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在大规模FPGA/PLD器件用在ASIC的原型实验中,有些问题需要解决,ISP型FPGA/PLD引人瞩目。FPGA/PLD的成本优势增加FPGA/PLD(现场可编程门阵列/可编程逻辑器件)的用途有两种:一是用于最终产品;一是用于ASIC(专用集成电路)化前道工序的开发试制品。小型PLD(20脚的16V8型、24脚的22V10型等)的价格已经理顺,用于解码器或序列发生器等的电路中,已经为批量生产的产品所采用。然而,中大规模FPGA/PLD,还需要同门阵列进行一番成本比较之后,才有可能用于批量生产的… 相似文献
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基于EDA技术的CPLD/FPGA应用前景 总被引:16,自引:0,他引:16
结合电子设计自动化(EDA)教学与实践情况,讨论了复杂可编程逻辑器件/现场可编程门阵列(CPLD/FPGA)器件的特点及应用前景,分析了目前电子设计领域中微控制器或单片机(MCU)存在的问题,指出了基于EDA的CPLD/FPGA的应用和技术推广将是我国未来电子设计技术发展的主流。 相似文献
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优势,从这里开始尽情展现──记美国著名FPGA厂商Actel公司陈健半导体工业作为电子工业中发展最快的一个部分,竞争的激烈性日趋显著。而可编程逻辑器件领域的竞争激烈程度更为突出。TTL、A-SIC、GateArray、PLD(CPLD)及FPGA等,... 相似文献
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SPGA(系统可编程门阵列)把FPGA块、SRAM块和门阵列块或标准单元块集成在一起,解决了系统集成的需要。统设计师经常混合使用门阵列和现场可编程门阵列,或基于标准单元的芯片和FPGA,以便最好地兼顾系统的高密度和灵活性。但是.FPGA工艺的改进已能做出10万门的器件,这接近于系统的集成水平。这些高集成度器件不必配用较低集成度集成度的门阵列或基于标准单元的芯片.遗憾的是,高集成度FPGA占用很大的硅面积,芯片每边超过20mm。而同等容量的门阵列芯片每边小于10mm.FPGA如此之大的芯片面积使成… 相似文献
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68HC908GP32是 Motorola公司生产的高性能CMOS单片机M68HC08系列的一种型号。它的CPU为8位,最高工作频率为32MHz,具有一百余条指令,包括乘法、除法和各种位操作指令。它有512字节RAM和 32K/20KFLASH ROM,有两个各具有两路输入输出的 16位定时器、 33位1/O口、 8路8位 A/D、外部中断输入、 SCI和 SPI串行口等,引脚封装为40脚DIP、42脚SDIP或44脚QFP等。它们适用于各种应用场合。 68HC908JL3是另一种 M68HC08型号。它… 相似文献
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本文对Lattice公司pLSI/ispLSI 1000系列高密度可编程逻辑器件和AMD公司MACH100/200系列PAL器件作了简要的比较。Lattice公司和AMD公司都是可编程逻辑器件的重要生产厂家,本文对Lattice的代表产品pLSI/ispLSI1000系列高密度可编程逻辑器件和AMD公司的代表产品MACH100/200系列,PAL在以下几个方面进行了比较:(1)逻辑块的尺寸;(2) 相似文献
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最近,WSI公司推出了微处理器快闪(FLASH)家族系列驱动芯片PSD813F3、PSD81F4和PSD813F5。该三种芯片均能提供128K系统内可编程(ISP)快闪NVM,应用于8051和68HC11,它们集成了一个3000逻辑门的CPLD、一个可编程的微控制单元(MCU)接口和一个特殊编码PLD。由于微处理器不能随时随地把数据写进存储空间,所以8051和68HC11与外部存储器的数据交换不尽如人意,唯一的解决方法是不断地切换数据和程序存储器的地址,为此,MCU必须不断地读写并进行调测,这样… 相似文献
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探讨了对可编程器件FPGA、CPLD编程时的编程优化问题。主要阐述了VHDL语言描述硬件逻辑时,不同描述方法对 ASIC逻辑综合结果的不同影响;同时针对 CPLD和 FPGA二者在结构上的差别,给出可编程ASIC实现时的约束项的优化。 相似文献
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美国ATMEL公司最近推出首创的可编程的系统芯片FPSLIC,此种FPSLIC家族系列被命名为AT94K××系列。 作为现场可编程系统级IC电路,FPSLIC电路集成了高性能的用于数据路径逻辑的AT40K的现场可编程门阵列(FPGA),且每个现场可编程门阵列都带有4~18k AT40K的静态记忆存储器(SRAM);1个高性能的用于控制逻辑的带有硬件乘法加速器的30+MIPS的AVR牌的精简指令集计算机(RISC);1个32kB的可选结构静态记忆存储器(SRAM);2个外部用户端口,1个16位和2个… 相似文献
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三种可在5V低电源电压下工作的,应用于卫星调谐器的集成电路「RFAMPIC(射频放大器集成电路),MIX/AGCIC(混凝器/自动增益控制集成电路),和FDEMODIC(频率调制解调集成电路)」新近已设计成功。 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAsMESFET的非线性CAD模型(Statz模型)对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献