CNT在柔性电子领域的应用获重大进展

斯图加特大学与应用纳米技术公司（即ANI，是Nano—proprietary的子公司）的技术人员宣布了他们把CNT应用于柔性电子产业的重大进展。ANI公司一直与斯图加特大学显示技术的教授合作，致力于研究和开发用于柔性电子产业的高性能碳纳米管薄膜晶体管（CNT TFT）。这些器件用于显示器、电子电路、传感器、存储芯片及其他产品的核心部位.     

低温多晶硅TFT技术的发展

本文综述低温多晶硅（LTPS）TFT技术的最新进展情况。该技术目前的研究前沿是：（1）制作高性能的TFT；（2）在柔性衬底上制作LTPS TFT；（3）驱动有机发光器件的TFT；（4）LTPS TFT的新应用。同时还展望了LTPS TFT技术的未来发展趋势。     

新一代通信设备和计算机系统所需的高容量SRAM产品

简介 美国Ramtron公司用改造了的DRAM单晶体管（1—T）专利技术开发出大容量的SRAM产品。这类单晶体管（1—T）SRAM（ESRAM,E代表Enhanced,是改良型的意思）在容量增大的同时,大幅度减低了每个位元（bit）的单价和功耗,使单晶体管（1—T）SRAM产品更适合通信设备和计算机系统设计的要求,解决了高价位,容量不够大,高功耗这些以往应用传统六晶体管（6T）SRAM产品所遇到的问题。 通信设备和计算机系统的设计工程师都一定会面对过到底是该选择高价位,高性能的SRAM,还是性能稍次,但价     

SAM3S16：MCU

爱特梅尔公司推出带有1M8嵌入式闪存和128kB SRAM的32位ARM Cortex—M3微控制器（MCU）的早期样品。     

美国制造出世界上最大尺寸OLED柔性显示器

近日,美国亚利桑那大学柔性电子与显示中心（FEDC）利用混合氧化物薄膜晶体管（TFT）成功制造出了世界上最大尺寸的OLED彩色柔性显示器样机。该显示器由柔性电子与显示中心与美国陆军研究实验室联合开发,尺寸为14．7英寸,达到了该中心此前创造世界纪录型号的两倍。     

Altera采用Cypress高密度QDRIl与QDRII＋SRAM于28nmStratixVFPGA开发工具包

SRAM领导厂商CyPress宣布Altera公司28nmStratixVGXFPGA开发工具包，选用CypressQuadDataRatell（QDRII）以及QDRIl＋SRAM。Cypress的SRAM让StratixVFPGA开发工具包能实现高达100Gbps的线路速率。     

林德进一步扩大在中国TFT—LCD市场的版图与苏州三星电子签订大宗气体供应合同

电子行业领先的气体及解决方案供应商联华林德（Linde Lien-Hwa，林德集团和台湾联华神通集团的合资公司）日前宣布，公司已与三星电子（Samsung Electronics）签订了长期气体供应合同，服务于三星电子位于中国苏州工业园区内最新的第8．5代TFT—LCD（薄膜晶体管液晶显示器件）生产厂。     

爱普生发布1．64寸4096×2160液晶投影面板

在显示器技术国际学会“16th International Display Workshops（IDW’09）”的氧化物TFT分会上，夏普就首次试制的氧化物TFT液晶面板进行了技术发表（论文序号AMD7—4）。TFT结构为传统的反向通道蚀刻（Back Channel Etch）型。     

Semico预期IC产业趋于上升，持续到2008年

据市场调研公司Semico Research最近发表的研究报告，Pseudo SRAM（PSRAM）的市场不断扩大。PSRAM的DRAM单元含有一个晶体管，而典型的SRAM单元含有六个晶体管。DRAM架构使PSARM比低功耗6晶体管SRAM（6TSRAM）具有一些优势，即尺寸较小和价格具有竞争力。占总体SRAM市场90％的厂商目前正在生产PSRAM。     

友达6代线试制出微晶硅TFT32in液晶面板

友达光电（AUO）使用由第6代大尺寸底板生产线的等离子CVD装置形成的微晶硅．试制出了32in电视用TFT液晶面板。 与非晶硅（a-Si）TFT相比,采用μc Si—TFT有可能获得更高的迁移率。另外,还可实现用多晶硅（p-Si）TFT难以实现的、基于第5代以后大尺寸底板的工艺。     

美开发出最大尺寸柔性OLED显示屏

美国亚利桑那州立大学的柔性显示器中心fFlexibleDisplayCenter,FDC）日前宣布,已开发出一款据称是全球最大尺寸的柔性彩色有机发光显示屏（OLED）原型。该显示屏对角线尺寸为7．4英时,采用先进的混合氧化薄膜晶体管（TFT）技术,是由FDC与美国陆军研究实验室的科学家共同开发。     

2005年平板显示之最

（1）三星电子05SID会议展出102cm（40in）全色OLED显示器。（2）三星电子05SID会议展出259cm（102in）全色高清晰度PDP电视。（3）三星电子05SID会议展出208cm（82in）全色TFT—LCD显示器。（4）三星电子05SID会议展出81cm（32in）无CF的全色TFT—LCD显示器。     

中小型TFT—LCD市场

中小型TFT—LCD为25．4cm（10in）以下TFT—LCD屏。主要应用于手机、数码照相机、车载显示等。2005年中小型TFT—LCD产量比2004年增加56．3%，但价格降低一半。其市场预测如下：     

36．Mbit／18-Mbit SRAM：SRAM

赛普拉斯半导体公司推出新型36．Mbit和18-Mbit容量的四倍速（QDR）和双倍速（DDR）SRAM。这些新的存储器件是65-nm同步SRAM,最高容量可达144Mbit,速度最快可达550MHz。     

TFT制造工艺的简化

随着TFT—LCD电视市场的需求，TFT—LCD基板尺寸不断扩大，使TFT制造工序简化已是迫在眉睫。一般TFT制造工序有5～8道光刻工艺，韩国LG菲利蒲公司于2000年开发了4道光刻TFT制造工序，并于2004年7月起该公司80％TFT生产线采用4道光刻技术。目前该公司正在开发3道光刻技术，而且三星公司也采用了4道光刻技术。4道光刻技术不仅简化了TFT制造工艺，降低制造成本，而且将成为TFT制造主导技术。     

Altera选择赛普拉斯的高容量QDRII和QDRII＋SRAM器件用于28nm Stratix V FPGA开发套件

SRAM领域的业界领先者赛普拉斯半导体公司日前宣布．Altera已在其28nmStratixVGXFPGA开发套件中选用赛普拉斯的Quad Data RateII（QDRII）和QDRII＋SRAM。赛普拉斯SRAM使StratixVFPGA开发套件能够实现高达100Gbps的线路速率。     

NPF LA—1接口规格与四倍速SRAM兼容

四倍速（QDRTM）SRAM合作开发团队日前宣布,网络处理论坛（NPF）已经采用四倍速接口的主要指标作为LA—1（Look—Aside接口）第一阶段的标准。2002年5月24日,网络处理论坛的主要成员投票通过了LA—1规格。QDR SRAM是一种针对网络交换机、路由器和其他通信应用的高性能通信存储标准。 网络处理论坛致力于促进和加速以网络处理技术为基础的下一代网络和电信产品的开发。LA-1接口用于从网络处理单元（NPU）卸载特定的任务,主要用于（但并不专用于）基于存储器的查找协处理器。QDR SRAM是LA-1所基于     

显示技术动态——友达光电高层谈发展战略

目前台湾友达光电（AU Optronics Corp．）在大型TFT领域的市场占有率位居第3，在中小型TFT领域位居第5，今后”目标是大型和中小型TFT液晶面板分别跻身前3名”。在”台湾FPD厂商畅谈FPD业务及技术战略”会议上，该公司执行副总裁熊晖（Hui Hsiung）谈了今后的战略。他还表示，该公司已撤出LCoS（1iquid crystal on silicon）、FED以及PDP领域。     

最小静态随机存取存储器元件研制成功

日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0．128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。     

共推存储技术新发展

在日前举行的汇集了众多知名半导体厂商的JEDEX中国研讨会上，通信集成电路供应商赛普拉斯半导体公司Cypress Semiconductor）透露，它已与Infineon技术公司和Micron技术公司签订联合开发协议，合作开发应用于下一代无线手机的CellularRAM存储器规范，以取代目前蜂窝电话中使用的异步低功耗SRAM。CellularRAM是一种新型多代multi-generation）低功耗伪静态随机存取存储器（PSRAM）。CellularRAM存储器以单个晶体管DRAM单元为基础，它与传统SRAM和6晶体管（6T）的SRAM单元相比具有显著优势，它采用了DRAM技术但大大缩小了…