小剂量离子注入均匀性的工艺控制

本文叙述了影响小剂量离子注入均匀性的几个主要因素，其中包括束流品质、离子束聚焦与扫描以及束流大小的选择等。同时介绍了如何控制这些因素来获取优异的注入均匀性，通过这些控制手段，均匀性可以优于5％，结果令人满意。     

卡夫曼离子源设计新进展——平板栅网热形变的束流匹配补偿技术

在大直径的卡夫曼离子源中,作为离子光学的栅网,因热形变将严重影响束流品质,尤其是使束流密度均匀性分布变差。本文将介绍一种束流匹配技术,使其栅网热形变对束流密度分布均匀性影响减小到最低程度,并改善了束流密度分布的均匀性。     

分子束外延系统束流系综理论分析

分子束外延（MBE）生长薄膜材料是一种非平衡态生长，生长过程主要由分子束流和晶体表面反应动力学控制。分子束流控制对生长的影响很大，真空蒸发理论导出的平衡蒸气压模型是目前描述分子束流的主要模型之一，但在实际应用中，模型在高蒸气压条件下对束流的描述存在较大偏差，制约生长的薄膜的化学组分均匀性和结构的单晶完整性的提高。本文系统研究了MBE生长HgCdTe薄膜过程的束流情况，采用系综理论，建立巨正则理论模型模拟束流情况，实验表明，相比平衡蒸气压模型，该模型能更准确的描述分子束流的本征物理行为。     

大角度离子注入机的束流自动调节

阐述了大角度离子注入机的束流自动调节,着重描述了新建立菜单的第一次调束,从束流的引出到固定法拉第杯获得目标束流的具体调节步骤,包括束流的均匀性检测的全部过程,另外对调束过程中的一些算法也进行了细致的介绍。     

低缺陷Si基碲镉汞分子束外延工艺研究

随着焦平面探测器向超大面阵、小像元方向发展,对盲元率尤其连续盲元、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial, MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE系统束流稳定性、束流测量的精确性和生长温度控制的稳定性共3个MBE生长碲镉汞材料精确控制的关键问题,以及通过正交试验优化生长参数,将Si基碲镉汞材料缺陷密度控制在500 cm^-2以内,最优值达到57.83 cm^-2。     

全机械扫描强流离子注入机重复性研究

对影响全机械扫描强流离子注入机剂量重复性的因素进行了分析。对束流纹波的影响建立了数学模型，计算了束流纹波对剂量重复性的影响。结果表明只要束流纹波在9％以内，剂量重复性可控制在1％以下。     

热阴极逸出功非均匀性对本征发射度的影响

热阴极广泛应用真空电子器件、加速器、自由电子激光等各类束流装置,热阴极表面状态非均匀性对束流本征发射度有着显著的影响.本文推导了非均匀发射阴极的均方根本征发射度理论形式,并分析了逸出功非均匀性及其统计效应对本征发射度的影响.针对逸出功径向和一维余弦分布模型,计算了均方根发射度与逸出功非均匀性关系的理论数值解;基于有限差分法粒子仿真技术,开发了专用于阴极仿真的程序YY-PICMC,并验证了理论形式的正确性;针对逸出功二维余弦分布模型进行了理论和仿真分析,结果表明逸出功分布空间频数对均方根发射度涨落有显著影响,当空间频数趋于无限大时,发射度增长系数趋于1,即逸出功均匀阴极的情形;最后,分析了最接近真实阴极表面状态的二维逸出功随机分布模型,仿真结果表明随着空间频数增加,发射度增长系数统计方差逐渐减小,符合余弦模型结果的预期.本文建立的理论形式和仿真方法可以用于评估各类阴极表面逸出功空间非均匀性特征对束流本征发射度的影响程度.     

Mo＋C双注入纯铁纳米相结构的形成和改性机理研究

Mo C双注入H13钢可明显地改善钢表面的抗腐蚀特性，然而改性机理却很少报道，我们对Mo C双注入纯铁微观结构变化进行了分析，用透射电子显微镜首次发现三元FeMo2C相，这种相在较低的束流密度和注入量下首先形成，随着束流密度和注入量的增加，碳化钼和碳化铁相形成。这些FeMo2C和MoC相均匀地弥散在注入层中，其尺寸在10－30nm，当束流密度增加到0.5A.m^-2，这些纳米相的密度和尺寸增加，形成了均匀的弥散强化结构，并且发现MoC相均匀分布在晶界间，这种结构形成了抗磨损的优化表面层和抗腐蚀的印化层，明显改善了材料表面抗磨损，抗疲劳和抗腐蚀特性。     

基于Opera-3D软件的碳化硅离子注入机光路设计与仿真

碳化硅（SiC）离子注入机是碳化硅半导体器件制造的核心装备，其光路设计与仿真是碳化硅离子注入整机研发的关键核心技术。利用Opera-3D软件研究了B+在不同注入能量下经加速、聚焦到靶室的传输包络图和束流截面形状，模拟仿真了B+通过扫描器、平行透镜后的注入均匀性，并与实际验证结果进行了对比。结果表明：现有SiC离子注入机光路在50～350 keV能量范围内具有较好的束流截面形状、离子传输效率和注入均匀性，能够满足SiC离子注入工艺需要。     

环形电子束位置测量的初步研究

对比研究了真空管道中环形电子束与位于束团中心的实心束在管道壁上产生的场分布,证明束流位置探测(BPM)技术可用于电流密度均匀分布的环形电子束位置测量。采用点密度不均匀性模型,分析了环形电子束角向不均匀性对测量精确度的影响。结果显示,当环形电子束电流密度不均匀性为10%时,对位置分辨率精确度的影响为0.1 mm。初步开展了BPM系统设计,并对纽扣电极半径和输出端口半径进行了优化设计。     

电子技术类专业设置光子技术类课程的研究

阐述了光子技术在当代电子技术中的地位和电子技术类专业设置光子技术类课程的重要性。对于电子技术类专业的教学,要培养具有创新能力的复合型人才,光子技术类课程应该融合到现有的专业课程体系中去。考虑课程过重过杂的矛盾,光子技术类课程被整合成三个模块：激光技术课程、光电子技术课程和光纤通信技术课程。介绍了三门课程的背景意义、发展方向以及所涵盖的内容,并强调课程要注意强化基础、拓宽专业口径。     

化学技术在微机械传感器发展中的应用

微机械传感器除运用在微电子制造技术外,大量应用化学腐蚀,特种高分子落膜材料,电镀和电化学工艺等化学领域的技术,形成了很多独特的微机械加工技术,这些技术的运用解决了很多关键性技术问题,极大地推进了微机械传器技术的发展,本文从体微机械加工,表面微机械加工和LIGA技术三方面论述化学在近来新型传感器发展中的技术突破和成果。     

大型企业信息化应用系统网络平台研究

信息化网络平台是信息化应用系统的基础,通过对信息化网络平台的研究,可以了解和掌握其组成和必要的关键技术,提供良好的网络平台,从而提升应用系统的使用品质,为使用者带来更顺畅的感受。在网络平台的关键技术研究中,通常可以通过搭建临时的实验室环境,对关键技术进行部署和配置,从而取得高可用性、高可靠性和高安全性等特性。文中通过一些已取得成功经验的大型企业信息化应用系统网络平台的研究,列举出了一些关键技术,可以较好地指导其他企业信息化应用系统网络平台的建设。     

无线通信中分集技术的演进

分集技术是现代无线通信中克服深度衰落的常用方法,本文总结了无线通信技术中使用的分集技术,分析了分集技术的演进趋势。     

网络通信技术应用问题分析

随着我国现代经济的不断发展以及科学研究的进步,人们的日常生产和生活方式已经发生了一定的改变。这些年来,网络技术的应用使通信技术不再是传统的结构模式,网络通信技术已经成为了时代发展的基础,并体现出了良好的应用价值。主要针对网络通信技术在其具体应用过程中存在的问题进行分析,希望能够进一步促进网络通信技术的完善和发展。     

对我国电子测量技术发展情况的分析

由于我国在二十一世纪之后步入信息化与科技化时代，相继出现各种先进科学技术，其中存在电子测量技术。这属于新时期持续发展创新的产物，所存在的发展潜力比较大。     

谈物流信息技术的应用

进入21世纪以来,生产、流通和消费模式正在发生重大变化,传统的物流方式向现代化迈进,信息技术在物流中占有重要地位。本文首先阐述物流信息技术的定义,进而叙述物流信息技术的构成,最后分析物流信息技术的应用。物流信息技术是现代信息技术在物流各个作业环节中的综合应用,是物流现代化、信息化、集成化的重要标志。从物流数据自动识别与采集的条码系统,到物流运输设备的自动跟踪;从企业资源的计划优化到各企业、单位间的电子数据交换;从办公自动化系统中的微型计算机、互联网、各种终端设备等硬件到各种物流信息系统软件都在日新月异地发展。从可以说,物流信息技术是现代物流区别传统物流的根本标志,也是物流技术中发展最快的领域之一。     

谈物流信息技术的应用

进入21世纪以来,生产、流通和消费模式正在发生重大变化,传统的物流方式向现代化迈进,信息技术在物流中占有重要地位。本文首先阐述物流信息技术的定义,进而叙述物流信息技术的构成,最后分析物流信息技术的应用。物流信息技术是现代信息技术在物流各个作业环节中的综合应用,是物流现代化、信息化、集成化的重要标志。从物流数据自动识别与采集的条码系统,到物流运输设备的自动跟踪;从企业资源的计划优化到各企业、单位间的电子数据交换;从办公自动化系统中的微型计算机、互联网、各种终端设备等硬件到各种物流信息系统软件都在日新月异地发展。从可以说,物流信息技术是现代物流区别传统物流的根本标志,也是物流技术中发展最快的领域之一。     

智能化系统在小区建设中的应用

住宅小区的智能化系统是运用计算机技术、网络通讯技术、控制技术和IC卡技术，通过有效的传输介质，实现多元化信息管理与服务、物业管理与安防、居所智能化的系统集成。     

网络环境下会计业务的发展与探讨

随着网络技术、计算机技术在会计领域的应用和发展 ,网络会计应运而生。本文着重探讨了网络会计的产生、主要特征、基本架构、基本要求