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相似文献
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1.
问题一:“稳压管及基准电压”解答范金荣在选用稳压二极管时 1.6V左右的稳压管温度系数最低,稳压值大于6V的稳压管温度系数为正;小于6V的稳压管温度系数为负。 2.大约8V的稳压二极管其击穿特性最硬,小于4V的稳压管击穿特性最软。故工作电流变化较大的应用场合应选8V左右的稳压管,在需要较低基准电压的应用场合不宜选稳压二极管。而应选稳压精度高得多且价格低廉的集成基准电压IC如LM385-2.5(2.5V)LM385-1.2(1.235V)使用。  相似文献   

2.
<正> 目前,国内外的压敏电阻器,从主体材料来看主要有氧化锌、碳化硅、氧化钛和钛酸锶等几个大类。其中生产量最多、品种规格最全的是氧化锌压敏电阻器。压敏电阻器的伏安特性类似于晶体稳压管的反向击穿特性,即当加在器件上的电压超过“击穿电压后,电流随电压的增大而急剧上升。但是,与稳压管相比,压敏电阻  相似文献   

3.
303型电位差计是我国早期生产的低电势直流电位差计。由于采用干电池供电,长时间使用后,电压下降,影响测量精确度。采用交流电源和硅稳压管代替标准电池供电能提供恒定的工作电流,对保证仪器精确度,减少故障有一定作用。改进后的线路如图所示。一、稳压电源的制作稳压电源采用两级稳压方式,见图。电源由220V经变压器供电,输出2×35V高流电压,经二极管D_1、D_2,电容C全波整流滤波后获得47V左右直流电压,经第一级稳压管D_3稳压后,获得的11V的稳定电压,然后又经第二级稳压管D_4进一步稳压,输出约6V稳定直流标准电压。再经限流电阻R_3、R_4及铜补偿电阻R_5后,供给电位差计测量回路一个恒定的3mA的工作电流。此电流在测量盘上产生连续的0~71 mV的补偿电压,供测量未知电势用。在本稳压线路中,由于采用了电压温度系数很小的2DW 7B硅稳压管作第二级稳压,可不加温度补  相似文献   

4.
问题一:稳压管及基准电压在选用稳压二极管时 1.大约几伏的稳压管温度系数最低?稳压值在什么范围温度系数为正?什么范围温度系数为负? 2.大约几伏的稳压管和其击穿特性最硬(工作电流变化时其稳压值基本不变)?稳压值在什么范围其击穿特性最软? 3.在需要稳压值很小,如0.7V或是0.7V的倍数时,常以正向工作的二极管当稳压管用。请问,在开关、整流和稳压三种二极管中,哪种管子的正向特性更适于用作稳压,为什么?  相似文献   

5.
本文推导了计算硅稳压管电压稳定器线路工作状态的关系式。在分析中考虑了输入电压和负载电阻同时变化的影响。阐明了温度补偿的理由。文中给出了所需曲线,读者可根据这些曲线对Д808-Д813型硅稳压管的工作状态进行粗略的计算。  相似文献   

6.
在电子制作中挑选稳压管时,这个小装置就可派上用场。它还可以测量二极管、发光二极管等在不同的工作电流下的正向电压降,以及三极管eb结的反向击穿电压。电路很简单,变压器次级30V的交流电压经整流滤波后输出40多伏的直流电,可作为35V以下稳压管的测试电压。由V1、V2等组成可调恒流源,调节W  相似文献   

7.
仪表工问答     
128.电子电位差计桥路电源所涉及的问题有哪几方面? 答:首先要考虑电源电压变化对稳定电压的影响。若要求市电电压波动±10%时输出电流基本保持不变,则应选用稳压特性曲线十分陡直(动态电阻小)的稳压管。但一般稳压管都不具有这一性能,所以  相似文献   

8.
电力系统继电保护装置实时采集到的电流、电压、开关量等外部开入量的正确与否直接影响到继电保护动作的正确性。本文结合工程实际,对某变电站220kV主变保护装置在调试过程中出现采集量开入异常的现象进行分析,首先,对事件中主变保护的故障开入回路进行检测,找到异常原因为稳压管漏电流偏大,并从稳压管失效的三种模式对稳压管异常进行了分析;其次,通过试验、加量模拟的方法对故障及正常开入回路关键点电压、电流进行比对,进一步明确了保护装置开入失效的原因;最后,提出两种解决方案,最终从经济、安全的角度出发,选取了一种最优方案,将现场三极管开入上拉电阻为1kΩ的插件更换为电阻稳压管,避免了因保护拒动、误动对电网带来的巨大风险。  相似文献   

9.
<正> 现在大量应用的运算放大器中,几乎都是用正、负稳压电源供电。而在高稳定度的稳压器、稳流器和其它一些高级仪器中,除了供给运算放大器工作的正、负稳压电源外,还需要一个高稳定度的基准电压。这三个稳定电压在一般电路中多数是各自使用独立不相干的稳压管。为了简化电路,节省元件,这里把三个电压结合起来共同使用一只精密稳压管。它既提供高稳定度的基准电压,又作为正电压的参考。而正电压又对负电压进行调节。这样不仅省去了两只稳压管,还改善了电压的稳定度。  相似文献   

10.
LM199、299、399是目前市场上电压基准芯片中温度系数最低的集成“稳压管”,其温度系数不仅远低于带温度补偿的“标准稳压管”如2DW232~236(原型号2DW7C,军品指标可达5ppm/℃,市售民品实测约50ppm/℃。1ppm/℃表示环境温度每变化1℃、其击穿电压变化10~(-6),即变化百万分之一),比目前应用较多的高精度集成电压基准芯片如LM185、285、385系列(温度系数典型值20ppm/℃)低几十倍。这是因为LM399系列芯片除制造有集成“稳压管”外,还包含自动恒温电路,并在金属壳外另加了保温性能极好的聚  相似文献   

11.
考考你     
稳压电源基本电路如图1所示。T1为调整管、T2为放大管、D为基准稳压管、稳压值V_D,R1是T2的负载电阻、R2为 D提供大部分工作电流以使基准电压稳定,R3、 R4为分压电路以确定输出电压值,近似有Vo=  相似文献   

12.
针对片内CMOS振荡器频率稳定性不高的问题,提出了一种对温度和工艺的补偿方案。基准电压在正温度电阻上产生一路负温度系数的电流,将其与带隙基准产生的PTAT电流进行叠加得到零温度系数的电流对电容充电;采用数字修调网络对电容进行修调,振荡器频率的工艺漂移被显著降低。仿真结果表明:典型工作条件下,振荡器中心频率为1 MHz,占空比为50%;当温度在-40℃~125℃范围内变化时,振荡器输出频率漂移仅为0.8%;对电容进行修调后,在三种不同的工艺角下,输出频率相对误差仅为1.23%。振荡器对温度和工艺偏差不敏感,表现出良好的稳定性。  相似文献   

13.
一种二阶补偿带隙基准设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,输出电压为1.24 V,温度范围在-35℃~135℃时,温度系数为2.82 ppm/℃;在低频时,电源抑制比达到了75.6 dB。  相似文献   

14.
提出一种应用于RFID芯片的低功耗、可校准基准源电路。设计采用了全MOS管以及电阻来实现,大部分管子都工作在亚阈值状态,同时可以产生基准电压和基准电流。该基准源采用了GSMC 0.13 μm 1P5M工艺来实现,其最大工作电流不超过350 nA,供电电压为1.2 V,并且在0.9 V~2.5 V电压下均可工作。在-45℃~65℃的工作温度下,电压基准源的温度系数为30.3 ppm/℃,电流基准源的温度系数为20.7 ppm/℃。  相似文献   

15.
《电子制作》96年第5期刊登了张义方先生对95年9期“智能电话线路控制器”一文的纠错及改进意见,读后很受启发。但文中有些概念似有商榷的必要。在文中,“2.…流过D6的电流不足10mA,而一般稳压管的工作电流Iz≥5mA…如此小的Iz电流,D6不发生齐纳击穿”是不对的。的确,稳压管技术指标中有一项“工作电流”Iz,通常要求Iz为5~10mA。这是因为当Iz大于此值时稳压管的动态电阻已趋于较小的值(如2CW7C,当Iz=5mA时r_z为18Ω;10mA时为8Ω;20mA时为2Ω),因而能呈现出较好的稳压效  相似文献   

16.
在测量技术中,硅稳压管标准电压源得到越来越广泛的应用。这种电压源是按参数稳压器的方案制作的〔1.2〕。除了高精度特性,简单,使用方便等优点外,上述稳压器有一个缺点——输出电压相对于输入电压的稳定系数比较低。同时,在采用电压温度系  相似文献   

17.
现有针对容性电路电火花放电和大功率本安电源研究的模型和方法大多只考虑了储能元件在放电过程中的放电特性,没有考虑电源电势对容性电路放电特性的影响;在分析容性电路放电特性时都是在空载情况下进行的,没有考虑实际应用中带载的情况。针对上述问题,在分析容性电路短路火花放电特性的基础上,将本安电源等效为电势电容(EC)电路,引入电源电势与外部负载,建立其火花放电等效数学模型,推导在电路发生故障时火花放电电流、放电电压和放电功率的数学表达式,并结合数学模型和Matlab进行了仿真研究,分析了电源电势、滤波电容、短路回路电阻及短路前负载电流对短路故障时火花放电电流、放电电压及放电功率的影响。理论分析和仿真结果表明,EC电路短路时火花放电电流与火花放电功率在起始阶段迅速上升到最大值,后缓慢下降,火花放电电压迅速下降到最小值;EC电路短路时,不改变其他电路参数,随着电源电势增大,火花放电电流明显增大,火花放电功率也明显增大,对电路本质安全性能威胁较大;随着滤波电容增大,火花放电电流尖峰增大,火花放电功率增大,需要考虑输出电压纹波与本质安全性能,合理选择滤波电容的容值;随着短路时的回路电阻增大,火花放电电流明显减小,火花放电功率也明显减小,能够有效提升电路本质安全性能;随着短路前负载电流增大,火花放电电流与火花放电功率有所增大,但增大不明显,对电路的本质安全性能影响不大。  相似文献   

18.
设计了一种基于亚阈值技术的全MOS电压基准源,采用共源共栅结构来增大PSRR,使用MOS管代替电阻,优化温度特性,使电路中大部分MOS管工作于亚阈值区。基于0.18μm CMOS工艺进行设计、版图绘制、和前、后仿真,在后仿真中得出相关参数值。对各参数做出详细分析,包括:一定温度范围内的温度系数;常温下基准输出电压;不同电源电压条件下的线性调整率、基准源静态电流及功耗,并对不同频率下的电源电压抑制比进行了对比。实验结果表明达到了低功耗高性能的设计目标。  相似文献   

19.
提出了一种在低电源电压下工作的CMOS电压基准源,其基准电路采用工作在亚阈值区的nMOS晶体管和自偏置的共源共栅晶体管组合,该电路基准电流产生部分采用两个负反馈回路,确保了基准电流的稳定性.该电路采用标准的0.5 μm CMOS工艺,用Cadence中的Spectre仿真.在fs工艺角下,27℃时基准电压为1.52 V,在120℃范围内(-20℃~100℃)的温度系数可低至31.33 ppm/℃.  相似文献   

20.
研究评设计实现了一种在线式蓄电池组监测、维护和大功率恒流放电智能负载控制系统。该系统以单片机为核心控制蓄电池组的恒流放电;刚时,存放电过程中测量电池电压、放电电流、系统温度并记录数据。系统采用了PWM控制技术,电流控制精度高,放电电流稳定,避免了用正温度系数负载稳定性和可控性差的缺点。  相似文献   

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