无基底阵列式碳纳米管膜

介绍了一种廉价、简单易行的将阵列式排列的碳纳米管从石英基底上完整地剥离下来，从而得到无基底阵列式碳纳米管膜的方法。比较了生长基底对膜转移的影响。结果表明用抛光石英玻璃生长的阵列式碳纳米管膜转移到Al基底上的转移效率为80％，而普通石英玻璃上生长的碳纳米管膜转移到Al基底上的转移率为20％。去除基底后阵列式碳纳米管的电阻值表现出各向异性。     

定向碳纳米管阵列应用的研究进展

与普通碳纳米管相比,定向碳纳米管阵列因具有独特的结构和更优异的力学、电学和热学特性而备受关注。表面超疏水改性、功能材料及强化传热是定向碳纳米管阵列应用的三个主要方面。对定向碳纳米管阵列在这三个领域应用的最新研究进展进行总结和分析,重点阐述定向碳纳米管阵列实际应用中主要存在的问题以及发展方向。     

碳纳米管阵列应用于热界面材料的研究进展

介绍与评价了近年来用于改善作为热界面材料(TIM)的碳纳米管阵列性能的方法,探讨了碳纳米管阵列形貌、缺陷状态、界面处理和固化材料引入对碳纳米管阵列导热性能的影响,总结了其在热界面材料领域应用所需要具备的条件,即能够作为热界面材料的碳纳米管阵列必须满足形貌合适、缺陷较少、一定程度复合、接触界面热阻低、封装工艺合理等一系列要求.     

H2O2原位净化定向碳纳米管阵列的研究

采用无模板的化学气相沉积法(CVD)，在石英衬底上制备了大面积、高定向性、自支撑的定向碳纳米管阵列。对此阵列采用原位H2O2氧化，可以有效地达到净化定向碳纳米管阵列的目的。扫描电镜(SEM)检测表明净化碳纳米管的过程并不会破坏其定向性。此种方法可以获得不同厚度的、多数碳管端帽打开、非晶碳、缺陷碳管和杂质较少的定向碳纳米管阵列，此种阵列在场发射等方面具有应用价值。Raman光谱和热失重分析(TGA)表明经过净化的碳纳米管的晶化程度和热稳定性都有所提高。     

宏观超长定向碳纳米管阵列的制备

采用二甲苯和二茂铁作为碳源和催化剂的化学气相沉积法连续制备定向碳纳米管阵列,在反应6h内获得长度为6mm的宏观定向碳纳米管阵列。当反应时间超过6h后,定向碳纳米管阵列的生长速度明显下降,并有停止生长的趋势,反应16h,定向碳纳米管阵列的厚度仅为6．7mm。本文研究了采用多次连续进给碳源和催化剂的方式制备定向碳纳米管阵列,成功的制备了8．9mm厚的定向碳纳米管阵列,阵列中的碳纳米管具有高的定向性和良好的界面结合。     

碳纳米管传感器的研究进展

综述了不同功能碳纳米管传感器(微型碳纳米管气体离子传感器、无线被动碳纳米管气体传感器、碳纳米管化学和力学传感器、碳纳米管阵列生物传感器、碳纳米管温度和风速传感器、碳纳米管神经毒气传感器)的制备、结构特点、性能和发展方向.     

碳纳米管阵列密度对其场发射性能的影响

本具体研究了外电场，碳纳米管自身线度，尤其管的阵列密度对其场发射性能的影响，在均匀碳纳米管阵列模型下，从理论上给出碳纳米管阵列的尖端电场，电场增强因子以及最佳阵列密度的解析表示式，理论结果表明，电场增强因子的数量级为10^2－10^4，并且碳纳米管阵列的电场增强因子与其管密度之间有着敏感的依赖关系，即当密度取某一特殊值（又被称作最佳密度值）时，电场增强因子会明显增大，相对最佳密度而言，过高或过低的管密度都将削弱碳纳米管的尖端电场，进而晚管阵列的场发射性能。     

超长碳纳米管阵列的制备与应用

超长碳纳米管阵列通常定义为长度超过1mm的碳管阵列,在新型结构、电子等功能复合材料研发方面具有潜在优势。近期在超长碳纳米管制备和生长机理方面汇集了大量的研究工作,研究表明催化剂的活性和寿命是影响超长碳纳米管阵列生长的决定因素。从催化剂结构、生长条件控制、碳源的选择以及其他因素等方面综述了其对催化剂活性和寿命的影响,以及对超长碳纳米管阵列生长的影响,展望了超长阵列的潜在应用前景。     

化学气相沉积法制备大面积定向碳纳米管

以二茂铁、二甲苯、氩气分别为催化剂先驱体、碳源、载气,直径100mm的刚玉管为反应室,石英玻璃为基底,催化热解制备定向碳纳米管.在50 min内,获得长600μm的定向碳纳米管阵列.SEM和TEM研究表明:二茂铁的二甲苯溶液导入反应室的入口温度控制在大约300℃时,能得到定向碳纳米管阵列;当载气流量从500ml/min增加到2000ml/min时,CNTs生长速度加快,长度增加;间歇地滴入二茂铁和二甲苯混合物,可能得到多层碳纳米管薄膜.     

碳纳米管纤维研究进展

主要概述了碳纳米管纤维的最新研究进展,详细介绍了当前碳纳米管纤维的3种主要制备方法--溶液纺丝、阵列抽丝以及浮动CVD直接纺丝法,探讨了各种工艺参数对碳纳米管纤维纺丝工艺以及产品最终性能的影响,分析和展望了碳纳米管纤维目前仍存在的一些关键问题和可能的发展方向、应用前景等.