纳米Cu_2Se的制备及其生长机理分析

采用一种新的合成技术,在复合氢氧化物熔融体中,以CuCl2·2H2和Se粉为原料在200℃下合成了Cu2Se纳米晶体,X射线衍射谱表明合成的Cu2Se纳米晶体属立方晶系结构,格点对称群为Fm3m(225),格点参数a=0.5765nm.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)图表明Cu2Se纳米晶体为厚度为10～20nm,宽度为200～300nm的片状结构.生长时加入少量的水会导致棒状非晶产生,水量越多棒状非晶的尺寸越大,使得Cu2Se晶体的均匀性和品质变差.根据配位多面体生长机理模型,计算了生长基元的稳定能,并探讨了在复合氢氧化物熔融中纳米Cu2Se晶体的形成机理.     

基于ZnO纳米带的纳米器件

ZnO作为一种被人们广泛研究的具有优良性质的半导体材料,在具有了纳米带状结构之后,展现出了更多的奇特性质.主要介绍了ZnO纳米带的合成以及ZnO纳米带二极管、激光器、微悬臂和声学谐振器等4种基于ZnO纳米带的纳米器件的制作及其性能的研究.     

氟化物纳米晶的制备及生长机理分析

采用一种新的合成技术,在固熔的复合氢氧化物中,200℃、24h的生长条件下制备了立方相的CaF2、KCrF3纳米颗粒和六方相PbF2纳米片.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和UV-vis分光光度计对合成纳米晶的粒径、形貌和光学性质进行了表征.结果表明,使用复合氢氧化物固熔法合成的氟化物纳米晶体结晶良好且尺寸均匀,通过UV-vis吸收谱发现,所合成的氟化物纳米晶在紫外或深紫外区域具有强烈吸收.基于结晶学、结晶化学和现代溶液理论对氟化物纳米晶的生长机理进行了分析.     

管径相关的多壁碳纳米管膜的压阻效应

利用三点弯曲法研究了不同管径的碳纳米管膜的压阻效应,实验结果表明,管径较小的碳纳米管膜与管径大的碳纳米管膜相比具有更显著的压阻效应,并对电阻随应力变化的机制作了详细的讨论.     

基于ZnO纳米带的纳米器件

ZnO作为一种被人们广泛研究的具有优良性质的半导体材料，在具有了纳米带状结构之后，展现出了更多的奇特性质。主要介绍了ZnO纳米带的合成以及ZnO纳米带二板管、激光器、微悬臂和声学谐振器等4种基于ZnO纳米带的纳米器件的制作及其性能的研究。