C60单晶电子结构的同步辐射光电子谱研究

测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO－1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。     

K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C60单晶（111）解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源，在低温下（约150K）测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰，这些子峰的最大色散超过0.5eV，并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合，只是子带间隔差异较大。     

K3C60能带色散和分子取向结构

测量了K3C60单晶薄膜[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。首次观察到K3C60能带色散。通过对能带色散关系的分析，确立了K3C60低温下的一维无序取向结构。     

K3C60光电离截面振荡

对K3±δC60多晶薄膜进行了同步辐射光电子谱研究。入射光子能量为17－86cV。实验发现K3±δC60光电子谱的HOMO－1，HOMO及LUMO等导出能带的谱峰强度均随入射光子能量的增加而呈现振荡的性质，与纯C60的光电子谱峰随入射光子能量变化的趋势相似。结果C60分子独特的笼状几何结构，认为其电离截面的变化是由于K3±δC60的末态电子在C60分子笼内形成球状驻波引起的。以驻波的边界条件为基础进行理论计算，得到的电离截面极小值对应的光子能量与实验得到的结果符合良好。     

Pr1—xSrxMnO3体系价带的光电子能谱研究

对于x从0．0到0．4之间变化的Pt1-xSrxMnO3多晶体所进行的价带光电子能谱实验显示，在Fermi边和Fermi边以下－12eV范围内出现的能带态密度随掺杂量x有一个显的变化。对这些现象以Pr1-xSrxMnO3体系在基态下发生电荷转移为出发点进行了讨论。提出了随掺杂量x的非线性电荷转移机制和存在由电荷转移导致的二级相变的可能性。     

MgO晶体中F型色心的电子结构和光学吸收谱研究

运用嵌入原子簇的电荷自洽离散变分方法（SCC－DVM－Xα方法）对MgO晶体中F型色心的电子结构进行了计算,并利用能量最小原理优化了色心格点周围的Mg,O离子结构,得到了MgO晶体中F,F^ 和F^2 心的能带,态密度,并讨论了色心的光学跃迁模式。计算结果表明,F,F^ 和F^2 心在MgO晶体的禁色中引入了色心能级,F和F^ 心的光学跃迁能分别是4．67eV和4．66eV,电子从色心激光发态跃迁到导带底需要吸收大的光电子跃迁能量。计算结果与实验结果符合较好,说明计算结果是合理的。     

芥子碱对DNA及其组份电荷转移保护机理的ESR研究

为了探讨对DNA及其组份的电荷转移保护机理,继咖啡酸之后研究了另一个羟基肉桂酸衍生物——芥子碱的保护效应。芥子碱也属于苯基取代不饱和羧酸而且它的电子亲和势与咖啡酸非常接近,但其电离电位(ε_(HOMO):-11.27eV)却明显低于咖啡酸(ε_(HOMO):-11.74eV),因此芥子碱应对DNA呈现更强的保护效应。例如,当DNA—芥子碱二元体系中芥子碱的克分子比明显低于DNA—咖啡酸中咖啡酸的克分子比时低温辐照并测定的ESR波谱以及室温退火后测定的ESR波谱均呈现很强的芥子碱信号,未发现以胸腺嘧啶五位自由基的特征的任何痕迹,说明芥子碱对DNA的保护效应比咖啡酸强。     

一种新型的微束XRF谱仪

本文介绍一种新型高能量分辨微束X荧光分析谱仪,它由导管X光透镜和使用位置灵敏正比计数管的波长色散谱仪组成。实验结果表明本谱仪使用的X光透镜形成的X光微束的最小束径对Cu Kα线为50μm,一次测量同时覆盖的能量范围可达800eV以上,而对Ti Kα线的能量分辨达到4.4eV。     

K3C60单晶膜制备及同步辐射光电子谱表征

根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。     

NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展

综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin轨道(FP—LMTO)方法，计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构，从理论上证明了Zn境隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因，并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响。利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散。首次通过全势绕加平面波（FPLAPW）方法，对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算。我们的计算结果显示出顶层Si—C键长收缩且发生扭转的驰豫特性，而表面弛豫实现了从金属性到半导体件质的转变。     

铀的电子能量损失谱密度泛函理论计算及实验研究

采用密度泛函理论计算及实验获取了铀的电子能量损失谱（Electron energy loss spectroscopy,简称EELS）。计算的谱峰位置与实验一致。结合计算得到铀的能带及态密度对计算谱及实验谱特征峰进行分析,结果表明：由于铀的5f电子形成窄带对等离子体振荡贡献较小,6p电子的共振跃迁致使等离子振荡频率降低;实验谱中13．3eV能量损失峰为体等离子体振荡峰,20．3eV能量损失峰为6p能带到费米能级跃迁能量损失峰,27．6eV能量损失峰为两次体等离子振荡吸收峰。     

K3C60单晶薄膜制备及表征

根据K在C60晶体中的扩散系数分析了在C60（111）单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。     

全无机钙钛矿CsPbI2Br与Spiro-OMeTAD界面电子结构的研究

全无机钙钛矿太阳能电池因其出色的相稳定性和热稳定性而日益成为研究热点。在钙钛矿太阳能电池中，空穴传输层和钙钛矿界面电子结构对器件的性能起着决定性的作用。合适的界面电子结构才能促进光生空穴从钙钛矿层到空穴传输层的高效率注入，同时有效阻挡光生电子的注入，以减少空穴与电子的复合。鉴于全无机钙钛矿太阳能电池中空穴传输层和钙钛矿界面电子结构的重要性，本文在全无机钙钛矿CsPbI₂Br衬底上真空蒸镀Spiro-OMeTAD分子，然后进行原位X射线和紫外光电子能谱表征，测定了CsPbI₂Br与SpiroOMeTAD的界面电子结构。结果表明：虽然Spiro-OMeTAD与钙钛矿基底的相互作用不明显，但仍会形成界面态导致界面处电子的积累，在CsPbI₂Br基底侧和Spiro-OMeTAD侧分别发现了0.13 e V和0.27 eV向上的能带弯曲，并形成了0.18 eV的界面电偶极子。由此，界面处空穴注入势垒Spiro-OMeTAD最高占据分子轨道和CsPbI₂Br价带顶的能级差为0.23 eV，有利于空穴的注入和提取...     

海底原位PGNAA探测含水率对中子分布影响研究

运用MC法模拟14 MeV快中子进入沉积物后的物理过程,得到了不同深度下沉积物中子能谱分布,分析了0~1 eV中子在沉积物中横、纵向分布规律以及含水率与Cl~-浓度对中子分布的影响,探讨了模拟条件下0~1 eV中子扩散的最大深度范围。结果表明:沉积物含水率对中子能谱分布和0~1 eV中子横、纵向分布均有显著影响,进行中子活化的最佳深度为2 cm处;0~1 eV中子扩散的最大深度范围为20~40 cm;海水中Cl~-浓度对中子吸收有影响但影响不显著。     

基于PC的光学速管色散段磁极间隙调节系统

描述了合肥国家同步辐射实验室光学速调管色散段磁极间隙调节系统的原理和结构。该调节系统已 ＮＳＲＬ的储存环自由电子激光实验中，效果良好，调节精度可高达１０＾－３ｍｍ。     

软X射线波段多层膜-多层膜光栅单色器

从多层膜和多层膜光栅的衍射特性出发,得到了适用于软X射线波段的组合式多层膜－多层膜光栅单色器的工作原理和色散性质。如果多层膜和多层膜光栅的反射面之间保持适当的夹角,该夹角取决于多层膜的周期和光栅的周期之比,则由单色器出射的光束仍保持与入射光束平行,且有很好的色散及量承原光强输出。     

软X射线绝对光强测量系统及其标定

详细介绍了软X射线绝对光强测量系统的设计和结构及其标定的情况和结果。测量系统包括电离室、监测（或待标定）探测器及其传动系统两部分，可作为50－2000eV软X射线绝对强度测量的一级标准探测器，并给出了系统的偏差。     

朝阳1号聚碳酸酯中径迹退火研究

本文报道了朝阳1号聚碳酸酯固体径迹探测器中^208Pb和^93Nb离子径迹的退火行为。给出了退火温度和时间对退火速率的影响，温度对VT的影响。^208Pb和^95Nb的退火活化能分别为0．891eV和0.352eV。     

基于PC的光学速调管色散段磁极间隙调节系统

描述了合肥国家同步辐射实验室（ＮＳＲＬ）光学速调管色散段磁极间隙调节系统的原理和结构。该调节系统已应用在ＮＳＲＬ的储存环自由电子激光实验中,效果良好,调节精度可高达１０－３ｍｍ。     

用同步辐射光研究CO在Cs／Ru（101^—0）表面的吸附

（CO＋Cs)/Ru(101^-0)共吸附的体系中，CO分子由于受Cs原子强烈影响，分子轨道发生重新杂化组合。CO分子原来在清洁Ru(101^-0)表面上结合能位于7.5eV处相重叠的5σ和1π轨道对应谱峰分裂为两峰，结合能分别位于6.3和7.8eV处，其中6.3eV处的谱峰来自CO分子1π轨道的一支，它显示出该分子轨道沿衬底＜0001＞晶向的镜面反对称性。CO分子1π轨道的另一支和5σ轨道在结合能7.8eV处相重叠。