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相似文献
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1.
以AlN、Pr2O3做为SiC陶瓷液相烧结的复合助剂,选定不同的助剂含量(5wt%~ 20wt%)和不同的助剂摩尔比例(Pr2O3/AlN=1/3、1/1、3/1),在1800~2000℃温度下,采用热压和无压烧结的方法制备SiC陶瓷样品,并对这些陶瓷样品的性能进行了研究.实验结果表明,助剂比1/3组的样品显示出更有效地促进SiC陶瓷致密化,该组样品无压烧结最大相对密度为87%,热压烧结具有最高的相对密度96.1%、维氏硬度23.4 GPa、抗弯强度549.7MPa、断裂韧性5.36 MPa·m1/2,显微结构中可观察到晶粒拔出现象,断裂模式为沿晶断裂.  相似文献   

2.
烧结助剂对自增韧Si3N4陶瓷显微结构和性能的影响   总被引:7,自引:0,他引:7  
研究了烧结助剂质量分数及比例对热压自增韧Si3N4 陶瓷显微结构和力学性能的影响。结果表明 :材料室温抗弯强度和断裂韧性均在烧结助剂的质量分数为 15 %时达到峰值 ,其中 5 %Y2 O3 10 %La2 O3 85 %Si3N4 体系的抗弯强度达 911.3MPa,断裂韧性达10 .0 2MPa·m1 /2 。同时 ,分析了材料显微结构与力学性能的关系 ,发现自增韧Si3N4 陶瓷中 β-Si3N4 柱状晶直径的双峰分布特征对材料力学性能的提高起着很重要的作用  相似文献   

3.
热压烧结细晶粒氧化铝陶瓷(英文)   总被引:3,自引:1,他引:2  
以沉淀法制各的商业α-Al2O3粉体为原料,自制镁铝硅玻璃为烧结助剂,采用热压烧结工艺低温制备高性能氧化铝陶瓷.用Archimedes法、电子探针和三点弯曲法研究了氧化铝陶瓷的致密化行为、显微结构和力学性能.结果表明:在1400℃烧结的氧化铝陶瓷的相对密度高达98.9%,晶粒细小,平均晶粒尺寸约为0.6μm,晶界上有莫来石相析出,样品的抗弯强度和断裂韧性分别达442MPa和4.7MPa·m1/2.  相似文献   

4.
以Al_2O_3-Y_2O_3和Mg O-Y_2O_3为烧结助剂,通过热压烧结分别在1600℃和1800℃下制备Si_3N_4陶瓷。结果表明:以Al_2O_3-Y_2O_3助剂时,在1800℃热压烧结制备的Si_3N_4陶瓷具有显著的双峰结构和优异的综合力学性能,其硬度、抗弯强度、断裂韧性分别为15.60±0.27 GPa、1105.99±68.39 MPa和7.13±0.37 MPa·m~(1/2);以Mg O-Y_2O_3为助剂时,在1600℃热压烧结制备的Si_3N_4陶瓷具有较高的致密度,显微结构含有长径比较高的晶须状Si_3N_4晶粒,并且具有优异的综合力学性能,其硬度、抗弯强度、断裂韧性分别为16.53±0.21 GPa、1166.90±61.73 MPa和6.74±0.17 MPa·m~(1/2)。因此,在研究烧结助剂对Si_3N_4陶瓷性能的影响时,需结合其特定合适的烧结温度,才能有望获得综合性能优异的Si_3N_4陶瓷。  相似文献   

5.
为研究功能材料对结构陶瓷微观结构和力学性能的影响,将铁电相BaNb2O6引入到Al2O3陶瓷中,分别采用无压和热压烧结技术于1350℃制备BaNb2O6/Al2O3复相陶瓷,对其物相组成、微观结构和力学性能进行了研究。结果表明:BaNb2O6与Al2O3经过高温烧结能够稳定共存,BaNb2O6的加入促进了Al2O3陶瓷的烧结。BaNb2O6加入量为10%(体积分数)时,1350℃无压烧结和热压烧结制备的BaNb2O6/Al2O3复相陶瓷的致密度、抗弯强度和断裂韧性分别为94.6%、214MPa、2.28 MPa m1/2和99.3%、332 MPa、3.55MPa m1/2。当裂纹扩展遇到BaNb2O6晶粒时发生穿晶断裂,但在晶粒内部出现裂纹偏转,说明铁电相BaNb2O6晶粒内部的微观结构有助于陶瓷的强韧化。  相似文献   

6.
以La2O3和Y2O3作为复合烧结助剂,采用热压烧结法制备了Si3N4基复合陶瓷材料。研究了保温时间和烧结助剂含量对复合材料微观结构及力学性能的影响。研究表明:所制备的Si3N4/TiC陶瓷复合材料的微观结构呈现纵横交错、相互嵌套的结构,晶粒尺寸呈现明显的双峰分布特征,单位面积内晶粒数量与烧结助剂含量之间呈线性降低关系。当烧结助剂质量含量为8%时,该复合陶瓷材料具有最优的力学性能,其抗弯强度、断裂韧性和Vickers硬度分别达到943MPa,8.38MPa·m1/2和16.67GPa。  相似文献   

7.
溶胶-凝胶法引入烧结助剂制备SiC-Y3Al5O12复相陶瓷   总被引:4,自引:0,他引:4  
以碳化硅、六水硝酸钇、九水硝酸铝和六次甲基四胺为主要原料,通过溶胶-凝胶法引入Al2O3和Y2O3复合烧结助剂,液相烧结制备得到SiC-Y3Al5O12(Y3Al5O12简称YAG)复相陶瓷.采用DTA、TEM、XRD等分析测试技术研究了溶胶-凝胶法引入复合烧结助剂过程及复合烧结助剂对SiC-YAG陶瓷的烧结性能、力学性能、物相组成与显微结构的影响.结果表明干凝胶在920℃左右已完全转变成YAG相,最终获得的YAG粒径小,并均匀分散在SiC表面的SiC-YAG复合粉体;复合粉体先干压、再等静压成型后,在1860℃下烧结45 min,所制得复相陶瓷的相对密度达到了96.5%,抗弯强度达到486 MPa,断裂韧性达到5.7 MPa·m1/2.  相似文献   

8.
《陶瓷》2017,(9)
利用氮化硅陶瓷的自增韧技术,使用复合烧结助剂和在氮化硅基体中添加长柱状β-Si_3N_4晶种,制备高断裂韧性的氮化硅陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜、阿基米德法、三点抗弯曲强度、单边切口梁法等测试方法对陶瓷的组成、显微结构、显气孔率以及抗弯强度和断裂韧性等进行了分析与表征。首先研究了无压烧结制备氮化硅陶瓷过程中,烧结助剂(Y_2O_3、Al_2O_3)对其烧结性能和力学性能的影响,当Y_2O_3含量为8wt%,Al_2O_3含量为4wt%时,氮化硅陶瓷的相对密度达95%以上,抗弯强度为674MPa,断裂韧性为6.34MPa·m~(1/2)。再通过引入La_2O_3提高氮化硅晶粒的长径比,使氮化硅陶瓷的抗弯强度和断裂韧性分别达到686MPa和7.42MPa·m~(1/2)。通过无压烧结工艺,在1750℃制备了长柱状的β-Si_3N_4晶种,晶种的平均长度为2.82μm,平均粒径为0.6μm,平均长径比为4.7。笔者着重研究了晶种对氮化硅陶瓷烧结性能和力学性能的影响。在氮化硅陶瓷中加入晶种后,其烧结性能和抗弯强度略有降低,但断裂韧性却得到了很大的提高;且随着晶种添加量的增加,断裂韧性先升高再降低,掺入量为2wt%时断裂韧性达到最大(7.68MPa·m~(1/2)),提高了20%以上。  相似文献   

9.
以h-BN为基体材料,ZrO2、AlN、B2O3和Si等为改性剂,采用反应热压烧结工艺制备BN-ZrB2-ZrO2复相陶瓷,研究了烧结温度对BN基复相陶瓷物相组成、致密化、微观结构及力学性能的影响。结果表明:提高烧结温度可促进ZrB2相的形成,烧结后的复合陶瓷中出现SiAlON相;随烧结温度升高,样品相对密度、抗弯强度和断裂韧性都呈现先升高后降低趋势,烧结温度为1 900℃时材料的相对密度、抗弯强度和断裂韧性最高,分别为95.2%、226.0MPa和3.4MPa·m1/2。ZrB2相的存在显著提高了BN基复相陶瓷的力学性能。与热压烧结纯BN陶瓷相比,BN-ZrB2-ZrO2复相陶瓷的抗弯强度提高了183%,且该复相陶瓷主要以沿晶断裂为主,高温下烧结的样品中出现晶粒拔出现象,并伴随有少量穿晶断裂。  相似文献   

10.
为研究功能材料对结构陶瓷微观结构和力学性能的影响,将铁电相 BaNb2O6引入到 Al2O3陶瓷中,分别采用无压和热压烧结技术于 1350 ℃制备 BaNb2O6/Al2O3复相陶瓷,对其物相组成、微观结构和力学性能进行了研究。结果表明:BaNb2O6与 Al2O3经过高温烧结能够稳定共存,BaNb2O6的加入促进了 Al2O3陶瓷的烧结。BaNb2O6加入量为 10%(体积分数)时,1350 ℃无压烧结和热压烧结制备的 BaNb2O6/Al2O3复相陶瓷的致密度、抗弯强度和断裂韧性分别为 94.6%、214MPa、2.28 MPa m1/2和 99.3%、332 MPa、3.55MPa m1/2。当裂纹扩展遇到 BaNb2O6晶粒时发生穿晶断裂,但在晶粒内部出现裂纹偏转,说明铁电相 BaNb2O6晶粒内部的微观结构有助于陶瓷的强韧化。  相似文献   

11.
Silicon carbide (SiC) ceramics have been fabricated by pressureless liquid phase sintering with Al2O3 and rare-earth oxides (Lu2O3, Er2O3 and CeO2) as sintering additives. The effect was investigated of the different types of rare earth oxides on the mechanical property, thermal conductivity and microstructure of pressureless liquid phase sintered SiC ceramics. The room temperature mechanical properties of the ceramics were affected by the type of rare earth oxides. The high temperature performances of the ceramics were influenced by the triple junction grain boundary phases. With well crystallized triple junction grain boundary phase, the SiC ceramic with Al2O3–Lu2O3 as sintering additive showed good high temperature (1300 °C) performance. With clean SiC grain boundary, the SiC ceramic with Al2O3–CeO2 as sintering additive showed good room temperature thermal conductivity. By using appropriate rare earth oxide, targeted tailoring of the demanding properties of pressureless liquid phase sintered SiC ceramics can be achieved.  相似文献   

12.
崔珊  王芬 《陶瓷》2010,(8):7-10
以自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,Y2O3、Dy2O3、La2O3为添加剂,采用真空热压烧结工艺,实现了含有添加剂的AIN陶瓷体的低温烧结;研究了烧结温度对AIN烧结性能的影响。用XRD、SEM对AIN高压烧结体进行了表征。研究表明:粉体粒径、烧结工艺、烧结助剂对AIN陶瓷低温烧结真空热压烧结性能有很大影响;含烧结助剂的真空热压烧结能够有效降低AIN陶瓷的烧结温度并缩短烧结时间,使烧结体的结构致密。烧结温度1550℃条件下,真空热压烧结90min时,得到的AIN陶瓷的致密度最高。  相似文献   

13.
Dense Sic ceramics were obtained by pressureless sintering of β-Sic and α-Sic powders as starting materials using Al2O3-Y2O3 additives. The resulting microstructure depended highly on the polytypes of the starting SiC powders. The microstructure of SiC obtained from α-SiC powder was composed of equiaxed grains, whereas SiC obtained from α-SiC powder was composed of a platelike grain structure resulting from the grain growth associated with the β→α phase transformation of SiC during sintering. The fracture toughness for the sintered SiC using α-SiC powder increased slightly from 4.4 to 5.7 MPa.m1/2 with holding time, that is, increased grain size. In the case of the sintered SiC using β-SiC powder, fracture toughness increased significantly from 4.5 to 8.3 MPa.m1/2 with holding time. This improved fracture toughness was attributed to crack bridging and crack deflection by the platelike grains.  相似文献   

14.
Highly conductive SiC-Ti2CN composites were fabricated from β-SiC and TiN powders with 10?vol% Y2O3-AlN additives via pressureless sintering. The effect of initial TiN content on the microstructure, and electrical and mechanical properties of the SiC-Ti2CN composites was investigated. It was found that all specimens could be sintered to ≥98% of the theoretical density. The electrical resistivity of the SiC-Ti2CN composites decreased with increasing initial TiN content. The SiC-Ti2CN composites prepared from 25?vol% TiN showed the highest electrical conductivity (~1163 (Ω?cm)?1) for any pressureless sintered SiC ceramics thus far. The high electrical conductivity of the composites was attributed to the in situ-synthesis of an electrically conductive Ti2CN phase and the growth of N-doped SiC grains during pressureless sintering. The flexural strength, fracture toughness, and Vickers hardness of the composite fabricated with 25?vol% TiN were 430?MPa, 4.9?MPa?m1/2, and 23.1?GPa, respectively, at room temperature.  相似文献   

15.
无压烧结Al2O3/SiC纳米复相陶瓷的研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
将粒径为30~35nm的β-SiC粉,加入亚微米尺寸的α-Al  相似文献   

16.
液相烧结SiC陶瓷   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用Al2O3、Y2O3为助烧剂,热压烧结获得了致密的α-SiC和β-SiC陶瓷,研究了起始粉末的性能对烧结体的物相组成和显微结构的影响。实验结果表明,Al2O3、Y2O3原位形成了YAG,材料以液相烧结机制致密化,并通过溶解和再析出机制,促进晶体生长。物相分析表明,β-SiC陶瓷粉末在烧结过程中发生了β→α的相变。显微结构观察显示,β-SiC陶瓷中生成了长柱状晶粒。  相似文献   

17.
以α-Si3 N4为原料,Y2 O3和MgO为复合烧结助剂,通过无压烧结制备出氮化硅陶瓷。为了优化实验配方和工艺参数,采用正交实验研究了成型压力、保压时间、保温时间、烧结温度、烧结助剂含量以及配比对氮化硅陶瓷气孔率和抗弯强度的影响规律。结果表明,影响氮化硅陶瓷气孔率的主要因素是烧结助剂含量和配比,而影响其抗弯强度的主要因素是烧结助剂配比和烧结温度。经分析得出,最佳工艺参数为成型压力16 MPa,保压时间120 s,保温时间2 h,烧结温度1750℃,烧结助剂含量12wt%,烧结助剂配比1∶1;经最佳工艺烧结后的氮化硅陶瓷,相对密度为94.53%,气孔率为1.09%,抗弯强度为410.73 MPa。  相似文献   

18.
Silicon carbide ceramics are very interesting materials to engineering applications because of their properties. These ceramics are produced by liquid phase sintering (LPS), where elevated temperature and time are necessary, and generally form volatile products that promote defects and damage their mechanical properties. In this work was studied the infiltration process to produce SiC ceramics, using shorter time and temperature than LPS, thereby reducing the undesirable chemical reactions. SiC powder was pressed at 300 MPa and pre-sintered at 1550 °C for 30 min. Unidirectional and spontaneous infiltration of this preform by Al2O3/Y2O3 liquid was done at 1850 °C for 5, 10, 30 and 60 min. The kinetics of infiltration was studied, and the infiltration equilibrium happened when the liquid infiltrated 12 mm into perform. The microstructures show grains of the SiC surrounded by infiltrated additives. The hardness and fracture toughness are similar to conventional SiC ceramics obtained by LPS.  相似文献   

19.
采用两组复合烧结助剂Y2O3-CaF2,Y2O3-CaF2-Li2CO3在1600℃烧结AlN陶瓷,对AlN陶瓷烧结密度,热性能和电性能进行了测试,并分析了AlN陶瓷物相变化和微观结构。结果表明,复合烧结助剂在低温下能明显促进AlN陶瓷致密化及晶粒生长发育,尤其是添加3wt%Y2O3-2wt%CaF2作烧结助剂,1600℃常压烧结4h制备了结晶良好,相对密度为98.4%,热导率为133.62W/m.K,同时具有较低相对介电常数的AlN陶瓷。在低温常压条件下制备出性能较高的AlN陶瓷。  相似文献   

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