基于NiosII的JPEG2000编解码系统设计与实现

给出了一个基于JPEG2000算法的红外图像压缩解压缩系统的设计方案。该系统使用专用的硬件压缩芯片ADV202以及ADV7179、ADV7189和FPGA内嵌的NiosII软核处理器,解决了直接采用FPGA+DSP设计复杂、开发周期长的缺点。NiosII软核处理器通过IIC总线对ADV202、ADV7189的控制实现图像数据的A/D转换和图像压缩,对ADV202、ADV7179的控制实现图像的解压缩和D/A转换。与此同时采用抽场补场的方式实现图像压缩和传输速率的要求,并且通过改变抽场参数可以实现传输速率的改变。实验表明文中的设计方案达到了系统要求的各项技术指标。     

基于SOPC的实时图像存储系统的设计

基于目前实时图像存储的解决方案研究的现状与发展趋势,本文研究了基于SOPC技术的实时图像存储设计方案。使用ALTERA公司的NiosII软核处理器作为总控制器,采用CCD传感器加ADV7181B视频解码芯片进行实时图像数据采集,SDRAM用来存放实时图像数据与程序,VGA控制器控制实时图像显示。     

基于SOPC的视频数据采集系统的设计

本文研究了基于可编程片上系统（SOPC）技术的实时视频数据采集系统的实现方案。使用ALTERA公司的NiosII软核处理器作为总控制器,采用CCD传感器和ADV7181B视频解码芯片进行图像数据的采集。系统采用软硬结合的设计方法,实现了硬件平台的构建和软件的调试。     

基于Nios Ⅱ的高速图像采集系统的设计

研究了一种基于SOPC技术的嵌入式高速图像采集控制系统的设计方案.该系统通过在FPGA芯片上配置NiosⅡ软核处理器和相关的接口模块来实现其主要硬件电路,并结合系统的软件设计来控制高速多功能视频解码芯片ADV7181和编码芯片ADV7123实现了图像的高速A/D、D/A转换、存储和回放等功能.由于采用了SOPC和DMA控制技术,该系统具有设计灵活、图像处理速度快和扩展性好等优点.     

基于NiosⅡ软核处理器的图像数据缓存系统的设计

提出了一种基于NiosⅡ软核处理器的图像数据缓存系统的设计方案,设计中选用了FPGA+图像采集芯片+NiosⅡ软核处理器+存储器的方案来实现系统功能,并对系统软硬件设计以及各功能模块的具体实现原理进行了讨论和分析,针对系统实现的功能进行了实际测试,测试结果验证了本设计的可行性、可靠性、通用性.     

基于NiosII的视频采集与传输系统

介绍了Verilog HDL编程的视频采集硬件模块和网络芯片DM9000A的硬件模块接口及定制软核处理器NiosII,并通过移植μClinux操作系统到这个软核处理器NiosII上,实现视频数据的采集和远程传输功能。本系统是在Altera的DE2开发平台上进行的,进行了初步的实验,能够达到预期的效果。     

基于SoPC的高速图像采集模块的设计

研究了一种基于SoPC技术的嵌入式高速图像采集控制模块的设计方案。该模块通过在FPGA芯片上配置NiosⅡ软核处理器和相关的接口模块来实现其主要硬件电路,并结合系统的软件设计来控制高速多功能视频解码芯片ADV 7181和SDRAM。实现了图像的高速A/D转换、存储等功能。由于采用SoPC和DMA控制技术,该模块具有设计灵活、图像采集速度快和扩展性好等优点。     

基于FPGA的扫描跟踪图像实时显示

以ALTERA公司StratixⅡ系列EP2S60F672I4N FPGA为处理核心,一路将所接收的图像数据经过Linkport模块进行时序转换后送入DSP,DSP在对图像数据处理后,计算出目标位置;另一路对所接收的图像数据在两块SRAM缓存下,以两块SDRAM组成的乒乓结构为存储单元,对不同模式下接收的16 bit图像数据实现了90°旋转,经过数据压缩,在接收到DSP所发送的目标位置后,在目标位置上进行字符叠加,并送入所配置的ADV7179显示时序后进行显示输出。最后对各个模块之间数据处理与相应的时序关系和显示中可能出现的问题进行了简要的分析。     

基于FPGA和MB86S02的数字图像处理系统设计

介绍了基于SOPC技术的嵌入式数字图像处理系统的设计方法,该系统以Alteral公司的NiosII嵌入式软处理器为核心来分别对图像的采集、存储,图像处理,显示等功能模块进行结构设计．最后把处理数据通过网络发送到接收端,从而完成了利用嵌入式系统和Internet技术的信息沟通。     

基于NiosII的红外图像处理系统设计

介绍了基于FPGA内嵌NiosII处理器的红外图像处理系统的实现方法;具体阐述了该红外图像处理系统的总体结构、基于NiosII的多CPU工作原理、红外图像处理算法的处理流程和实现方法。通过与传统DSP系统的比较分析,指出该系统的优点与缺点。     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

光交叉连接和光插分复用技术及其应用

目前所谓的全光网络一般指基于DWDM传送技术的光传送网络（OTN）。由于OTN的节点采用OADM和OXC技术,为解决目前点到点的DWDM技术在应用中不能实现灵活组网和当网络失效时不能有效进行保护的问题提供了一种解决方法,使得OTN具有传输容量大、组网灵活、网络具有可扩展性和可重构性、易于升级等特点,可透明传输具有代码格式的不同速率等级的用户数字信号,能够同时适应用户信号种类用服务种类不断增长的需求。     

电压波动和闪烁的解析测量法及其应用与验证

文章介绍了针对特定电压变化特性的被测设备的、简单的、低成本的电压波动和闪烁的解析测量法,并将实际解析法测量计算结果与直接测量法结果进行了比较、验证,证明该方法切实可行,且符合标准规定的容差要求。     

“信号与系统”课程建设与教改的探索

信号与系统课程是高等院校电类专业一门重要的专业基础课程,本文以西安明德理工学院智能制造与控制技术学院的信号与系统课程建设与教学改革为例,介绍了我院在信号与系统课程资源建设和教学改革中的探索和实践。实践证明,本文提出的五维一体化线上线下课程资源建设和混合式教学改革能够有效推动教与学两个方面的变革,有效提高课程教学质量,为同类兄弟院校的同类课程建设和教学改革起到一定的借鉴作用。     

压电／电致伸缩材料及驱动器的新技术与应用

压电／电致伸缩驱动器是一种广泛使用的驱动器,文章概括总结了几种压电／电致伸缩新材料的发展方向,同时还介绍了几种新型驱动模式和超声电机的研究动态,并对压电／电致伸缩驱动器的发展前景予以展望。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices