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本文采用熔融法制取玻璃状样片,利用转炉渣、高炉渣标样及自制的参考标准物质保护渣合成系列标准物质,建立工作曲线进行联合测定。通过对样品的制备、工作曲线的绘制、样品的测定几方面研究,确定X荧光测定保护渣中多元素的方法。实现了保护渣中SiO_2、Fe_2O_3、Al_2O_3、CaO、MgO多元素X荧光联合测定技术。 相似文献
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《中国新技术新产品》2017,(6)
随着我国经济水平的飞速发展,X荧光分析仪的使用已经得到了相关领域的普遍认可。对此,本文主要从标样的准备、制样条件的确定、工作曲线的建立、仪器维护等多个方面对X荧光分析仪具体使用情况进行研究,并提出合理化建议,提供给相关人士,供以借鉴。 相似文献
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针对膜厚标准样片的高精度测量问题,基于光谱型椭偏仪测量系统,提出对膜厚标准样片逐层分析的方法。利用相应的匹配算法,对比硅上二氧化硅模厚标准样片的等效结构模型和四相结构模型,实现对薄膜样片的厚度表征和椭偏分析。其次,通过对样片进行为期12周的测量考核,完成对薄膜样片表层分子吸附机理的分析。实验结果表明:针对研制的标称值为2~1 000 nm硅上二氧化硅膜厚标准样片,中间层的厚度存在先递减后递增的趋势。其中,在标称值为50~500 nm范围内,等效结构模型与四相结构模型测量结果的绝对误差在±0.2 nm以内,因此,可以采用等效结构模型的方法开展仪器的校准工作。另外,提出通过加热实现对标准样片解吸附的方案,有效解决超薄膜样片的储存问题。 相似文献
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影片《张思德》公映后,它的影像效果令观众感到耳目清新,因此,有关这部黑白电影后期制作方面的信息引起了众多人士的关注,它的制作方法引起了很多制作人员和观众的兴趣,本文将介绍我们对这部影片制作工艺的探讨和实践。一、负片的冲洗不少媒体在报道有关影片《张思德》的消息时称,这部影片是在澳大利亚进行的后期加工。其实,只有负片是在澳大利亚冲洗的,还有一小部分黑白样片和对应的彩色样片是在澳大利亚洗印的。而特效部分的彩底、大部分样片、标准拷贝和发行拷贝都是在北京电影洗印录象技术厂制作的,并因此大大节约了制作成本。那么,过去… 相似文献
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半导体硅单晶电阻率标准 总被引:1,自引:1,他引:0
本文叙述了硅单晶电阻率标准样片制备工艺中所采取的几项措施,着重讨论了标准测量装置的组成和标准样片定标方法的选择依据及其误差分析。给出本项标准实际达到的主要技术指标及其与美国国家标准局同类标准样片的比较结果。 相似文献
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采用熔融法制样,选择石灰标准样品,使用洛阳特耐熔样炉制样,岛津X-射线荧光光谱仪对石灰石中氧化钙、氧化镁、二氧化硅等含量进行测定。试样以偏硼酸锂做熔剂、碘化铵做脱模剂制备玻璃熔片,以石灰石标准物质和高纯碳酸钙制备标准样片做曲线,用化学法同时进行比对试验。 相似文献
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段朝阳 《中国新技术新产品》2010,(16):25-25
本文针对X荧光分析仪测定钼精矿中钼含量的主要影响因素进行分析,并确定出钼含量在49%-58%范围的钼精矿样品适宜的测定条件,提高了样品检测的准确率。 相似文献
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利用微流控技术和量子点技术,将量子点与PDMS均匀混合并压入毛细管中固化成型,研制成量子点掺杂荧光凝胶标准试纸条。通过对量子点浓度的控制,制备了高、中、低共3种荧光强度的荧光凝胶标准试纸条,并对试纸条的光漂白性、均匀性、稳定性等方面进行了考察,评估了不确定度。结果表明该荧光凝胶标准试纸条具有良好的抗光漂白性、均匀性,可在室温避光下稳定保存180天。通过对多家荧光免疫分析仪进行校准实验,证明了该荧光凝胶试纸条具有良好的适用性,为荧光免疫分析仪的校准提供了可靠的参考依据。 相似文献
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通过对中国计量科学研究院(NIM)与美国国家标准局(NBS)研制的硅单晶电阻率标准样片的比较实验研究,获得了标志着标准样片主要性能的方块电阻直径扫描分布曲线、全片等值分布图和大量有用数据。实验结果表明,NIN标准样片的各项性能均达到NBS同类标准样片的水平,其中,径向电阻率不均匀度和标称值偏差两项的指标还优于NBS标准样片。 相似文献
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采用压片法制备精炼渣样片,使用X射线荧光光谱仪测定TFe、SiO2、CaO、MgO、Al2O3等化学成分含量,采用自制控样绘制工作曲线。实验测定结果与湿法测定结果吻合较好,方法快速、便捷,完全满足生产检测要求。 相似文献
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X射线荧光光谱法是一种应用较早,且至今仍被广泛应用的元素分析技术。从仪器选择、测量条件、试剂选用、试样制备、校准曲线绘制、标准样品特殊处理对X射线荧光光谱法在矿石中微量元素测定中的应用进行具体的说明,并以对比实验,验证其测定效果。 相似文献
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《中国测试》2017,(12):1-6
针对光谱型椭偏仪校准结果受测量模型影响大的问题进行研究,提出一种不受测量模型影响的校准方法,即通过校准椭偏角实现光谱型椭偏仪的校准。依据椭偏仪测量原理,通过仿真分析确定实现较大范围内椭偏角校准所需标准样片的薄膜厚度量值,并采用半导体热氧化工艺制备出性能稳定的膜厚标准样片。使用标准样片对型号为M-2000XF的光谱型椭偏仪的椭偏角进行校准,样片厚度为2,50,500 nm对应的椭偏角偏差分别在±0.6°,±1.5°,±2°以内,该偏差对薄膜厚度的影响不超过±0.5 nm。经实验表明:该方法不受椭偏仪测量模型的影响,可有效解决光谱型椭偏仪的校准问题。 相似文献