雷达复杂信号产生技术

阐述现代雷达中复杂信号产生的几种常用方法,并根据不同方法的理论基础,总结各种复杂信号产生技术的优缺点,结合实际参数说明了各种方法所适用的信号调制形式.最后介绍近期在复杂信号产生中出现的一些新技术,并对复杂信号产生技术的发展前景进行分析.     

数字可调中频噪声源设计

介绍了用FPGA和AD9739产生可调中频噪声源的方法。采用Combined Tausworthe方法产生均匀分布,根据均匀分布和高斯分布之间的映射关系,使用折线逼近的方法产生基带的高斯分布。采用可配置FIR IP核实现中心频率和带宽可调的中频噪声。FPGA产生的中频噪声源通过LVDS接口输出给AD9739。     

数字可调中频噪声源设计

介绍了用FPGA和AD9739产生可调中频噪声源的方法.采用Combined Tausworthe方法产生均匀分布,根据均匀分布和高斯分布之间的映射关系,使用折线逼近的方法产生基带的高斯分布.采用可配置HR IP核实现中心频率和带宽可调的中频噪声.FPCA产生的中频噪声源通过LVDS接口输出给AD9739.     

调相信号模拟与数字产生方法比较

介绍了调相信号的模拟产生方法和数字产生方法，并对2种调相信号产生方法的差异进行了分析，重点阐述了直接数字合成(DDS)器件产生调相信号的机理和特点。     

超短脉冲激光产生方法新说

到目前为止,关于产生超短脉冲激光的方法已有许多技术。为寻求新的产生方法和探索新的产生超短脉冲激光的技术途径,作者根据其产生过程的物理机制的不同,提出新的分类方法:     

通信干扰信号的软件产生方法

介绍了一种通信干扰信号的软件产生方法。详细讨论了信号数字产生与调制方式 的实现方法及技术途径,论述了干扰信号软件产生技术在提高通信对抗干扰设备性能中的作 用。详细描述了几种常见调制方式的干扰信号的产生过程、工程实现方法以及信号参数的定 义,给出了原理框图。     

利用超表面的涡旋光束产生进展（特邀）

涡旋光束因为携带轨道角动量,在光通信、粒子操纵及量子信息等领域都具有重要的应用前景。目前有很多方法可用于产生涡旋光束,如利用螺旋相位板、模式转换、空间光调制器等。然而,传统的方法需要搭建体积相对较大的光学系统,限制了其在集成光学等领域中的应用。不同于传统方法中通过传输效应来获得相位变化,超表面可以通过纳米结构使入射光产生相位突变,在纳米尺度上独立控制动态或几何相位以产生涡旋。超表面具有强大光控制能力的同时,还具有体积小、易于集成等特点,因此成为了产生涡旋光的理想方法。文中在介绍产生涡旋光束基本原理的基础上,回顾了近年来利用超表面产生涡旋光束的研究进展。首先介绍了利用动力学相位、Pancharatnam-Berry (P-B)相位以及混合相位产生光学涡旋的方法。随后,对利用全息与编码超表面产生涡旋及通过多路复用产生多个涡旋等不同方法进行了综述。最后,对基于超表面产生涡旋的一些亟待解决的问题和应用前景作了简单总结与讨论。     

基于循环替换原理的高性能伪随机序列

在介绍了现有随机序列的优缺点以及分析随机序列主要产生方法的基础上,提出了一种基于循环替换原理的伪随机序列产生方法,并用FPGA加以实现。该方法产生的伪随机序列完全符合FIPS140-2标准,并具有周期长、线性复杂度高、相关性好以及产生时间短的特性,能广泛应用于信息安全等系统中。     

长周期硬件高速任意位数随机数产生器

本文介绍的随机数产生方法利用m序列所特有的性质,完全采用硬件电路产生,产生速率快.若随机数为16Bit,则速率可达50MHz/16=3.125MHz;随机数周期长,若利用24级移位寄存器产生m序列,则16Bit随机数的周期至少为2~(24)/16=2~(20).因此该方法产生的伪随机数可以再现.由于完全利用硬件产生,因此该方法产生速率快,不占用CPU和存贮单元,且能保证足够长的周期.经过均匀性和独立性的检验,该方法产生的伪随机数紧密地近似于理想的随机数.     

数字化噪声的频谱分析

给出两种数字射频噪声的产生方法，即多频选择方式和ＰＳＫ调制方式。分析用这些方法产生的射频噪声的频谱特性，并指出这些方法的应用场合。     

Na补偿的(Na,Bi)TiO3-Ba (Zr,Ti)O3无铅压电陶瓷

研究了(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。添加0.04%摩尔过量Na2CO3的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3高性能压电陶瓷d33高达195 pC/N。研究发现添加Na2CO3添加量至0.04%摩尔,Na起到软性添加物的作用,添加量超过0.04%,Na起到硬性添加物的作用.理论解释了过量Na的这一特性.为了降低介电损耗,对0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06 Ba(Zr0.055Ti0.945)O3陶瓷进行了(Ce,Mn)掺杂改性研究。     

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.     

White organic light-emitting devices based on fac tris（2- phenylpyridine） iridium sensitized 5,6,11,12-tetraphenylnap -hthacene

We have fabricated the white organic light-emitting devices （WOLEDs） based on 4,4＇ -bis（2,2 -diphenyl vinyl）-1,1＇ - biphenyl （DPVBi） and phosphorescence sensitized 5,6,11,12,-tetraphenylnaphthacene （rubrene）. The device structure is ITO/2T-NATA （20 nm）/NPBX （20 nm）/CBP： x%Ir（ppy）3：0.5% rubrene （8 nm）/NPBX （5 nm）/DPVBi （30 nm）/Alq（30 nm）/LiF（0.5 nm）/A1. In the devices, DPVBi acts as a blue light-emitting layer, the rubrene is sensitized by a phosphorescent material, fac tris （2-phenylpyridine） iridium [Ir（ppy）3], acts as a yellow light-emitting layer, and N,N＇ -bis- （1-naphthyl）- N,N＇ -diphenyl -1, 1＇ -biphenyl-4,4＇ -diamine （NPBX） acts as a hole transporting and exciton blocker layer, respectively. When the concentration of Ir （PPY）3 is 6wt%, the maximum luminance is 24960 cd/m^2 at an applied voltage of 15 V, and the maximum luminous efficiency is 5.17 cd/A at an applied voltage of 8 V.     

离散系统差分方程的求解问题

讨论了差分方程经典解法的有关问题。对于可以用差分方程．y(k) an-1y(k-1) an-2y(k-2) … a0y(k-n)=f(k)(f(k)为因果信号)描述的离散因果系统直接用初始状态(即y(-1),y(-2),…,y(-n))来确定完全响应中齐次解的待定常数,而不必导出初始值(即y(0),y(1),…,y(n-1))。     

无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极

采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V).     

硫掺杂对ZnO热电性能的影响

采用固相反应法制备了ZnO1-xSx块体材料(0≤x≤0.05);通过对样品X射线衍射谱(XRD)、电导率和Seebeck系数的测量,研究了S掺杂对ZnO晶体结构及热电性能的影响。结果表明:所有试样均为六方纤锌矿结构。在573 K时,ZnO1-xSx(0相似文献   

不同物相二氧化钒间的相互转化及其相变性能研究

利用乙醇还原[VO(O2)2]-配合离子可以成功制备出VO2(B)纳米带;考察了VO2(B)在煅烧和水热条件下转化其它物相VO2的条件.结果表明,在惰性氛围中,VO2(B)在700℃的条件下煅烧2 h可以转化为VO2(M);在水热条件下,如果体系中无掺杂剂,VO2(B)可以转化成VO2(A);如果体系中存在掺杂剂(如钼酸),则VO2(B)转化为掺杂的VO2(M).在一步水热法制备VO2(M)过程中,选择掺杂剂是至关重要的,掺杂剂有利于形成掺杂VO2(M),使VO2(M)在水热条件下能够稳定存在.VO2(A)在惰性氛围中煅烧,发现VO2(A)也可以转化为VO2(M).不同物相VO2具有均一的带状形貌,初步探讨了VO2之间的转化机理.VO2(A)的相变温度为162.4℃;Mo掺杂VO2(M)的相变温度为53.7℃,说明掺杂Mo原子可以有效降低VO2(M)的相变温度,也表明Mo原子可以有效地进入VO2(M)晶格中.     

钕离子1.3μm波段放大特性和浓度猝灭研究

为了研究Nd3+的摩尔分数对1.3μm处荧光的影响,采用常规的熔融方法制备了钕离子掺杂的0.70TeO2-（0.30-x）WO3-xNd2O3(摩尔分数x为0.001,0.003,0.005,0.007,0.01）玻璃系统,得到了Nd3+ 1.3μm荧光光谱,同时还研究了荧光峰值波长的有效线宽和受激发射截面与Nd3+摩尔分数的关系。根据Dexter能量转移理论计算了Nd3+在碲酸盐玻璃中能量转移参量Cd,d(4F3/2,4I9/2→4I9/2,4F3/2)和Cd,a(4F3/2,4I9/2→4I15/2,4I15/2和4F3/2,4I9/2→4I13/2,4I15/2)值和相应发生浓度猝灭的临界距离Rd,d和Rd,a。结果表明,随着Nd3+的掺杂摩尔分数增加,荧光强度也逐渐增加,到0.005时达到最大;随后当Nd3+的摩尔分数大于0.005时,荧光强度逐渐降低。     

Thickness Dependent Properties of Relaxor-PbTiO(3) Ferroelectrics for Ultrasonic Transducers

The electrical properties of Pb(Mg(1/3)Nb(2/3))O(3)-PbTiO(3) (PMN-PT) based polycrystalline ceramics and single crystals were investigated as a function of scale ranging from 500 microns to 30 microns. Fine-grained PMN-PT ceramics exhibited comparable dielectric and piezoelectric properties to their coarse-grained counterpart in the low frequency range (<10 MHz), but offered greater mechanical strength and improved property stability with decreasing thickness, corresponding to higher operating frequencies (>40 MHz). For PMN-PT single crystals, however, the dielectric and electromechanical properties degraded with decreasing thickness, while ternary Pb(In(1/2)Nb(1/2))O(3)-Pb(Mg(1/3)Nb(2/3))O(3)-PbTiO(3) (PIN-PMN-PT) exhibited minimal size dependent behavior. The origin of property degradation of PMN-PT crystals was further studied by investigating the dielectric permittivity at high temperatures, and domain observations using optical polarized light microscopy. The results demonstrated that the thickness dependent properties of relaxor-PT ferroelectrics are closely related to the domain size with respect to the associated macroscopic scale of the samples.     

Synthesis, optical and electroluminescent properties of novel polyfluorene/carbazole-based conjugated polyelectrolytes and their precursors

A series of novel aminoalkyl-substituted fluorene/carbazole-based main chain copolymers with benzothiadiazole (BTDZ) of different contents: poly[3,6-(N-(2-ethylhexyl)carbazole)-(9,9-bis(3'-(N,N-dimethyl-amino)propyl)-2,7-fluorene)-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)] (PCzN-BTDZ) were synthesized by Suzuki coupling reaction. Through a postpolymerization treatment on the precursor polymer, a corresponding quaternized ammonium polyelectrolyte derivatives: poly[3,6-(N-(2-ethylhexyl)carbazole)-(9,9-bis(3'-((N,N-dimethyl)-N-ethylammonium)propyl)-2,7-fluorene)-4,7-(2,l, 3-benzothiadiazole)] dibromide (PCzNBr-BTDZ) were obtained. It was found that devices from such polymers with high work-function metal cathode such as Al showed similar device performance to that by using low work-function cathode such as Ba, indicating the excellent electron injection ability of these polymers. The efficient energy transfer from fluorene-carbazole segment to the narrow band gap BTDZ site for both the neutral and the quaternized copolymers was also observed. The addition of BTDZ into the polymer main chain can also improve polymer LED (PLED) device performance. When poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT)/poly(vinylcarbazole) (PVK) was used as an anode buffer, the external quantum efficiency of the copolymer PCzN-BTDZ1 was 0.99%, which was much higher than the copolymer PCzN without the incorporation of BTDZ in the same device configuration.