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设计一个脉宽调制(Pulsewidthmodulates,PWM)控制器的雷达伺服直流控制系统,对整个控制系统的方案背景及模型的建立进行了分析、介绍。该设计对PWM控制器中的脉宽调制电路、隔离驱动电路、功率驱动电路、保护电路等各主要电路分别进行原理或功能上的描述,同时对雷达伺服直流控制系统总体设计及其中的电磁兼容性问题也进行详细的讨论。实验表明,该设计具有较好的动、静态性能,可广泛用于各型雷达伺服直流控制系统中。 相似文献
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IR2110在IGBT交流调压控制电路中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了IR2110驱动芯片的特点和功能,给出了用IR2110在PWM斩波控制交流调压电路中驱动IGBT的驱动电路,同时对该驱动电路和保护电路的可靠性进行了设计和分析。 相似文献
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本文在对比了电压型和电流型PWM整流器的基础上,采用模块化设计思想设计了一种具有工程实用性的三相电压型PWM整流器,包括主电路、驱动电路、检测电路及保护电路的设计,并利用MATLAB进行相关仿真,仿真结果表明本方案达到提高功率因素的目的。 相似文献
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基于RT8482的大功率LED驱动电路设计 总被引:1,自引:1,他引:0
根据发光二极管的V-I特性,设计了一款基于RT8482芯片的升压恒流大功率LED驱动电路,其输出电压自适应。该电路主要包括输入电源反接保护单元、LED升压恒流驱动单元、PWM数字调光与变阻模拟调光单元、扩流输出单元等,电路同时还具有过压保护、过流保护等功能。测试结果及实际使用表明:该电路在12V输入电压下驱动84w大功率白色LED灯珠阵列时输出电流恒定,其效率可达89.16%,且亮度调节范围宽、精度高,适用于通用与景观照明、汽车照明、室内装饰及电子设备背光等大功率LED照明应用领域。 相似文献
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提出了一种小型可调压DC-DC降压变换器的结构。主电路由MOSFET管、电感器及滤波电容器构成。通过PWM波控制,由于PWM波的驱动能力较差,设计驱动电路通过与PWM发生器一同控制MOSFET管的通断。通过改变PWM波的占空比来改变输出电压以达到可调压的目的。该降压变换器设计简单、经济适用、体积较小,输出电压可调。主要由主电路和驱动电路组成。该变换器适用于较低压工作场合,输入电压在5V至20V之间,输出电压在3V至18V之间。对电路的工作原理和结构进行了深入分析,并通过实物制作验证其可行性。 相似文献
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无源非线性延迟锁定保护电路的分析 总被引:9,自引:1,他引:8
本文提出一种简单的无源非线性延迟锁定保护电路,它除具有由复杂的数字逻辑电路构成的计数式延迟锁定保护电路的功能外,对实际工程上常用的rc低通电路相关处理情况,还优于后者。本文分析了无源非线性延迟锁定保护电路的性能,给出了理想积分和rc低通电路相关处理两种情况下的确定保持时间的均值和方差,奠定了这种保护系统的理论基础。 相似文献
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Junyang Luo Liang Y.C. byung Jin Cho 《Industrial Electronics, IEEE Transactions on》2000,47(4):744-750
Development of a monolithic power integrated circuit by making the lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT) the main switching device is a current topic. The overcurrent protection scheme is usually necessary to be built as part of the function in such a power integrated circuit. The protection circuit requires distinguishing various fault conditions and reacting differently based on the device safe operating area (SOA) limitation. At the same time, the protection circuit should also be relatively concise and suitable for integration. In this paper, a concise circuit suitable for integration and with gate drive capability is proposed to provide the complete function of overcurrent SOA protection for the LIGBT. The operational principle was described in detail and the circuit performance was verified with experimental results from both the discrete circuit and the fabricated LIGBT integrated circuit 相似文献
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CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计 总被引:4,自引:1,他引:3
讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时。该保护电路不会导通.因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路。 相似文献
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Research and design of the protection circuits in LD controller 总被引:1,自引:0,他引:1
1 Introduction Nowadays, semiconductor LD has been widely used in the fields of communication, military, medicine and so on. LDs have become the main stream of semiconductor lasers. LDs have high power density and sky high quantum efficiency. Even weak dr… 相似文献
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本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD 保护改进技术进行了详细论述 相似文献