Dissymmetrical 3×3 Coupled Optical Accelerometer

Without adding feedback to modulate light path system, the dissymmetrical 3×3 coupled optical accelerometer reduces the complexity of the design of light path system. Experiments prove that it can attain good demodulation effects. As carrier is not needed in this system, the frequency range of input signal is diminished so as to decrease the sampling frequency of accelerometer. This makes for the system on programmable chip(SOPC) design of digital demodulating system. The upper limit of accelerometer working frequency can reach 3 500 Hz. But affected by the inherent frequency of sensitive components, its working frequency is 10 Hz～1 000 Hz, and the sensitivity is 8.718 0 V/(m·s-2). This accelerometer can detect the dynamic range of acceleration signal real-timely, steadily and accurately, solving the dissymmetrical problem of light path caused by circumstances and the complexity of process.     

3D手机未来在3G

在2G时代,3D手机的优势功能无法充分发挥作用,随着3G的到来,3D＋3G手机很有可能成为下一个手机的热点,并促进中国3G的大规模运营。     

BiYbO_3-BaTiO_3-LiNbO_3陶瓷微结构与性能研究

研究了不同成分的BiYbO_3-BaTiO_3-LiNbO_3陶瓷的晶体结构、表面形貌与介电、铁电性能。研究结果表明,BiYbO_3-BaTiO_3-LiNbO_3预烧粉体均为纯相,烧结后试样中存在少量的Bi2O_3和Yb_2TiO_5第二相,其组织致密、多边形状晶粒中有少量细小的球状晶粒存在。0.25BY-0.7BT-0.05LN陶瓷的介电常数最大(ε_(rmax)=280),剩余极化强度相对较大,P_r=0.47μC/cm2,矫顽场强E_c=19.04kV/cm。0.1BY-0.8BT-0.1LN陶瓷的剩余极化强度最大(P_(rmax)=0.83μC/cm~2),矫顽场强E_c=17.86kV/cm。     

3D手机成新卖点,有助3G发展

从单一的移动通信终端到动感娱乐时尚的载体，随着技术的发展，手机所承载的功能也越来越丰富和多样化。近两年，时尚因素巳成为影响手机市场的主要因素，从彩屏手机迅速将黑白屏手机逐出主流市场，到现在正在进行的百万像素拍照手机普及风暴，都是时尚娱乐因素在手机业掀起了声势浩大的更新换代运动。这也决定了手机终端厂商、增值服务提供商和运营商将大众娱乐时尚作为市场开拓上的着力点。     

CH3NH3PbI3钙钛矿太阳电池晶粒尺寸及光电性能调控

钙钛矿薄膜的晶粒尺寸对器件性能影响很大。采用湿润性不同的空穴传输层以及不同浓度的CH3NH3I（MAI）溶液,使用热退火和溶剂气氛退火的方法制备出CH3NH3PbI3薄膜及相应电池。测量了不同制备条件的钙钛矿薄膜的X射线衍射、扫描电子显微镜、光致发光谱,以及器件的电流密度-电压曲线。结果表明,溶剂气氛退火可以有效地增大薄膜的晶粒尺寸,提高器件的电流密度;较高浓度的MAI能将PbI2完全转化为CH3NH3PbI3,增大晶粒尺寸;不湿润的功函数更高的空穴传输层有利于电池效率的提高。制备了最高效率为13.3%的CH3NH3PbI3钙钛矿电池,为制备更大晶粒的钙钛矿薄膜与更高效率的钙钛矿太阳电池奠定了基础。     

Ho^3＋，Yb^3＋：YAl3（BO3）4晶体的光谱特征

采用助熔剂法生长了Ho3+,Yb3+共掺的Ho3+,Yb3+:YAl3(BO3)4(Ho,Yb:YAB)晶体,测量了晶体的室温吸收谱,进而根据Judd-Ofelt(J-O)理论计算了Ho3+在Ho,Yb:YAB晶体中的强度参数、自发辐射几率和积分发射截面等参数,得到强度参数为Ω2=1.50639×10-18cm2、Ω4=4.86489×10-19cm2和Ω6=1.40248×10-19cm2。研究了晶体的荧光特性,并在976 nm激光泵浦下得到了上转换绿色荧光。     

Zn3(BO3)(PO4)∶Ce3+/Tb3+中的发光特性及其能量传递

采用高温固相法合成了一系列Ce3＋、Tb 3＋及Ce3＋/Tb3＋掺杂的Zn₃(BO₃)(PO₄)荧光粉, 研 究了材料的发光性能。结果显示,在Ce3＋、Tb3＋在Zn₃(BO₃)(PO₄)中,分别发射蓝和绿色光, 同时,Ce3＋的发射光谱和Tb3＋的激发光谱有明显的重叠,通过分析Ce 3＋、Tb3＋共掺时,材料 的荧光寿命曲线,发现在Zn₃(BO₃)(PO₄):Ce3＋/Tb3＋中 ,Ce3＋对 Tb3＋有明显的能量传递,在实验范围内,能量传递效率可以达 到68%。     

3D手机的价值：持续性的3D体验

文章介绍了3D手机的概念和3D手机能为消费者带来的独特的视觉欣赏体验，分析了过去几年出现的3D手机的功能特点和它们无法流行的原因，在此基础上提出了评价3D手机价值的“3D占比值”的概念以衡量3D手机能为消费者带来的3D体验的深度和广度。     

3D产业现状及关键技术

从3D产业链角度出发,分析国内外3D产业的发展现状,逐一对3D内容制作、3D编解码、3D传输存储及3D显示技术等3D关键技术进行介绍,最后就目前制约3D电视产业发展的一些问题提出建议。     

Flash Papervision3D中3D Web应用程序设计

为了能将日益应用广泛的Papervision3D、能在Flash Player中播放的目的,采用较为新颖的3D引擎方法,做了三维到二维的转换、Flint粒子系统实验,实现了平滑拉近物体从远处拉近及喷泉的效果.通用开源Flash 3D渲染引擎中Papervision3D是基于ActionScript的开源项目,而Flash在3D领域的应用相对贫乏,在Flash Player中播放,则具备体积小、与用户交互能力强、效果逼真的3D Web应用程序特点.     

3GPP关于3G演进（LTE）的工作情况

随着新技术的不断出现以及移动通信理念的变革,为了把握新一轮的技术浪潮,保持在移动通信领域的领导地位,2004年底3GPP启动了关于3G演进型系统,即LTE的研究与标准化工作,并且计划在2007年发布第一个版本的系统规范。目前,该项目已经进行了将近一年的时间,各个方面的研究都取得了一定的进展。本文简要介绍了该项目的背景情况,目前的进展和相关的趋势。     

Y3MgAl3SiO12:Dy 3+,Eu 3+荧光粉的能量传递与暖白光实现

采用高温固相法合成了Dy ³⁺、Eu ³⁺共掺杂Y₃MgAl₃SiO₁₂石榴石型荧光粉。采用XRD、荧光光谱仪等仪器对样品的结构以及光谱特性进行表征,探究了Dy ³⁺/Eu ³⁺在Y₃MgAl₃SiO₁₂基质结构中的光谱特征以及离子间的能量传递机制。在367 nm近紫外光激发下,Y₃MgAl₃SiO₁₂:Dy ³⁺,Eu ³⁺的发射光谱包含Dy ³⁺的6F9/2到6H15/2和6H13/2的电子跃迁特征发射(487 nm蓝光和592 nm黄光)和Eu ³⁺的5D0 7F2 and 5D0 7F4特征发射峰(616 nm和710 nm红光)。在400~500 nm范围内Dy ³⁺发射谱与Eu ³⁺激发谱重叠,表明Dy ³⁺与Eu ³⁺之间存在着能量传递,能量传递的机理为电四极-电四极相互作用。该荧光粉通过调整Dy ³⁺和Eu ³⁺的掺杂浓度比封装近紫外LED芯片,可以实现单基质暖白光LED照明。     

CH3NH3PbI3/p-Si异质结的光电特性研究

利用一步溶液法在p型Si衬底上生长有机/无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜,构成CH3NH3PbI3/p-Si异质结。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌和结构进行表征,通过无光照和有光照条件下的电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)测试对异质结的光电特性进行研究。I-V测试结果显示CH3NH3PbI3/p-Si异质结具有整流特性,正反偏压为±5V时,整流比大于70,并在此异质结上观察到了光电转换现象,开路电压为10mV,短路电流为0.16uA。C-V测试结果显示Ag/CH3NH3PbI3/p-Si异质结具有与MIS(金属-绝缘层-半导体)结构相似的C-V特性曲线,与理想MIS的C-V特性曲线相比,异质结的C-V曲线整体沿电压轴向正电压方向平移。C-V特性曲线的这种平移表明Ag/CH3NH3PbI3/p-Si异质结界面存在界面缺陷,CH3NH3PbI3层也可能存在固定电荷。这种界面缺陷是导致CH3NH3PbI3/p-Si异质结开路电压的大幅度降低的重要原因。此外,CH3NH3PbI3薄膜的C-V测试结果显示其具有介电非线性特性,其介电常数约为4.64。