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以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成分和微观形貌等进行了表征,实验结果表明保温时间达到24h时,获得产物为单相Sb2Se3纳米线晶体.根据实验结果还研究了水热合成Sb2Se3纳米线晶体可能的反应及生长机理,结果表明一维纳米线沿[001]方向生长,纳米线的形成与其独特的层状晶体结构有关.最后采用放电等离子体快速热压烧结法将水热合成的Bi2Te3纳米粉末与不同含量Sb2Se3纳米线进行复合,分析了Sb2Se3纳米线对Bi2Te3纳米材料热电性能的影响,发现复合约1at%Sb2Se3纳米线可以使Bi2Te3纳米材料热电性能有一定提高. 相似文献
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用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱仪(Raman)、热重分析(DSC)进行表征测试,结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3,计算所得晶格常数为a:11.6445A,b=11.792A,c=3.981A,;透射电镜结果说明Sb2Se3微米管晶体结构沿[001]方向择优生长;DSC测试Sb2Se3的熔点为624.5℃。同时本试验用固相烧结法制备了不同配比的Sb—Se材料,并用XRD和Raman表征测试了晶体结构. 相似文献
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在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景,通过铜膜生长法在SOI基上制备了形貌为类针状的Cu(OH)2前驱体纳米线,并采用热处理法600℃条件下成功制备了CuO纳米线。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射测试(XRD)对样品结构、形貌进行了表征。SEM、TEM测试结果表明,Cu(OH)2前驱体纳米线结构一致,尺寸均匀,表面光滑。在Cu(OH)2前驱体纳米线上二次生长的CuO纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构,CuO纳米线直径约为80~100nm,长度约为10μm,CuO纳米线结晶性良好。 相似文献
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采用一种新的合成技术,在复合氢氧化物熔融体中,以CuCl2·2H2和Se粉为原料在200℃下合成了Cu2Se纳米晶体,X射线衍射谱表明合成的Cu2Se纳米晶体属立方晶系结构,格点对称群为Fm3m(225),格点参数a=0.5765nm.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)图表明Cu2Se纳米晶体为厚度为10~20nm,宽度为200~300nm的片状结构.生长时加入少量的水会导致棒状非晶产生,水量越多棒状非晶的尺寸越大,使得Cu2Se晶体的均匀性和品质变差.根据配位多面体生长机理模型,计算了生长基元的稳定能,并探讨了在复合氢氧化物熔融中纳米Cu2Se晶体的形成机理. 相似文献
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采用液相法制备了Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线。对纳米线生长过程的分析表明,纳米线生长遵循溶液-固态-固相机理。前驱体首先受热分解形成Cu1.75S纳米晶,利用其结构中存在的Cu+空位溶解In3+和Zn2+,达到饱和后析出晶体形成Cu0.4In0.4Zn1.2S2固溶半导体纳米线。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)分析表明,纳米线呈曲折Z形,长度为5μm,具有纤锌矿结构。 相似文献
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Cu/TiO2 纳米线的制备及其光催化性能 总被引:1,自引:1,他引:0
以P25粉体为原料,采用水热法合成了TiO2 纳米线,通过NaBH4还原CuCl2溶液,在TiO2纳米线的表面负载了Cu纳米颗粒.利用透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光谱(UV-Vis)对产物进行了表征.结果表明,Cu纳米粒子均匀分散在纳米线表面,并且该Cu/TiO2纳米线在可见光区域表现出较强的吸收性能.光催化降解酸性红3R染料溶液测试表明,在TiO2纳米线表面负载Cu纳米颗粒对提高其催化性能具有积极作用. 相似文献
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Ren Wuyang Li Handong Gao Lei Li Yong Zhang Zhongyang Long Chengjia Ji Haining Niu Xiaobin Lin Yuan Wang Zhiming 《Nano Research》2017,10(1):247-254
Nano Research - Thermal transport in superlattices is governed by various phonon-scattering processes. For extracting the phonon-scattering contribution of hetero-interfaces in chalcogenide... 相似文献
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低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料, 在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明: 气相传输法合成的单晶Bi2Se3纳米片、纳米带相纯度高, 结晶性能好, 均是{001}取向; Bi2Se3纳米片水平尺寸大, 约为15~180 μm; Bi2Se3纳米带长度达860 μm, 宽度约5 μm。根据不同温度下制备的Bi2Se3纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异, 分析了其可能的生长机制: 在较高温度下沿<001>和方向生长速度快, 生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米片; 在较低温度下, 沿方向生长速度快, 生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi2Se3纳米材料的制备工艺, 有望在微电子器件领域得到商业化应用。 相似文献
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Nearly monodisperse spherical amorphous Se colloids are prepared by the dismutation of Na2SeSO3 solution at room temperature; by altering the pH of the solution, amorphous Se colloid spheres with sizes of about 120 nm,
200 nm, 300 nm, and 1 μm can be obtained. Se@Ag2Se core/shell spheres are successfully synthesized by using the obtained amorphous Se (a-Se) spheres as templates, indicating
the potential applications of these Se nanomaterials in serving as soft templates for other selenides. Meanwhile, selenium
nanowires are obtained through a “solid-solution-solid” growth process by dispersing the prepared Se spheres in ethanol. This
simple and environmentally benign approach may offer more opportunities in the synthesis and applications of nanocrystal materials.
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Hang Yang Congwei Tan Chuyun Deng Renyan Zhang Xiaoming Zheng Xiangzhe Zhang Yuze Hu Xiaoxiao Guo Guang Wang Tian Jiang Yi Zhang Gang Peng Hailin Peng Xueao Zhang Shiqiao Qin 《Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》2019,15(43)
Bi2O2Se is emerging as a photosensitive functional material for optoelectronics, and its photodetection mechanism is mostly considered to be a photoconductive regime in previous reports. Here, the bolometric effect is discovered in Bi2O2Se photodetectors. The coexistence of photoconductive effect and bolometric effect is generally observed in multiwavelength photoresponse measurements and then confirmed with microscale local heating experiments. The unique photoresponse of Bi2O2Se photodetectors may arise from a change of hot electrons during temperature rises instead of photoexcited holes and electrons. Direct proof of the bolometric effect is achieved by real‐time temperature tracking of Bi2O2Se photodetectors under time evolution after light excitation. Moreover, the Bi2O2Se bolometer shows a high temperature coefficient of resistance (?1.6% K?1), high bolometric coefficient (?31 nA K?1), and high bolometric responsivity (>320 A W?1). These findings offer a new approach to develop bolometric photodetectors based on Bi2O2Se layered materials. 相似文献
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多元醇法制备和表征Sb2Se3纳米线 总被引:2,自引:0,他引:2
以自制的NaHSe乙醇溶液为硒源,在PEG-400无水体系中采用多元醇法,在180℃生长10h制备了直径100~200nm,长度可达十几微米的纳米线.产物通过XRD、TEM、HRTEM、FESEM、EDS和UV-Vis等手段进行了表征,并研究了不同多元醇对产物形貌的影响.研究表明,PEG-400作为结构导向剂在制备一维Sb2Se3纳米线中发挥着至关重要的作用,并且无水环境为纳米晶的生长提供了更加纯净的条件,有利于制备高质量的纳米晶. 相似文献