量子阱激光器计算机辅助分析系统

介绍了一个量子阱激光器计算机辅助分析系统MQWCAD,它是一种新型的多校块交互访问式自洽系统,集成了能带工程计算、异质结激光器二维模拟、量子阱激光器二维模拟等几个适用工具。MQWCAD以一种新颖的设计思想为基础,将多层结构描述、自动剖分、薛定谔方程完全解处理阱区载流子分布、集成能带分析及自洽迭代等几种新技术应用到系统中,使模拟更为方便、精确和快速。该系统用于模拟各种半导体材料体系的异质结及量子阱激光器,优化设计参数,探索新的器件结构。     

1.55μm In_(1 - x - y) Ga_y Al_x As压缩应变量子阱激光器的近似阱宽和光增益公式

应用 Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了 In1- x- y Gay Alx As压缩应变量子阱的能带结构 .为设计 1.55μm发射波长的激光器 ,对可能组分范围内材料的阱宽、微分增益、透明载流子浓度做了系统分析 ,得到一些有用的拟合公式     

金属包层对脊形波导光学特性的影响

本文用一种较为简便的方法分析了金属包层对脊形波导光学特性的影响,实算结果表明本方法具有较高的精度。     

CLEO′90和IQEC′90学术会议简介

<正> 激光器与电光学(CLEO′90)和国际量子电子学(IQEC′90)会议于1990年5月21日至25日在美国加州Anaheim会议中心同时举行。除了两个会议各自有专题领域外,还有联合专题会议。两个会议的特邀报告和口头报告约1050篇,张贴报告约300篇,内容涉及面很广。其中CLEO′90共15个专题: 1)气体和自由电子激光器; 2)固体和液体激光器; 3)半导体激光器; 4)非线性光学和激光谱的应用; 5)相变和光折射器件;     

1.5μm InP/InGaAs MQW-LD驱动电路的设计

讨论了由4个InP/InGaAs HBT构成的OEIC光发射机驱动电路的设计。研究结果表明.由最佳性能的HBT构成的驱动电路,其性能不一定就是最佳的,驱动电路的性能与激光器的串联电阻有很大关系。本文对激光器的串联电阻为9Ω的情况,从几何参数优化设计一驱动电路,其调制带宽可达3.4GHz,脉码凋制时。开关时间约为100ps。用它驱动一多量子阱激光器,脉码调制时,光信号响应开头时间约为288ps。     

染料掺杂的聚合物波导膜的制备及电光性质的研究

用溶液沉积的方法制备了染料分散红掺杂的聚苯乙烯膜,并用电场取向的方法对膜中的染料极性分子进行了取向。对取向膜进行的电光测试结果表明取向膜的电光系数r_(33)≈35pm/V较无机晶体要大。     

1.25Gb/s InP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成

描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.     

二维三角形面元的自动产生方法

本文从程序设计角度介绍一种用于半导体器件模拟的二维三角形面元的自动产生方法，该方法简单易行，适于在开发器件模拟软件时采用。     

InGaAs（P）分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层波长为１．２４μｍ，厚度为１００ｎｍ。当阱材料引入压缩应变后．由于价带的有效状态密度减小，量子阱激光器的微分增益变大，阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显．所以最佳光限制层的波长将变短，为１．２０μｍ