直接法合成甲基（氢）二氯硅烷新工艺研究

本文通过催化作用原理研究，提出了以Ｓｉ、ＣＨ＿３Ｃｌ为原料，直接法合成ＣＨ＿３ＳｉＨＣｌ＿２的新工艺．采用ＣｕＣｌ－Ｎｉ－Ｚｎ催化体系不但能使ＣＨ＿３Ｃｌ适量分解产生ＨＣｌ．而且还能促进ＨＣｌ与Ｓｉ、ＣＨ＿３Ｃｌ反应并有效地转化为目的产物ＣＨ＿３ＳｉＨＣｌ＿２，由小试和４００ｍｍ流化床中试所得的混合单体中，ＣＨ＿３ＳｉＨＣｌ＿２含量＞１５％，（ＣＨ＿３）＿２ＳｉＣｌ＿２＞５０％，为工业化生产有机硅含氢单体开辟了新的途径。     

甲基二甲氧基硅烷合成方法的研究

以ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２和ＣＨ３ＯＨ为原料,采用三种不同的醇解方法（溶剂法、酸吸收剂法、气－液相法）合成甲基二甲氧基硅烷［ＣＨ３（ＯＣＨ３）２ＳｉＨ］,运用ＩＲ、ＧＣ－ＭＳ等手段研究了三种方法对醇解反应的影响。结果表明,溶剂法可避免另两种方法的一些缺陷,产物含量较高。其最佳合成条件为：用二甲苯作溶剂,ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２和ＣＨ３ＯＨ的摩尔比为１∶１８,ＣＨ３ＯＨ以一定速度滴入ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２溶液中,控制反应温度在３０℃左右,反应时间６ｈ,其ＣＨ３（ＯＣＨ３）２ＳｉＨ含量可达８０％。     

甲基二甲氧基硅烷合成方法的研究

以ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２和ＣＨ３ＯＨ为原料,采用三种不同的醇解方法（溶剂法、酸吸收剂法、气－液相法）合成甲基二甲氧基硅烷,运用ＩＲ,ＧＣ－ＭＳ等手段研究了三种方法对醇解反应的影响。结果表明,溶剂法可避免另两种方法的一些缺陷,产物含量较高,其最佳合成条件为：用二甲苯作溶剂,ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２和ＣＨ３ＯＨ以一定速度滴入ＣＨ３ＳｉＣｌ２溶液中,控制反应温度在３０℃左右,反应时间６ｈ,其ＣＨ３（ＯＣＨ３）２Ｓ     

SiC—Al2O3基复相陶瓷的N2—HIP研究

通过对热压ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复合材料进行了Ｎ２－ＨＩＰ后处理，制备得到Ｓｉ３Ｎ４－ＡｌＮ＝ＳｉＣ－Ａｌ２Ｏ３梯度材料，经Ｎ２－ＨＩＰ处理后，材料抗弯强度提高３５％－９５％，并得到经强度达１０３０ＭＰａ的ＳｉｅＮ４－ＡｌＮ／ＳｉＣｐ－ＳｉＣＷ－Ａｌ２Ｏ３复合材料。     

（CH3）3SiCl—SiCl4l共沸混合物酯化分离

（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ－ＳｉＣｌ４共沸混合物（以下简称“共沸物”）是甲基氯硅烷混合单体经分馏后得到的馏份之一。本文研究了这一馏份的综合利用问题。采用乙醇（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）酯化法，生成硅烷衍生物，再进行简单分馏得到三甲基氯硅烷［（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ］和正硅酸乙酯［Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４］。文章从酯化程度、反应温度、分离等方面进行了详细的论述。研究证明：本法可以解决“共沸物”的综合利用问题。可获得较高纯度的     

甲基（γ—氯丙基）二氯硅烷和甲基丙基二氯硅烷定性分析

通过色质联用定性地分析了甲基（γ－氯丙基）二氯硅烷（Ｃｌ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２）和甲基丙基二氯硅烷（ＣＨ３（ＣＨ２）Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２）的色谱质谱特征，测定了它们的色谱保留时间。     

甲基(γ-氯丙基)二氯硅烷和甲基丙基二氯硅烷定性分析

通过色质联用定性地分析了甲基（γ－氯丙基）二氯硅烷［Ｃｌ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２］和甲基丙基二氯硅烷［ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２］的色谱质谱特征，测定了它们的色谱保留时间。     

Na2O—Al2O3—B2O3—SiO2系统溶胶,凝胶涂层的振动光谱研究

本文用振动光谱分析了Ｎａ２Ｏ－Ａｌ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统溶胶中的化学反应和用浸渍法制备的凝胶涂层结构。结果表明：部分硼、铝在溶胶陈化初期就与Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４的水解或缩聚产物反应形成线性聚合物，宜于浸涂。热处理时涂层中继续形成Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、Ｓｉ－Ｏ－Ａｌ和Ｓｉ－Ｏ－Ｂ键；基本结构单元为［ＳｉＯ４］、［ＢＯ４］、［ＢＯ３］和［ＡｌＯ４］。     

含硫酸和亚砜基团的高分子载体三氯化钕配合物的合成及其催化活性

合成了含－ＣＨ２ＳＨ和－ＣＨ２ＳＯＣＨ３功能团的高分子载体氯化稀土配合物Ｐ—ＣＨ２ＳＨＮｄＣｌ３和Ｐ－ＣＨ２ＳＯＣＨ３·ＮＤＣｌ３．Ｐ－ＣＨ２ＳＨ·ＮＤＣｌ３对丁二烯聚合没有催化活性，Ｐ－ＣＨ２ＳＯＣＨ３·ＮｄＣｌ３对丁二烯聚合有催化活性．其催化体系有很高的定向效应，聚丁二烯顺－１，４结构含量在９５％以上。     

耐磨Ni－SiC复合电镀及其应用

含ＳｉＣ最高达１１％的Ｎｉ－ＳｉＣ复合镀层的镀液配方及操作条件为：Ｎｉ（ＳＯ_３．ＮＨ_２）_２·４Ｈ_２Ｏ４１０，ＮｉＣｌ_２·６Ｈ_２Ｏ１０，Ｈ_３ＢＯ_３５０，ＯＰ－１００．４及ＳｉＣ（３μｍ）２０－１２０ｇ／Ｌ，ｐＨ４，５５±２℃，５Ａ／ｄｍ￣２，需搅拌．     

HCl和FeCL2在阴离子交换膜中扩散速度的测定

本文依据Ｆｉｃｋ扩散定律提出了测定ＨＣｌ和ＦｅＣｌ２在阴离子交换膜中扩散速度的方法。测定结果显示,在１％～１０％ＨＣｌ、０％～２１％ＦｅＣｌ２和水温１４℃～１６℃条件下,Ｄ膜和Ｓ２０３膜ＨＣｌ平均扩散速度分别为８．４６×１０－３ｍ／ｈ和３．２６×１０－３ｍ／ｈ,ＦｅＣｌ２平均扩散速度分别为３．５×１０－４ｍ／ｈ和１．４×１０－４ｍ／ｈ,预示两膜都能实现废酸中ＨＣｌ与ＦｅＣｌ２的有效分离。用Ｓ２０３组装的扩散器分离废酸结果表明,盐酸回收率大于８３％,回收酸中Ｆｅ２＋小于３ｇ／Ｌ。     

二氧化碳和丙烷反应制取低碳烯烃的研究

采用 ＮＨ＿３－ＴＰＤ．Ｈ＿２－ＴＰＲ等手段对 Ｃｒ＿２Ｏ＿３／γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３．Ｃｒ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２，Ｃｒ＿２Ｏ＿３／ＺｒＯ＿２和Ｃｒ＿２Ｏ＿３／硅藻土等催化剂的酸性和还原性进行了表征；以Ｃ～０＿３＋ＣＯ＿２做探针反应研究了该系列催化剂的催化性能．ＮＨ＿３－ＴＰＤ结果表明．ＮＨ＿３ 在催化剂 Ｃｒ＿２Ｏ＿３／γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３上的脱附量最多．而在Ｃｒ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２上的脱附强度最大．Ｈ＿２－ＴＰＲ结果指出活性中心 Ｃｒ～（３－）在各催化剂上存在明显不同．Ｃ＿３＋ＣＯ＿２反应结果表明，丙烷在 Ｃｒ＿２Ｏ＿３／γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３上的转化率最大为 ４４．１７％。而 Ｃ～－＿２～Ｃ～＿３在 Ｃｒ＿２Ｏ＿３／ＳｉＯ＿２上的选择性最大为８２．８４％．     

化学配方与制备

化学配方与制备硅氮烷共聚物制备把８０ｇ二氯甲基氢硅（ｃＨ３ＳｉＨＣｌ２）、２０ｇ二氯二苯基硅［（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＣｌ２］和６００ｍｌ氨在二氯甲烷中，在０℃下处理得到聚硅氮烷，它可做涂料和预制陶瓷。如把它溶于二甲苯中，并涂在铜线上，在２５０℃下侥结１０...     

苯氯硅烷的气相催化合成

采用高效的ＲＳＰ－Ｃｕ３Ｓｉ与ＲＳＰ－Ｃｕ３Ｓｉ／Ａｇ催化剂，气化的ＰｈＣｌ可经过Ｒｏｃｈｏｗ过程直接合成Ｐｈ－ＳｉＣｌ３、Ｐｈ２ＳｉＣｌ２及Ｐｈ３ＳｉＣｌ。文中讨论了温度、载气流量及时间等因素对催化合成反应的影响。     

化学气相沉积制备SiC涂层——I.热力学研究

对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究,考察了Ｈ２－ＭＴＳ,Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ,Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ,Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系,着重研究了温度、压力、载气量和初始反应气体浓度对沉积单相ＳｉＣ的影响,以ＣＶＤ相图的形式给出了计算结果,这些相图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用．     

乙酸异丁酯合成中无机盐催化作用初探

研究了ＣｕＳＯ４．５Ｈ２Ｏ２、ＣｕＳＯ４、ＦｅＳＯ４、７Ｈ２Ｏ、ＦｅＣｌ３、６Ｈ２Ｏ、ＣｕＣｌ２．２Ｈ２Ｏ等５种盐对异丁醇与乙酸酯化反应的催化性能，结果表明ＦｅＣｌ３．６Ｈ２Ｏ和ＣｕＣｌ２．２Ｈ２Ｏ是较好的催化剂，酯转化率达８６－９３％。     

硅胶负载CoCl2—Al（i—Bu）3—CS2催化剂合成间同1,2—聚丁二烯

在加氢汽油溶剂中以硅胶负载ＣｏＣｌ２－Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）３－ＣＳ２催化剂催化丁二烯合成了间同１,２－聚丁二烯,所得聚丁二烯,所得聚丁二烯１,２－结构含量在９８％以上,间为９９％,结晶度在７５％以上,熔点为２０４℃,表明负载钴系 经剂具有非常高的定向性。向体系中添加适量水和提高单体浓度可使聚合活性和产物相对分子质量提高。     

光氯化法合成ClCH2SiCl3的研究

氯甲基三氯硅烷（ＣｌＣＨ２ＳｉＣｌ３）是以一甲基三氯硅烷（ＣＨ３ＳｉＣｌ３）为原料,在光的催化经氯化而成。本方法采用Ｃｌ２为氯化剂,在可见光（白炽灯）催化下,气相法合成ＣｌＣＨ２ＳｉＣｌ３。研究了光源特性（如光源强度,波长）及反应器材质对光氯化反应的影响,从而确定了氯化反应所需要的能量及反应参数,并且从理论上对反应机理、特性进行了论述。     

混铁车用Al_2O_3－SiC－C质泥浆的研制

混铁车用Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＣ－Ｃ质泥浆的研制为使宝钢混铁车用Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＣ－Ｃ砖（ＡＳＣ砖）有相应的砌筑泥浆，我们进行了配套泥浆的研制工作。１泥浆的制备与使用１．１原料泥浆所采用的原料基本上与ＡＳＣ砖的原料相同，仍以Ａｌ_２Ｏ_３为主，配以ＳｉＣ...     

碳化硅陶瓷的热等静压烧结

系统地研究了不同添加剂（如Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ和Ｂ４Ｃ等）在热等静压（ＨＩＰ）烧结条件下对ＳｉＣ陶瓷之致密机理，显微结构以及力学性能的影响，结果表明：在ＨＩＰ烧结过程中，Ａｌ２Ｏ３可以与ＳｉＣ颗粒表面的ＳｉＯ２生成低共熔的铝硅酸盐玻璃相，并有效地促进ＳｉＣ陶瓷的致密化，当添加３％（以质量计）Ａｌ２Ｏ３时，采用ＨＩＰ烧结工艺，在１８５０℃温度和２００ＭＰａ压力下降结１ｈ，就可获得相对密度和抗弯强度分别