基于PIC16C781的激光电源的设计

根据电源装置小型化和低功耗的要求,采用PIC16C781芯片从低压源产生高压电,提供给探测器和激光器所需的偏置电压.说明了使用PIC16C781产生高压电的基本升压拓扑原理,PIC16C781在激光测距仪偏置高压电源中的硬件和软件设计,介绍了PIC单片机的PWM模块以及用PIC构成的闭环反馈.通过实际应用验证,该设计结构简单,体积小,输出电压恒定可靠.     

PIC单片机在激光电源中的应用

设计了一种由电池供电的手持激光测距仪的APD偏置高压电源.该电源采用PIC16C782单片机作为主控芯片,从低压源产生高压电,通过脉宽调制改变输出电压提供给探测器和激光器,实现闭环控制.阐述了该电源Boest型直流升压的基本工作原理、硬件组成和软件设计.通过实验验证,该设计结构简单,功耗低,体积小,输出电压恒定可靠.     

低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计

提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.     

低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计

提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.     

一种自动校准的低噪声放大器偏置电路

设计了一款用来偏置增强型和耗尽型A类低噪声放大器的电源芯片,通过自动校准外接放大器的栅压使其漏端电流保持恒定。芯片在温度、电源、工艺变化时实现了良好的偏置稳定性,并且避免了这些变化导致的放大器RF性能的退化。测试结果表明,它提供的漏压范围为4~12 V;漏电流范围为20~200 m A;漏电流随数字电源的变化率为0.79%、随温度的变化率为0.022%;漏电压随温度的变化率为0.07%。芯片内部集成负压电荷泵电路偏置耗尽型放大器,产生-2.45 V的电压。芯片使用0.25μm BCD工艺制造,面积为16 mm×1.6 mm。     

带自校准功能的精密ADC芯片ADS1100及其应用

ADS1100是具有自校准功能的16位精密A／D转换器。它使用I^2C串行接口，以电源电压作为参考电压，有单次和连续两种数据转换模式，而且体积小，功耗低，是高分辨率采样测量电路的理想A／D转换芯片。文中对ADS1100芯片的主要特点、引脚、内部结构、工作原理和典型应用电路进行了详细的阐述，最后给出了具体的使用建议。     

PIC16C5X与A/D芯片接口的实现方法

针对在电子测控系统中常用的PIC16C5X系列单片机的特性,以PIC16C57和ADC0809的接口为例,对PIC16C5X单片机与A/D芯片接口的实现原理和方法进行了详细分析,提出一种新的接口实现方法,用寄存器f9的低4位控制产生与ADC0809相适应的时序,实现PIC16C57与ADC0809之间的时序配合,完成A/D转换过程。给出了硬件连接图和软件流程及在实际测量系统中的试验结果。     

便携可编程精密基准电压产生器

本文给出一个电池供电的可编程基准电压产生器,其输出电压范围0～4.0955V。用按钮可选择8000多个电压。图1为具体的硬件电路。在关断电源时,所选择的电压保存在非易失性存储器中。图中，MAX5130 13位串行D/A变换器产生基准电压。该器件具有一个内部基准和一个运放,故不需要外部元件发送精密电压。PIC16C84微控制器用于接受输入命令和控制输出电压,通过3条线发送数据到MAX5130。PIC16C84具有内置EEPROM,用于在没有电源时存储输出数据。4个按钮控制输出电压增加或减少。开关S2和S4使步长为0.5mV增量。开关S3和S5改变100个步长(50m…     

数字式可调LCD偏置电源芯片MAX749及应用

LCD偏置电源芯片MAX749能产生液晶显示器所需的负电压,本文介绍了它的性能和具体应用,以及在选择外围元件时应注意的几个问题。     

一种用于开关电源启动电路的新型自偏置高压器件结构

设计了一种新的用于离线式集成开关电源启动电路的自偏置高压器件结构.对一个RESURF高压(功率)器件的此种自偏置方法进行了原理分析和仿真模拟.采用该结构集成开关电源的启动电路可以节省芯片面积,降低电路功耗,易于控制且可提供较大的芯片内部电源电压.     

高电源电压抑制比基准电压源的设计

在此通过对带隙基准电压源电路进行建模分析,针对逆变电路的中低频使用环境,设计了一个应用于高压逆变器电路中的高电源电压抑制比,低温度系数的带隙基准电压源。该电路采用1μm,700 V高压CMOS工艺,在5 V供电电压的基础上,采用一阶温度补偿,并通过设计高开环增益共源共栅两级放大器来提高电源电压抑制比,同时使用宽幅镜像电流偏置解决因共源共栅引起的输出摆幅变小的问题。基准电压源正常输出电压为2.394 V,温度系数为8 ppm/℃,中低频电压抑制比均可达到-112 dB。     

新型智能化脉冲激光电源

介绍了一种基于PIC16C74B单片微处理器控制的脉冲激光开关电源.在电源内部采用软硬件相结合,采取数字化控制和多种抗干扰技术,优化电路设计,增加了可靠性,方便了计算机对电源的管理和控制,研制出一种新型的智能化激光电源.     

高压电源的慢启动电路改进

针对经常性造成高压设备打火,影响发射机可靠性的某型号雷达发射机高压电源加高压瞬间电压过冲现象,深刻剖析原因,给出解决此问题的几种方案,对于栅控行波管发射机的高压电源的慢启动有借鉴意义.     

大功率CO激光器低频预电离电源

简要讨论了自行研制的用于大功率CO激光器的低频预电离电源.电源输出电压范围为0～3kV;输出电流范围为0～300mA;频率1～20kHz.本电源简单、可靠、紧凑,已成功地应用于千瓦级CO激光器的预电离.     

High-Voltage Analog System for a Mobile NAND Flash

High-voltage analog circuits, including a novel high-voltage regulation scheme, are presented with emphasis on low supply voltage, low power consumption, low area overhead, and low noise, which are key design metrics for implementing NAND Flash memory in a mobile handset. Regulated high voltage generation at low supply voltage is achieved with optimized oscillator, high-voltage charge pump, and voltage regulator circuits. We developed a design methodology for a high-voltage charge pump to minimize silicon area, noise, and power consumption of the circuit without degrading the high-voltage output drive capability. Novel circuit techniques are proposed for low supply voltage operation. Both the oscillator and the regulator circuits achieve 1.5 V operation, while the regulator includes a ripple suppression circuit that is simple and robust. Through the paper, theoretical analysis of the proposed circuits is provided along with Spice simulations. A mobile NAND Flash device is realized with an advanced 63 nm technology to verify the operation of the proposed circuits. Extensive measurements show agreement with the results predicted by both analysis and simulation.     

低抖动Marx型触发源系统设计与实验

设计了一套具有低输出抖动的小型Marx型触发源系统。将充电、触发电源等进行了整体集成,结合高储能密度的四端型薄膜电容器设计,实现了系统的紧凑化,体积仅0.20 m3。将场畸变气体开关电极设计为环形轨道状,采用平面触发方式,以利于开关的低抖动输出和稳定工作。该系统输出电压、工作频率分别在10~90 kV,1~30 Hz范围内独立可调。以30 Hz重复频率工作300次,输出抖动的最大偏差(极差)仅为13.0 ns。相比30 Hz、30次结果,工作时间延长了9倍,输出抖动极差仅增加了38%,表现出极低的输出抖动和高的稳定性,是一种理想的高压触发源系统。     

A Low-Power Self-Forward-Body-Bias CMOS LNA for 3–6.5-GHz UWB Receivers

A low-power low-noise amplifier (LNA) implemented in 0.18 $mu$m CMOS technology utilizing a self-forward-body-bias (SFBB) technique is proposed for UWB low-frequency band system. By using the SFBB technique, it reduces supply voltage as well as saves additional bias circuits, which leads to low power consumption of 4.5 mW with low supply voltage of 1.06 V for two drain-to-source voltage drops. The complementary architecture and direct coupling technique between the first two stages also save bias circuits. The measurement result shows that the proposed LNA presents a maximum power gain of 16 dB with a good input impedance matching (${rm S}11 < - 12$ dB) and an average noise figure of 2.65 dB in the frequency range of 3–6.5 GHz.      

激光器用快速退压式电光Q开关驱动器的研制

研制了一种快速退压式电光Q开关驱动器,它具有结构简单、稳定性好、体积小且成本低的优点。由基于PWM型集成控制器SG3525的升压型DC/DC开关电源提供0V至1500V的高压直流电平,稳定度在0.2%以内,纹波小于300mV;采用高压功率场效应管作为开关器件,获得了频率在1KHz至50KHz、高电平在0V至1200V可调、下降沿可达6ns的高压负脉冲;采用LiNbO3晶体作为电光晶体,运用于小功率Nd：YVO4激光器的电光调Q,工作在高电平为725V,频率为10KHz时,获得了脉宽约13ns的脉冲激光输出。     

设计高频高压场效应晶体管的一些考虑

高频高压场效应晶体管(LDMOS)是功率MOS器件中同时具有高频高压性能的一种器件,也是目前广泛用于HVIC(高压集成电路)及PIC(功率集成)电路的器件之一。本文从结构上描述了器件的高频、高压特性,并提出了一些可提高这些性能的措施和设计思想。