技术动态

最小静态随机存取存储器元件研制成功日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报,这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器(SRAM)元件,并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。     

Epson的业内首款柔性TFT SRAM存储器

SeikoEpson公司（“Epson”）日前宣布开发出业内首款柔性TFT—SRAM（16 kbits）。公司期望TFT—SRAM在未来被用作小而轻的柔性电子器件的关键元件。     

Cypress:SRAM将成为系统设计中关键的支持元件

"我不认为SRAM将来会像CPU那样成为电子系统的核心,但随着系统对SRAM的性能要求越来越高,SRAM的表现将会影响到整个系统功能的实现,因此可以说,SRAM将成为系统设计中更为关键的支持元件."赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)存储器产品部高级应用经理Mathew Arcoleo说.因此,他认为未来的几年内SRAM市场将会持续稳定成长.     

SRAM新架构提高网络应用存储器带宽

在高性能系统中，SRAM（静态随机存取存储器）一直是关键性器件。SRAM广泛用做计算机中的二级（L2）缓存、存储常用变量和数据的高速暂存存储器，以及网络系统中的查找表等。做为关键的系统支持元件，SRAM应该永远能满足系统性能。但不幸的是，情况并非总是这样。部分原因是由于可供选择的SRAM架构很有限。一种专门满足大带宽网络应用需求的突破性SRAM新架构应运而生。     

Altera采用Cypress高密度QDRIl与QDRII＋SRAM于28nmStratixVFPGA开发工具包

SRAM领导厂商CyPress宣布Altera公司28nmStratixVGXFPGA开发工具包，选用CypressQuadDataRatell（QDRII）以及QDRIl＋SRAM。Cypress的SRAM让StratixVFPGA开发工具包能实现高达100Gbps的线路速率。     

superSRAM

瑞萨科技公司日前通过开发新型存储单元，并将SRAM单元与DRAM电容器技术相结合，开发出了一个实际上没有软错误的SRAM，称作“superSRAM”，用于移动应用中的16M位小功率SRAM。     

台湾茂矽十年奋斗露峥嵘

台湾茂矽电子公司成立于1987年,公司的主要业务为研究、设计、发展、制造及销售各种大型、超大型和相关的集成电路产品。目前产品包括DRAM、SRAM、VRAM、VOICE ROM以及ASM、为电脑、通讯及消费性电子产品厂商提供不可缺少的元件。     

Semico预期IC产业趋于上升，持续到2008年

据市场调研公司Semico Research最近发表的研究报告，Pseudo SRAM（PSRAM）的市场不断扩大。PSRAM的DRAM单元含有一个晶体管，而典型的SRAM单元含有六个晶体管。DRAM架构使PSARM比低功耗6晶体管SRAM（6TSRAM）具有一些优势，即尺寸较小和价格具有竞争力。占总体SRAM市场90％的厂商目前正在生产PSRAM。     

新概念SRAM

<正>据日本《电视学会志》1989年第1期报道,日本东芝公司在实验中首先发现双极晶体管具有双稳态特性,并根据这种现象研制成由两种器件构成的新概念SRAM.该公司着眼于减少构成SRAM的器件数,根据偏置条件(基极和收集极电压)使双极的基极电流反转,发现并确认所产生的双稳态特性.具体情况是:基极电压在0.5V以下和0.9V以上时,电流从基极向发射极流动,在0.5～0.9V范围内电流从收集极向基极反向流动.为了存贮信息,以前的SRAM单元由双稳态多谐振电路的6个元件(4个MOS晶体管     

存取时间为10纳秒的异步SRAM

Cypress半导体公司设在印度班加罗尔的设计子公司设计了一种16兆字节快速异步SRAM,其存取时间小于10ns。异步SRAM内含1亿多个晶体管,采用6个晶体管存储单元,是该公司4兆字节快速异步SRAM的后续产品。Cypress India公司负责这种新SRAM设计流程中,从概念设计到交付生产的每一个阶段。据设计工程小     

富士通最先研制成 HEMT 64k位 SRAM

<正>据日本《电子材料》1991年第4期报道,日本富士通研究所最先研制成HEMT64k位SRAM.这种SRAM与通常半导体一样,在室温下已达到世界最高速存取时间1.2ns,集成度比以前16k位SRAM提高4倍,实现了高集成化.HEMT是新型的超高速器件,用作记忆元件,比目前所用的硅半导体的性能大为提高.这种LSI具有以下特点:(1)与双极SRAM     

FPGA价格不是衡量系统成本的最好指标

大多数工程师都知道现有三种基本的FPGA技术:反熔丝、FLASH和SRAM。其中,SRAM是迄今为止应用范围最广的架构,主要因为它具有可重编程能力,而反熔丝FPGA只提供一次可编程(OTP)方案。基于FLASH的FPGA也能以相近的元件成本提供可重编程功能,这是FPGA领域比较新的技术。然而,许多设计决策都是以比较这些不同FPGA技术的器件成本为基础,没有从系统整体的角度出发来广泛考量各种技术的有形和无形成本。本文将通过分析其应用的整体系统成本,对SRAM架构FPGA的普及性提出质询。SRAM架构FPGA的应用必须用到许多附加元件,而这些…     

共推存储技术新发展

在日前举行的汇集了众多知名半导体厂商的JEDEX中国研讨会上，通信集成电路供应商赛普拉斯半导体公司Cypress Semiconductor）透露，它已与Infineon技术公司和Micron技术公司签订联合开发协议，合作开发应用于下一代无线手机的CellularRAM存储器规范，以取代目前蜂窝电话中使用的异步低功耗SRAM。CellularRAM是一种新型多代multi-generation）低功耗伪静态随机存取存储器（PSRAM）。CellularRAM存储器以单个晶体管DRAM单元为基础，它与传统SRAM和6晶体管（6T）的SRAM单元相比具有显著优势，它采用了DRAM技术但大大缩小了…     

存取速度为250MHz的8Mb异步SRAM

从事存储器设计的IntegratedCircuit Solution Incorporation(ICSI)推出存取速度高达250MHz的8兆位异步SRAM。该公司的主要竞争对手如Samsung公司、Micron公司、IDT公司和Cypress公司目前提供的8兆位异步SRAM存取速度最高为225MHz。ICSI的异步SRAM芯片的存取时间为4ns,工作电压为3.3V和2.5V。预计宽带通信市场将继续大幅度增长,这种     

采用AVR单片机对FPGA进行配置

使用AVR单片机对Altera公司的FPGA进行配置,讨论了配置的时序要求、配置文件的处理,给出了硬件设计和软件设计 Altera公司的ACEX、FLEX等系列的FPGA芯片应用广泛,但其FPGA基于SRAM结构,决定电路逻辑功能的编程数据存储于SRAM中.由于SRAM的易失性,每次上电时必须重新把编程数据装载到SRAM中,这一过程就是FPGA的配置过程.     

MIPS推出32位MIPS内核

日立公司和瑞萨科技公司目前宣布，两家公司研制成功低压嵌入式SRAM技术，这项技术是针对用90nm工艺和更小工艺尺寸制造的系统级芯片(SoC)技术而研制的。利用这项新的电路技术，在进行写入操作时，SRAM单元的电原可以处于“浮动”(脱离供电电源)状态，并且可以工作在0．8V，预计它将成为实现信息设备(信息设备在支撑着社会发展)中系统级芯片高性能、低功率运作的基本技术。     

Z-World低成本紧凑型微处理器内核模块

Z．World／Rabbit Semiconductor公司推出的RCM3600和RCM3700 RabbitCores据称是价格最低的Rabbit微处理器内核，主要用于工业应用(以太网，因特网中使用RCM3700)。这两款RabbitCore具有512K Flash／512K SRAM或256K Flash／128K SRAM．     

Altera选择赛普拉斯的高容量QDRII和QDRII＋SRAM器件用于28nm Stratix V FPGA开发套件

SRAM领域的业界领先者赛普拉斯半导体公司日前宣布．Altera已在其28nmStratixVGXFPGA开发套件中选用赛普拉斯的Quad Data RateII（QDRII）和QDRII＋SRAM。赛普拉斯SRAM使StratixVFPGA开发套件能够实现高达100Gbps的线路速率。     

3.3V双端口SRAM产品系列 全新同步元件提供100MHz工作频率、36位总线和1Mbit密度

IDT公司推出四种全新3.3V同步双端口SRAM元件,包括36位1Mbit双端口芯片。该新型100MHz双端口存储器的数据存取速度为5ns,同时拥有更大的密度和总线宽度。适用于效能要求高、数据密度大的应用,如LAN/WAN交换器和路由器、RAID控制器和蜂窝基地站。 该类双端口存储器产品拥有一个同步界面,每端口各有独立的时钟,可各自运行于不同的频率。该元件在每端口分别有边界溢出(full-boundary)     

东芝开发出可以使低功耗微控制器从深度休眠模式快速唤醒的极低泄漏SRAM

正东芝公司近日宣布,该公司已经开发出适用于低功耗微控制器备用RAM的极低泄漏65纳米静态随机存储器(SRAM),它可以实现从深度休眠模式快速唤醒。东芝已经开发了一种泄漏率低于传统SRAM千分之一的极低泄漏SRAM,当采用65纳米工艺时每比特泄露电流为27fA。这一水平低于采用65纳米以上技术制造的SRAM的已发布数据。这种新的SRAM充电一次便可以在备用存储器(容