薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价

随着超大规模集成电路的不断发展，薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TD-DB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究，基于斜坡电压实验，提取模型参数，分别利用线性场模型和定量物理模型，外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程，提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。     

薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究

随着超大规模集成电路的不断发展，薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB，测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间，研究了斜坡电压情况下，栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系。