厚度与铜丝直径,研究复合丝结构对巨磁阻抗效应的影响。发现巨磁阻抗比值随磁性外壳厚度的增大及铜丝直径的增大而增大,特征频率则向低频端移动。本文还发现在外加直流磁场低于5．57kA／m时,驱动交流电幅值增大,巨磁阻抗效应增大;高于5．57kA／m时,驱动交流电幅值的大小几乎不再影响复合丝的巨磁阻抗效应。在驱动电流上叠加20mA以下的直流偏置对巨磁阻抗效应没有影响。     

应力作用下电流退火对钴基非晶薄带的巨磁阻抗效应的影响研究

采用应力作用下的直流电流退火处理Co68.2Fe2.3Mo2Si12.5B15非晶薄带，详细讨论了应力退火前后Co基薄带的巨磁阻抗效应的变化，以及退火时间对巨磁阻抗效应的影响，研究表明：应力作用下的电流退火有利于巨磁阻抗效应的提高，并可以通过控制退火时间控制阻抗与外场变化关系曲线形状。     

三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究

采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在1～40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为5MHz时,巨磁阻抗效应在磁场Ha=800 A/m时达到最大值26.6%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率5 MHz、磁场Ha=9600 A/m时,巨磁阻抗效应可达-15.6%.     

非晶软磁合金的巨磁阻抗效应及应用

近来在ＦｅＣｏＳｉＢ等Ｃｏ基非晶体丝带中现了巨磁阻抗效应，由于在一小的直流纵向偏置场下该效应能使丝带两端的交流电压发生大而灵敏的变化，因而在磁记录头和传顺技术中具有巨大的应用科学潜能，受到各国学者的关注，本文简单介绍了巨磁阻抗效应的来源，并综述了近年来非晶体软磁合金材料的的巨磁阻抗效应及应用的研究进展，文章最后说明了尚待深入解决的问题。     

FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究

软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 ,而多层膜中的应力阻抗效应将为新型高灵敏传感器的设计和研制开辟一条崭新的途径     

Enhancement of GMI Effect in Silicon Steels by Furnace Annealing

The ratio and sensitivity of giant magnetoimpedance(GMI)in grain oriented silicon steels(Fe-4.5%Si)are improved after furnace annealing in air for 20 min.By annealing at 800-C,the GMI sensitivity rises from 1.29%/Oe to 1.91%/Oe and the ratio increases from 237%to 294%with decreasing characteristic frequency. The results are attributable to an increase in the transverse magnetic permeability during the heat treatment. From simulation by finite element method,the GMI effect can be interpreted as the modificat...