液封直拉富铟InP中铟夹杂的纵向和横向分布

采用光学显微镜与红外透射显微镜相结合的方法,研究了磷化铟(InP)晶片中铟夹杂的形貌,通过比较含有铟夹杂的晶体与晶片,总结了铟夹杂在富铟磷化铟中的纵向与横向分布行为,并分析了熔体组分配比度、固液界面形貌以及温度梯度对铟夹杂分布行为的影响。在含有铟夹杂的单晶片中发现铟夹杂的一种特殊环形分布行为,对比和它相邻的晶片,发现这种环形分布呈现出沿生长方向直径逐渐变小的趋势,初步分析与固液界面呈微凸的形貌有关。在这种特殊分布中,发现部分铟夹杂呈四方对称分布。结合磷化铟的晶体结构,分析这种对称分布与固液界面处的{111}晶面有关。     

富铟熔体生长InP晶体中的微观缺陷

通过原位磷注入液封直拉(LEC)法在富铟熔体中生长了100方向的磷化铟单晶,并研究了晶体内缺陷形态及形成机制。在富铟熔体中生长的磷化铟晶锭中发现,多种形态富铟夹杂物镶嵌在磷化铟基体中。在晶片的抛光过程中,由于局部受力不均匀导致富铟夹杂周围的晶体出现裂纹。通过研究发现,除了磷化铟晶体的各向异性外,局部的冷却条件也控制着晶体凝固过程,进而控制着富铟夹杂物的形态。由于磷化铟基体与富铟夹杂物的热膨胀系数不同,在富铟多面体夹杂物产生了很大的应力,进而导致富铟夹杂物附近出现了位错聚集现象。经讨论给出了这些夹杂物的形成机制及其对晶体质量的影响。     

不同熔体配比InP材料中的缺陷研究

采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体,利用液封直拉法(LEC)分别从不同化学计量比条件下的InP熔体中生长InP单晶材料.对材料分别进行了室温Hall,变温Hall的测试.结果表明富磷熔体条件下具有较高浓度的VInH4复合体,富铟熔体条件VInH4的浓度最低.     

非配比InP材料研究进展

InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响.若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量过多时容易在晶体尾部产生孔洞,在孔洞周围位错密度明显增加.综述了与配比相关的InP材料的研究工作,着重分析了InP相图、不同配比InP材料制备、配比度的测量、与非配比相关的缺陷等方面的研究.重点探讨了非配比InP材料的制备、与配比相关缺陷的产生及缺陷对晶体质量的影响,对非配比InP的研究方向进行了分析和预测,提出了亟待研究解决的问题.     

InP晶片位错密度分布测量

采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响.从数值看,一般掺S的材料位错密度较低,随着掺杂浓度的增加位错密度明显降低,晶片的均匀性也越好.掺Fe的材料位错密度一般,但随着...     

VGF法中降温速率对InP单晶生长的影响

垂直梯度凝固(VGF)法生长磷化铟(InP)单晶时产生的缺陷主要有孪晶、位错、多晶等，这些缺陷严重影响了InP单晶的产量与品质。首先简述了VGF法生长InP单晶过程中容易产生的主要缺陷，然后通过实验对各生长阶段的降温速率进行调整，成功改善了孪晶、位错重复出现的情况。实验结果表明，增大放肩过程的降温速率有利于抑制放肩过程产生的内切孪晶，但容易增加晶体肩部的位错密度，至等径部位发生位错增殖。为解决此问题，实验在增加放肩降温速率的同时，适当减小了等径降温速率，从而有效抑制了等径部位的位错增殖。最终，实验中生长出了平均位错密度低于50 cm^-2的高质量掺S InP单晶。     

φ100 mm掺硫InP单晶生长研究

InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用.掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域.为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究.首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率.采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性.制备出100mm掺硫InP整锭〈100〉InP单晶和单晶片.经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3.本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70.或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生.     

Ф100mm掺硫InP单晶生长研究

InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用.掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域.为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究.首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率.采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性.制备出100mm掺硫InP整锭〈100〉InP单晶和单晶片.经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3.本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70.或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生.     

半绝缘InP长单晶的生长

通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.     

半绝缘InP长单晶的生长

通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.     

单晶硅衬底材料中的消光衍射

在经典衍射理论中,Si(2 0 0 ) ,Si(2 2 2 )等4 n+2面的反射是消光的,但在单晶硅或硅基材料中,常发现Si(2 0 0 ) ,Si(2 2 2 )的衍射.考虑非谐效应和电子云反对称分布的贡献,分别计算了Si(2 0 0 ) ,Si(2 2 2 )消光衍射的相对强度,并用XRD测试手段进行了验证.结果表明,理论与实验值基本符合.在室温下,Si(2 0 0 ) ,Si(2 2 2 )衍射主要是因为反对称的电子云分布所致.同时,强调了Si(2 0 0 ) ,Si(2 2 2 )衍射在XRD分析中的应用     

水热环境下PZT纳米晶的结晶与生长习性

采用TiO2,ZrOCl2.8H2O,Pb(NO3)2为原料,KOH为矿化剂,在200℃,KOH浓度分别为1 mol/L,3 mol/L,5 mol/L,7 mol/L时,水热合成锆钛酸铅纳米晶体。结果表明,KOH浓度严重影响了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米晶的结晶、生长习性与晶体形貌。当KOH浓度较低时,合成了PZT纳米晶片;当KOH浓度较高时,合成了PZT纳米四方晶柱。合成的纳米晶晶粒度为30 nm,纳米晶粒间通过层叠方式进行生长,成为较大的PZT多晶颗粒。     

光子晶体光纤激光器

光子晶体光纤激光器可标定kW级的输出功率,可使高功率工作的掺稀土光纤激光器产生变革。介绍了光子晶体光纤激光器的基本概念、特性及其典型器件。     

[Si(Pc)O]n晶体在NaCl单晶衬底上的外延生长

电子衍射实验表明，当单体酞菁硅二醇Ｓｉ（Ｐｃ）（ＯＨ）２在ＮａＣｌ单晶（１００）解理面上气相沉积时，所得聚酞菁硅氧烷（Ｓｉ（Ｐｃ）Ｏ）ｎ薄膜晶体中的分子链轴相对于膜面的取向，随衬底温度的升高而发生有规律的变化，不确定（１５０℃）→平行→平等＋垂直→垂直（≥３５０℃）高分辨电子显微像显示，与其在固态聚合时的情形不同，气相沉只时所得的（Ｓｉ（Ｐｃ）Ｏ）ｎ微晶主要属于四方晶系，只有少量属于带心的正交晶系     

GdCOB晶体的生长及二倍频性质

采用提拉法生长了高光学质量的 Gd Ca4 O(BO3) 3(Gd COB)晶体 ;测量了 Gd COB晶体不同相位匹配方向上的腔内及腔外二倍频转换效率。在 Gd COB晶体的腔内倍频实验中 ,当输入功率为 10 W时 ,空间方向为 (113.2°,4 7.4°)的样品可产生 1.2 2 W波长为 5 32 nm的绿光输出     

光子晶体光纤的研究新进展

综述了光子晶体光纤（PCF）不同于传统光纤的各种性质,并详细讨论了光子晶体光纤在通信和光纤激光等领域的新发展。     

MIS型单晶硅液晶光阀

详细介绍了一种新颖、快速响应的金属－绝缘层－半导体构成的MIS型单晶硅液晶光阀的结构、工作机理、制作工艺和性能参数测试。液晶采用45°扭曲向列型混合场效应工作模式。所得到的光阀的极限分辨率为40lp／mm，口径40mm，最大对比度＞100：1，在930nm（△λ＝40nm）写入光灵敏度为20μW／cm2，响应时间为15ms。报道了该光阀在大屏幕投影显示中的应用。     

功能晶体材料NaEr（WO4）2单晶的生长与性能研究

首次生长具有白钨结构的NaEr（WO4）2晶体。测量得晶体在UV波段的截止波长为326nm,此NaY(WO4)2(321nm)晶体要长。这是由于Er^3 具有较大的极化力造成的。测量了NaEr(WO4)2红外透过光谱和喇曼光谱,并对晶格振动模式进行了分析。所有这些性质和同结构的NaY（WO4)2晶体进行了比较。     

液晶投影显示器

CRT投影机的亮度和分辨率不能作到两全其美,以致不能满足工业与军用市场的许多更趣严格的要求。因此,人们的兴趣正在转向大量的光阀技术,其图像的写入采用电子束或激光束,而图像的亮度则靠投射灯来提供。在大量的光阀技术领域中,最活跃的领域是用电子束寻址或激光束寻址的液晶光阀投影显示器。本文则对许多液晶光阀器件的基本原理和工作特性作了评述。     

液晶光栅的技术进展及应用

详细阐述了液晶光栅的工作原理及两类液晶光栅的结构设计和制作工艺,分析了它们的优缺点及其应用情况。并对液晶光栅在空间光通信中的应用做了展望。