开合操作对真空开关管绝缘强度的影响

本文阐述了开合操作对真空开关管绝缘强度的影响，给出了详细的实验步骤以及实验结果的数据处理。和前后的击穿电压和发射电流用实验的方法来确定，实验步骤包括“无电流关合／无电流开断”，“无电流关合／额定电流的开断”和“无电流关合／额定短路电流的开断”并研究它们对击穿电压和发射电流的影响，在这些实验中触头间隙是变化的。我们施加的电压波形如下：直流电压、闪烁脉冲电压和５０ＨＺ的交流电压。用从市场上买来的三咎不     

真空中延时击穿的研究

我们用一个高清晰度的双筒摄像机（ICCD），通过一些试验来研究真空断路器的延时击穿现象，延时击穿可以引起电弧重燃，导致开断失败，这种开断失败比较少见，它可以由好几种机理产生，本文介绍了研究这种特殊现象的方法，并且展示了击穿发生的初始阶段电弧的图象。     

真空间隙的直流脉冲长延时击穿

就高压真空绝缘来说，导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长延时情形下的击穿过程，到目的为止尚有诸多不明了的地方。近期的测量结果表明，机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿几年在原始触头条件下最高，而在经过大电流燃弧后有所降低。非金属杂质和遥机杂质在击穿过程中起着重要作用。与可式真空灭弧室相比，商用真空灭弧室没有对机械冲击表现出任何敏感性。除了击穿几率与延时之外，我们也对击穿过程中的暂态电压和电流进     

电流过零后真空放电时等离子区密度的误差

了解电流过零前后的物理过程及对这些物理过程进行模拟的一些知识，对于灭弧室向高开断能力、高电压方向发展是十分重要的。电流过零后的一个重要特点是，电弧间隙有一个以大电流等离子区的导电状态向冷态间隙的绝缘状态恢复的过程。同在其他开断介质中一样，电流过零时开断间隙中依旧存在等离子区，该等离子区经过一些时间重新组合后会消失。在瞬态恢复电压（ＴＲＶ）影响下，弧后电荷与弧后电流相关，而ＴＲＶ又会与周围的线路发生     

基于辐射电磁波监测技术的断路器开断性能研究

断路器在开断电流时,当触头两端的电压高于触头间灭弧介质的击穿电压时,动静触头将发生击穿,产生开关电弧,并激发空间高频的电磁波向外辐射。向空间辐射的高频电磁波信号与灭弧气体特性、机械特性及绝缘结构等多种因素相关,反映着断路器的开断能力。本文仿真计算了断路器辐射电磁波的过程,建立试验研究平台,测量对比了全新触头和退役触头开断过程中辐射电磁波的波形,开展了基于辐射电磁波监测技术的高压断路器开断性能研究。研究结果表明:随着触头表面烧蚀程度的增加,断路器开断性能下降,更容易发生电弧重燃,燃弧时间相对于全新触头会有明显的增加,同时对外辐射电磁波的持续也增多,辐射电磁波的持续时间可以作为判定断路器开断性能的判据。本文的研究内容为辐射电磁波监测技术在断路器开断性能的评估提供了技术参考与依据。     

开断对真空开关管绝缘性能的影响

本文论述了“无电流关合／无电流开断”，“无电流关合／额定电流开断”以及“无电流关合／额定短路电流开断”三种操作对真空开关管绝缘强度的影响。为此目的，我们对商品化的ＣｕＣｒ触头横向磁场的两种类型的真空开关管进行了试验。我们用实验的方法测定了开关操作前后出现的击穿电压和发射电流。其相应的特性是在老炼后测定的。老炼采用直流电压老炼，其点火脉冲电压为１．２／５０μｓ和５０Ｈ２的交流电压老炼。我们对得到的结     

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响。对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。     

真空灭弧室内部屏蔽罩间隙雷电冲击击穿特性的面积效应

随着真空灭弧室电压等级的提升，其内部屏蔽罩间隙的尺寸增加将产生击穿面积效应，这将成为制约真空灭弧室绝缘性能的关键因素之一。本文研究了真空屏蔽罩间隙在不同间距条件下雷电冲击击穿特性的面积效应，实验中采用了三种直径的典型屏蔽罩结构，直径分别为40、60和80 mm,电极材料为不锈钢。结果表明，在恒定间距条件下，随着有效面积的增加，真空屏蔽罩间隙的绝缘强度呈下降趋势，并且下降速度逐渐增大。当间距增大时，一方面任意有效面积下屏蔽罩间隙的击穿电压显著提升；另一方面，由于有效面积的增大对击穿电压的削弱作用逐渐降低。本文的研究结果不仅可以指导真空灭弧室内部屏蔽罩间隙的绝缘设计，也可以为具有不同电极结构真空间隙的绝缘评估提供理论依据。     

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P的关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响,对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。     

4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计

室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压达到2 230V,耐压值提高11%。反向电压为1 000V时,反向漏电流密度比普通结构降低90%,有效地降低了器件的漏电功耗。普通结构的开/关电流比为2.56×103(1~500V),而改进结构的开/关电流比为3.59×104(1~500V)。     

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变徽间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Nc等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响.对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨.     

薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究

随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB,测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间,研究了斜坡电压情况下,栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系。     

铜钨触头材料真空灭弧室的容性开断能力

我们对铜钨触头材料和铜铬触头材料的２４ｋＶ真空灭弧室模型进行了并联电容器开断试验。铜钨触头材料的重击穿概率低于鲷铬触头材料的重击穿概率。除了大电流开断能力，铜钨触头材料在并联电容器开断上也是性能非常优良的首选材料。     

真空断路器的开断容量与电流频率的关系

这篇文章展示了小真空间隙（０．３ＭＭ）时，频率从５．９ＫＨＺ到６０ＫＨＺ开断电流的实验研究结果。使用ＣｕＣｒ２５制作的直径为８０ＭＭ的横向杯状触头，触头两端加上阻尼正弦波电流。电流幅值为１．０－１４．５ＫＡ。得出一系列相关结论：在小真空间隙中，重燃电压累积分布函数的种类与累积概率：电流频率与电流幅值，初次放电的电弧电流以及零间隙时的电流变化率对重燃电压和高频开断电流容量的影响。     

机械冲击导致真空断路器的延时放电

用真空灭室装成的刘压真空断路器在成功地武断短路电流洋会出现延时放电现象（重燃）。测试了真空断咱器在大电流开断后，延时放电的时间和作用在真空断路器外壳上的机械就力及电应力的函数关系。我们发现了强烈的冲击式的峰值大于１０＾４ｍ／ｓ＾２的加速 延时放电几率的增长之间的相互关系。采用简单的机械缓冲装置降低机械冲击的动幅值后，结果使得延时放射率下降了５０％，因此，我们可以判定，在这些试验以的大多数延时放电是     

瞬态过电压模拟用的真空断路器的统计模型

用新型电力ＴＡＣＳ模型通过ＥＭＴＰ研制了中压真空断路器的统计模型。该模型包括电弧电压特性、已知ｄｉ／ｄｔ的平均截流值的计算、绝缘击穿电压特性、触头分离动态特性、高频熄弧能力的概率和高频电流过零概率。研究了断时间的影响并给出了专门网络结构的预期的瞬态过电压的统计估计。介绍了开断时间和过电压的关系。除了这些结果之外，文中说明了构成配电网络的所有元素的ＥＭＴＰ的模拟技术并对真空断路器模型特性的予以认证。     

一种提高SOA能力的厚膜SOI-LDMOS结构

在高压驱动芯片中,厚膜SOI-LDMOS能起到电平移位的作用。为确保芯片能够长时间稳定工作,需要LDMOS具有大范围的SOA能力。提出一种在源端N+区域引入PN间隔技术的新结构。通过研究,确定了最优PN间隔比例。对最优结构进行测试,结果表明,器件的开态击穿电压为475 V,反向击穿电压为657 V,相比于传统结构,分别提高了69.6%和20.6%。新型器件的SOA能力得到较大提升。     

非均匀传输线综合的特征法

本文利用特征法对无耗非均匀传输线进行了综合。在二倍于传输线延时的时间范围内给定时域反射电压响应的ｍ个取样值，则非均匀传输线可由ｍ段长度不等、延时为相应时间取样间隔的均匀线近似，各均匀传输线段的特性阻抗唯一求出。     

CuW触头真空开关管的电容器开断能力

我们用触头材料为ＣｕＷ和ＣｕＣｒ的２４ＫＶ真空开关管进行了井联电容器开断试验。结果表明：ＣｕＷ触头的重击穿概率比ＣｕＣｒ触头的低。除大电流开断能力外，对地并联电容器的开断，ＣｕＷ也是一种优选触头材料。ＣｕＷ触头３４ＫＶ－２５ＫＡ真空开关管重击穿概率的计算结果为１０＾－３，而实际上为零。     

真空开关管电极面积对老炼效果的影响

为研究电极面积对老炼效果的影响，采用３种不同表面积的铜电极进行试验，它是真空间隙绝缘击穿的一个特点，老炼的过程随电极面积而变；电极面积越小，老炼完成的越快。一的击穿电压也取决于电极面积，；电极面积越小，击穿电压越高。