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用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素（辐照诱生氧化层电荷和新生界面态电荷）。对ＮＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ，由于寄生背沟ＭＯＳ结构的影响，经辐照后背沟漏电很快增大，经３００Ｇｙ（Ｓｉ）辐照后器件已失效。而厚膜ＢＥＳＯＩ器件由于顶层硅膜较厚，基本上没有背沟效应，其辐照特性优于体硅器件。最后讨论了提高薄膜ＳＩＭＯＸ器件抗辐照性能的几种措施。 相似文献
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雷卡１Ｘ－ＡＩＭＥ（Ａｉｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｏｎｉｔｏｒ／Ｅｍｕｌａ－ｔｏｒ）系统是专门为手机的ｃｄｍａＯｎｅ及 ｃｄｍａ２０００ １Ｘ信令测试而设计的，广泛应用于新产品开发、兼容测试、评估和服务支持，是手机生产研发时必不可少的测试工具。 目前，１Ｘ－ＡＩＭＥ系统可支持ｃｄｍａＯｎｅ＋ｃｄｍａ２０００的标淮，包括：ＩＳ９５Ａ、ＩＳ９５Ｂ、Ｊ－ＳＴＤ－００８、ＡＲＩＢ－Ｔ５３、ＫＯＲＥＡＮ ８００ＭＨＺ、ＫＯＲＥＡＮ ＰＣＳ、ＩＳ－２０００ １Ｘ等，并且兼容ＣＤＧ２２、ＣＤＧ５３及ＣＤＧ５７的第二阶… 相似文献
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ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ... 相似文献
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利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。 相似文献
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第八届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议Ｔｈｅ８ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｆｔｈｅＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭｉｃｒｏｗａｖｅＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓｉｎＣｈｉｎａ￥ＣｈｅｎＰｅｉｄｉ；ＷｕＸｉａｎｊｉｎｇ（Ｎａ... 相似文献
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ＴＡＣＳ制ＡＸＥ─１０移动电话交换系统对“并机”的侦测、跟踪与防治黄伟湘Ｔｒａｃｋｉｎｇｏｆｔｈｅ＂Ｃｌｏｎｅｓ＂ｉｎＡＸＥ－１０ＭｏｂｉｌｅＴｅｌｅｐｈｏｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇＳｙｓｔｅｍ￥ｂｙＨｕａｎｇＷｅｉｘｉａｎｇ１概述随着我国经济的高速发展... 相似文献
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在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件,并采用静态Ｉ－Ｖ技术,研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明,在辐照过程中,氧化物正电荷增加较多,界面态增加较少,且ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ＂导通＂辐照偏置是最恶劣偏置。 相似文献